【技术实现步骤摘要】
热压结合器、及其操作方法、和密脚距倒装芯片组件的互连方法本申请是2015年6月30日递交的、名称为“热压结合器、及其操作方法、和密脚距倒装芯片组件的互连方法”的中国专利技术专利申请No.201510385809.5的分案申请。相关申请本申请要求2014年6月30日递交的美国临时专利申请No.62/019,053的优选权，该申请的内容结合在此引作参考。
本专利技术涉及半导体封装中的电互连的形成，更具体地讲涉及改进的热压结合系统及其操作方法。
技术介绍
在半导体器件的处理和封装过程中，在特定器件的互连中，倒装芯片和热压结合技术被使用。与此技术相关联，第一基片(例如，管芯)被结合至第二基片(例如，晶片/晶圆、另一管芯、诸如引线框架的另一基片等)。大体上，第一基片是半导体元件。在每个第一和第二基片上具有导电结构/触头(例如，立柱、迹线等)。例如，在第一基片(例如，管芯)上，导电迹线可以是导电结构，如铜立柱(在其端部上具有焊锡)。在热压结合的过程中，焊锡熔化，并且然后重新固化，因而将第一基片上的导电结构...
【技术保护点】
1.一种热压结合器，其包括：/n结合头，所述结合头包含加热的结合工具，用于将半导体元件结合至基片；以及/n助焊剂施涂工具，用于在所述半导体元件结合至所述基片之前将助焊剂材料施涂至所述基片的导电触头。/n
【技术特征摘要】
20140630 US 62/019,0531.一种热压结合器，其包括：
结合头，所述结合头包含加热的结合工具，用于将半导体元件结合至基片；以及
助焊剂施涂工具，用于在所述半导体元件结合至所述基片之前将助焊剂材料施涂至所述基片的导电触头。
2.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，所述助焊剂施涂工具包括助焊剂冲压器、助焊剂喷流器、助焊剂打印机以及助焊剂丝网印刷机中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，所述助焊剂施涂工具被包含在所述热压结合器的助焊剂处理工位内。
4.根据权利要求3所述的热压结合器，其特征在于，所述助焊剂处理工位包括支承结构，用于在由所述助焊剂施涂工具施涂助焊剂材料的过程中支承所述基片。
5.根据权利要求3所述的热压结合器，其特征在于，所述结合头被包含在所述热压结合器的结合工位中，所述结合工位包含支承结构，用于在所述半导体元件结合至所述基片的过程中支承所述基片。
6.根据权利要求5所述的热压结合器，其特征在于，在所述助焊剂处理工位内包含的支承结构是不同于在所述结合工位内包含的支承结构。
7.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，在所述半导体元件的对应焊锡接触部分与所述基片的对应导电触头接触之前，所述加热的结合工具将所述半导体元件的焊锡接触部分加热至恰低于焊锡接触部分的熔化温度的温度。
8.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，由所述助焊剂施涂工具所施涂的助焊剂材料同所述半导体元件的导电结构与所述基片的相应导电触头之间的热压结合处理相关联地被使用。
9.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，所述助焊剂施涂工具被构造成选择性将所述助焊剂材料施加到仅仅所述基片的导电触头上。
10.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，还包括材料搬运系统，所述材料搬运系统包含运动系统，所述运动系统用于使得所述基片在所述助焊剂处理工位与所述结合工位之间移动。
11.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，使用在所述热压结合器内包含的计算机以电子的方式控制由所述助焊剂施涂工具施涂助焊剂材料。
12.根据权利要求1所述的热压结合器，其特征在于，在所述热压结合器的助焊剂处理工位支承基片的支承结构被加热，以激活所施涂的助焊剂材料而不会蒸发所述助焊剂材料。
13.一种热压结合机的操作方法，所述方法包括以下步骤：
(a)利用热压结合机的助焊剂施涂工具将助焊剂材料施涂至基片上的导电结构；以及
(b)在上述步骤(a)之后，将半导体元件的导电结构热压地结合至基片的导电结构。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(a)包括利用助焊剂冲压器、助焊剂喷流器、助焊剂打印机以及助焊剂丝网印刷机中的至少一个施涂助焊剂材料。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(a)包括在热压结合器的助焊剂处理工位将助焊剂材料施涂至基片上的导电结构。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述助焊剂处理工位包括用于在步骤(a)的过程中支承基片的支承结构。
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，步骤(b)包括在热压结合器的结合工位将所述半导体元件的导电结构结合至所述基片的导电结构，所述结合工位包括用于在步骤(b)的过程中支承基片的支承结构。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在所述助焊剂处理工位所包含的支承结构不同于所述结合工位的支承结构。
19.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括在所述半导体元件的导电结构的对应焊锡接触部分与所述基片的对应导电触头接触之前将焊锡接触部分加热至恰低于焊锡接触部分的熔化温度的温度的步骤。
20.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(a)包括施涂助焊剂材料以便在步骤(b)的过程中在半导体元件的导电结构与基片的相应导电结构之间提供助焊效应。
21.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(a)包括将所述助焊剂材料选择性施涂到仅仅所述基片的导电结构上。
22.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括在步骤(a)与步骤(b)之间将基片从热压结合器的助焊剂处理工位移动至热压结合器的结合工位的步骤。
23.根据权利要求13所述的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·弗里克，T·J·小科洛西莫，H·克劳贝格，
申请(专利权)人：库利克和索夫工业公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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