一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及掺杂有掺杂原子的导电层，通过在上电极和导电层之间设置第一导电结构，第一导电结构可以包括第一金属硅化物，第一金属硅化物具有较高的功函数，能够有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏，另外，设置第一导电结构还可以有效降低上电极和导电层之间的接触电阻，从而能够有效改善器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法。
技术介绍
随着半导体器件的集成度增加，在半导体器件的制备过程中开始关注于形成较小尺寸的电容结构。电容结构可以包括下电极、位于下电极上的介电结构、上电极和具有掺杂原子的导电层，然而电容结构的减小，会相应的使电容结构中导电层的厚度减小，从而使导电层中的掺杂原子容易泄漏到上电极，影响器件性能。因此，急需提供一种电容结构，以有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：如何提供一种电容结构，以有效减少导电层中的掺杂原子向上电极中泄漏。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法。本专利技术的第一个方面，提供了一种电容结构，其包括：下电极；依次形成在所述下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及导电层，所述第一导电结构包括第一金属硅化物，所述导电层中包括掺杂原子。在一些实施例中，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：/n下电极；/n依次形成在所述下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及导电层，所述第一导电结构包括第一金属硅化物，所述导电层中包括掺杂原子。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容结构，其特征在于，包括：
下电极；
依次形成在所述下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及导电层，所述第一导电结构包括第一金属硅化物，所述导电层中包括掺杂原子。


2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一金属硅化物包括硅化钛、硅化钨、硅化镍或硅化钴。


3.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述掺杂原子包括硼原子。


4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构还包括：第二导电结构，所述第二导电结构位于所述介电结构和所述上电极之间。


5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述第二导电结构包括第二金属硅化物，其中所述第二金属硅化物与所述第一金属硅化物的组成不同。


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【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏腾，何艳芬，钟定邦，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35