温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底内具有源漏区；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成位于源漏区上的接触孔，所述接触孔的底部暴露出源漏区的表面；采用选择性原子层沉积工艺在所述接触孔的底部形成金属硅化物层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。