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本发明公开了一种电容结构、半导体器件以及电容结构制备方法，该电容结构包括下电极，依次形成在下电极上的电容介电结构、第一非金属氮化物层和上电极。通过在上电极和电容介电结构之间设置具有较高功函数的第一非金属氮化物层，能够有效减少上电极中的电流向...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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