【技术实现步骤摘要】
低翘曲高密度封装基板制造方法
本专利技术涉及封装基板制造领域,尤其涉及一种低翘曲高密度封装基板的制造方法。
技术介绍
目前CPU、GPU、FPGA芯片的SOC设计随着网络技术、AT技术以及计算技术的发展,芯片的功能越来越强大,功能越来越复杂,尺寸越来越大。大尺寸芯片封装需要更大尺寸的FCBGA封装基板与其配合,FCBGA基板的尺寸越大,翘曲的幅度和稳定性越差,后续封装的芯片可靠性问题越是严重。基于有机材料的大尺寸FCBGA基板,由于其高密度布线能力和加工制造的灵活性比陶瓷基板具有更大的优势。因此,有机材料是目前大尺寸FCBGA芯片主要的基板材料。而基于有机材料的大尺寸FCBGA基板在尺寸不断增大,翘曲越发严重情况下,如何降低基板整体翘曲幅度,是保证大尺寸芯片封装的重要问题。目前FCBGA基板的厚度通常超过1mm,层数10-20层,不仅工艺复杂,成本极高,而且尺寸大单个单元的成本更高,翘曲更严重。大尺寸FCBGA基板在封装过程的倒装焊接回流过程中会产生较大的翘曲,导致无法焊接。较大的翘曲对于封装的芯片也会导致应力过大, ...
【技术保护点】
1.一种低翘曲高密度封装基板制造方法,其特征在于,包括:/n将封装基板内层线路(11)与ABF层(12)压合处理;/n对所述ABF层(12)进行未完全固化处理,使所述ABF层(12)固化度在50%~70%之间;/n在未完全固化处理后的ABF层(12)上制造外层线路(13);/n重复上述三个步骤,得到多层线路封装基板;/n将所述多层线路封装基板进行完全固化处理,使所述多层线路封装基板完全固化整平。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种低翘曲高密度封装基板制造方法,其特征在于,包括:
将封装基板内层线路(11)与ABF层(12)压合处理;
对所述ABF层(12)进行未完全固化处理,使所述ABF层(12)固化度在50%~70%之间;
在未完全固化处理后的ABF层(12)上制造外层线路(13);
重复上述三个步骤,得到多层线路封装基板;
将所述多层线路封装基板进行完全固化处理,使所述多层线路封装基板完全固化整平。
2.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法,其特征在于,在所述将封装基板内层线路(11)与ABF层(12)压合处理之前,所述方法还包括:
将所述内层线路(11)表面进行粗化。
3.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法,其特征在于,所述对所述ABF层(12)进行未完全固化处理包括:
对所述ABF层(12)进行烘烤,以提高所述ABF层(12)的固化度。
4.根据权利要求3所述的低翘曲高密度封装基板制造方法,其特征在于,针对于不同种类的ABF层(12),采用不同的烘烤温度及时间对所述ABF层(12)进行烘烤。
5.根据权利要求1所述的低翘曲高密度封装基板制造方法,其特征在于,所述在未完全固化后的ABF层(12)上制造外层线路(13)包括:
对所述ABF层(12)进行激光钻孔,在所述ABF层(12)中形成与内层线路(11)连通的盲孔(20);
在所述ABF层(12)和所述盲孔(20)中化学沉铜,形成电镀种子层(21);
在所述电镀种子层(21)光刻电镀掩膜图形(22);
技术研发人员:于中尧,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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