半导体器件及其形成方法技术

一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底内具有源漏区；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层之后在所述接触孔内形成导电插塞。上述的方案，可以提高所形成的半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体地涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
传统的平面的场效应晶体管对沟道电流的控制能力较弱，随之产生了一种新的互补式金氧半导体晶体管—鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor，FinFET)。鳍式场效应晶体管是新型的多栅器件，其一般包括凸出于基底表面的鳍部，横跨所述鳍部的栅极，以及位于栅极两侧的鳍部内的源漏掺杂区。现有工艺所形成的半导体器件的性能仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是如何提高半导体器件的性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底内具有源漏区；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层；形成所述金属硅化物层之后，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底内具有源漏区；/n在所述基底上形成层间介质层；/n在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；/n采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层；/n形成所述金属硅化物层之后，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述层间介质层接触；形成所述扩散阻挡层之后，在所述接触孔内形成导电插塞。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底内具有源漏区；
在所述基底上形成层间介质层；
在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；
采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层；
形成所述金属硅化物层之后，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述层间介质层接触；形成所述扩散阻挡层之后，在所述接触孔内形成导电插塞。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物层的材料包括MoSix、TiSi、NiSi或RuSi。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述金属硅化物层的材料为TiSi时，所述选择性原子层沉积工艺的参数包括：反应气体包括TiCl4和SiH4，反应温度为300℃～700℃。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述导电插塞的材料包括W、Co、Ru或Ni。


5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触孔的底部的金属硅化物层表面也形成有扩散阻挡层；或者，所述接触孔的底部的金属硅化物层表面未被扩散阻挡层覆盖。


6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层为单层结构，所述扩散阻挡层的材料包括TiN、Co、Ru、Ni或Mo。


7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层包括第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，在所述接触孔的侧壁形成扩散阻挡层的步骤包括：
在所述接触孔的侧壁上形成第一扩散阻挡层；
在所述第一扩散阻挡层的表面形成第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层不覆盖金属硅化物层的顶部表面，第二扩散阻挡层的导电率大于第一扩散阻挡层的导电率。


8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一扩散阻挡层的材料为氧化铝；所述第二扩散阻挡层的材料包括TiN、Co、Ru、Ni或Mo。


9.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一扩散阻挡层的厚度为20埃～30埃；所述第二扩散阻挡层的厚度为20埃～30埃。


10.根据权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：伏广才，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31