温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。包括：提供衬底；于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层包括交替分布的三个介质层和四个支撑层，相邻所述绝缘层之间具有第一沟槽；在所述绝缘层表面形成下电极层，所述下电极层填覆盖所述第四支撑层的上表面且...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。