堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统制造方法及图纸

本申请案涉及堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统。中介层包括半导体材料并包含在所述中介层上的针对主机装置的位置下方的高速缓冲存储器。存储器接口电路系统也可位于所述中介层上的针对存储器装置的一或多个位置下方。还揭示并入有此中介层及包括主机装置及多个存储器装置的微电子装置组合件以及制造此类微电子装置组合件的方法。

【技术实现步骤摘要】
堆叠中介层结构及相关微电子装置组合件、方法及电子系统优先权主张本申请案主张2019年12月16日申请的针对“堆叠中介层结构、包含所述中介层结构的微电子装置组合件及制造方法及相关电子系统(StackedInterposerStructures,MicroelectronicDeviceAssembliesIncludingSame,andMethodsofFabrication,andRelatedElectronicSystems)”的序列号为16/715,242的美国专利申请案的申请日期的权益。
本文揭示的实施例涉及堆叠中介层结构及包含此类堆叠中介层结构的微电子装置组合件以及制造此类结构及组合件的方法。更特定来说，本文揭示的实施例涉及包括堆叠中介层结构的组合件，每一中介层包括半导体材料及并入用于可操作地耦合到堆叠中介层结构的微电子装置之间的相互高带宽通信的接口功能，涉及并入堆叠中介层结构的此类微电子装置的组合件，涉及此类结构及组合件的制造方法及相关电子系统。
技术介绍
例如IC(集成电路)组合件的许多形式的微电子装置包含多个半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠中介层结构，其包括：/n第一中介层，其包括：/n第一核心，其包括半导体材料；/n第一重布结构，其包括在所述第一核心的侧上方的多个重布层RDL；及/n第一组穿硅通路TSV，其从所述第一重布结构延伸通过所述第一核心到所述第一核心的相对侧；及/n第二中介层，其包括：/n第二核心，其包括半导体材料；/n第二重布结构，其包括在所述第二核心的侧上方的多个重布层RDL；/n第二组穿硅通路TSV，其从所述第二重布结构延伸通过所述第二核心到所述第二核心的相对侧；且/n所述第一重布结构及所述第二重布结构通过所述第一组TSV及所述第二组TSV中的至少一者可操作地耦合。/n

【技术特征摘要】
20191216 US 16/715,2421.一种堆叠中介层结构，其包括：
第一中介层，其包括：
第一核心，其包括半导体材料；
第一重布结构，其包括在所述第一核心的侧上方的多个重布层RDL；及
第一组穿硅通路TSV，其从所述第一重布结构延伸通过所述第一核心到所述第一核心的相对侧；及
第二中介层，其包括：
第二核心，其包括半导体材料；
第二重布结构，其包括在所述第二核心的侧上方的多个重布层RDL；
第二组穿硅通路TSV，其从所述第二重布结构延伸通过所述第二核心到所述第二核心的相对侧；且
所述第一重布结构及所述第二重布结构通过所述第一组TSV及所述第二组TSV中的至少一者可操作地耦合。


2.根据权利要求1所述的堆叠中介层结构，其中所述第一中介层及所述第二中介层定向成所述第一重布结构及所述第二重布结构面向共同方向，且所述第一重布结构通过所述第一组TSV可操作地耦合到所述第二重布结构。


3.根据权利要求1所述的堆叠中介层结构，其中所述第一中介层及所述第二中介层定向成所述第一重布结构及所述第二重布结构面向相反方向，且所述第一重布结构及所述第二重布结构通过所述第一组TSV及所述第二组TSV两者可操作地耦合。


4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的堆叠中介层结构，其中所述第一重布结构经配置以与安装到所述第一中介层的至少两个微电子装置可操作地耦合，且所述第一重布结构及所述第二重布结构协作地经配置以组合地相互可操作地耦合所述至少两个微电子装置，且将所述至少两个微电子装置可操作地耦合到更高层级封装。


5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的堆叠中介层结构，其中所述第二中介层在其背向所述第一中介层的表面上配置有用于将所述堆叠中介层结构可操作地耦合到更高层级封装的导电元件。


6.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的堆叠中介层结构，其中所述第一中介层及所述第二中介层与离散导电元件可操作地耦合。


7.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的堆叠中介层结构，其中所述第一中介层及所述第二中介层中的至少一者在其核心上方、在其所述核心内或既在其核心上方又在其所述核心内包括无源电路系统及有源电路系统中的至少一者。


8.根据权利要求7所述的堆叠中介层结构，其中所述无源电路系统包括电容器、电阻器或电感器中的至少一者，且所述有源电路系统包括高速缓冲存储器、其它存储器、逻辑、熔丝、反熔丝或现场可编程门阵列中的至少一者。


9.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的堆叠中介层结构，其中所述第一重布结构及所述第二重布结构包括相同数目个RDL。


10.一种微电子装置组合件，其包括：
堆叠中介层结构，其包括多个互连中介层，每一中介层具有半导体核心及在其一侧上的重布结构；
至少一个主机装置及至少一个存储器装置，其安装在所述多个互连中介层中的一者的重布结构上并且可操作地耦合到所述多个互连中介层中的一者的重布结构；及
所述堆叠中介层结构的电路系统，其可操作地耦合所述至少一个主机装置及所述至少一个存储器装置并延伸到所述堆叠中介层结构与所述至少一个主机装置及所述至少一个存储器装置相对的侧以用于连接到更高层级封装。


11.根据权利要求10所述的微电子装置组合件，其中所述至少一个主机装置包括图形处理器单元GPU、中央处理单元CPU、控制器或芯片上系统SoC，且所述至少一个存储器装置包括DRAM、SRAM、铁电RAM(FeRAM)、电阻性RAM(RRam或ReRAM)、相变存储器PCM、3DXPointTM存储器、NAND快闪存储器或NORflash存储器中的至少一者。


12.根据权利要求10所述的微电子装置组合件，其中所述至少一个主机装置包括图形处理器单元GPU，并且所述至少一个存储器装置包括经配置为高带宽DRAM裸片的堆叠的高带宽存储器装置。


13.根据权利要求12所述的微电子装置组合件，其中所述堆叠中...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·R·费伊，C·H·育，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US