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本发明公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的介电结构、上电极、第一导电结构以及掺杂有掺杂原子的导电层，通过在上电极和导电层之间设置第一导电结构，第一导电结构可以包括第一金属硅化物，第一...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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