一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的电容介电结构、第一非金属氮化物层和上电极。通过在上电极和电容介电结构之间设置具有较高功函数的第一非金属氮化物层，能够有效减少上电极中的电流向电容介电结构中扩散，抑制了正偏置或负偏置下的漏电流，避免了电容介电结构被击穿，从而能够有效提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法。
技术介绍
随着半导体器件的集成度增加，在半导体器件的制备过程中开始关注于形成较小尺寸的电容结构。电容结构的减小可以通过减小电容结构中上电极和下电极之间电容介电层厚度实现，然而电容介电层厚度的减小会极大的增加漏电流，容易引起电容介电层的击穿，使上电极和下电极之间发生短路。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：如何有效减少电容结构中的上电极和下电极之间的漏电流。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法。本专利技术的第一个方面，提供了一种电容结构，其包括：下电极；依次形成在所述下电极上的电容介电结构、第一非金属氮化物层和上电极。在一些实施例中，所述第一非金属氮化物层包括氮化硼层和/或硅硼氮层。在一些实施例中，所述电容结构还包括：第二非金属氮化物层，所述第二非金属氮化物层设置在所述下电极和所述电容介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：/n下电极；/n依次形成在所述下电极上的电容介电结构、第一非金属氮化物层和上电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
下电极；
依次形成在所述下电极上的电容介电结构、第一非金属氮化物层和上电极。


2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一非金属氮化物层包括氮化硼层和/或硅硼氮层。


3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：
第二非金属氮化物层，所述第二非金属氮化物层设置在所述下电极和所述电容介电结构之间。


4.根据权利要求3所述的电容结构，其特征在于，所述第二非金属氮化物层和所述第一非金属氮化物层的厚度不同。


5.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一非金属氮化物层的厚度小于所述电容介电结构的厚度。


6.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容介电结构包括堆叠结构。


7.根据权利要求6所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏腾，钟定邦，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35