【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。
技术介绍
随着半导体领域的快速发展，对于易失性存储器(DRAM)的存储量要求越来越高。而在易失性存储器的制造过程中，通常会通过增加电容柱的高度来增加其电容。但是随着电容柱的高度不断增加，在通过刻蚀工艺形成设置电容柱的电容孔时，容易导致电容孔刻蚀不充分。另外，随着电容柱的高度不断增加，导致电容柱中的电极结构容易发送坍塌，影响易失性存储器的良率。现有技术中，通常会设置三层支撑层来支撑电容柱中的电极结构，防止其发生坍塌，但是随着电容柱的高度不断增加，相邻支撑层之间的距离也逐渐增加，容易导致电极层发生弯曲，影响半导体结构的性能及良率。如何解决上述问题，已成为本领域急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是在提高易失性存储器中电容柱的高度的同时，防止电极层坍塌，并改善了电容柱形成过程中，电容孔容易发生刻蚀不充分的现象。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体结构...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层包括依次形成的第一支撑层、第一介质层、第二支撑层、第二介质层、第三支撑层、第三介质层和第四支撑层，相邻所述绝缘层之间具有第一沟槽；/n在所述绝缘层表面形成下电极层，所述下电极层填覆盖所述第四支撑层的上表面且填充满所述第一沟槽；/n去除部分所述第四支撑层、所述第三介质层、部分所述第三支撑层、所述第二介质层、部分所述第二支撑层、所述第一介质层和部分所述下电极层，以形成电容孔，剩余的所述第四支撑层的上表面低于剩余的所述下电极层的上表面；/n于所述电容孔内依次形成介电层、上电极层和导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层包括依次形成的第一支撑层、第一介质层、第二支撑层、第二介质层、第三支撑层、第三介质层和第四支撑层，相邻所述绝缘层之间具有第一沟槽；
在所述绝缘层表面形成下电极层，所述下电极层填覆盖所述第四支撑层的上表面且填充满所述第一沟槽；
去除部分所述第四支撑层、所述第三介质层、部分所述第三支撑层、所述第二介质层、部分所述第二支撑层、所述第一介质层和部分所述下电极层，以形成电容孔，剩余的所述第四支撑层的上表面低于剩余的所述下电极层的上表面；
于所述电容孔内依次形成介电层、上电极层和导电层，所述介电层、所述上电极层和所述导电层填充满所述电容孔。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的方法包括：
于所述衬底上依次形成第一支撑材料层、第一介质材料层、第二支撑材料层、第二介质材料层、第三支撑材料层、第三介质材料层和第四支撑材料层；
去除部分所述第一支撑材料层、部分所述第一介质材料层、部分所述第二支撑材料层、部分所述第二介质材料层、部分所述第三支撑材料层、部分所述第三介质材料层和部分所述第四支撑材料层，以形成所述第一沟槽，剩余的所述第一支撑材料层构成所述第一支撑层，剩余的第一介质材料层构成所述第一介质层，剩余的所述第二支撑材料层构成所述第二支撑层，剩余的所述第二介质材料层构成所述第二介质层，剩余的所述第三支撑材料层构成所述第三支撑层，剩余的所述第三介质材料层构成所述第三介质层，剩余的所述第四支撑材料层构成所述第四支撑层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述去除部分所述第一支撑材料层、部分所述第一介质材料层、部分所述第二支撑材料层、部分所述第二介质材料层、部分所述第三支撑材料层、部分所述第三介质材料层和部分所述第四支撑材料层，以形成所述第一沟槽的步骤包括：
于所述第四支撑材料层上形成具有图案的光刻胶层；
以所述光刻胶层为掩膜，在同一步骤中刻蚀部分所述第一支撑材料层、部分所述第一介质材料层、部分所述第二支撑材料层、部分所述第二介质材料层、部分所述第三支撑材料层、部分所述第三介质材料层和部分所述第四支撑材料层；
去除所述光刻胶层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成所述第二支撑层、所述第三支撑层和所述第四支撑层的材料为SiCN。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成所述第一介质层的材料为掺杂有硼元素的氧化硅；
形成所述第一支撑层的材料为SiBN。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述去除部分所述第四支撑层、所述第三介质层、部...
【专利技术属性】
技术研发人员：王景皓，辛欣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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