一种制造微电子集成电路元件的方法技术

本发明专利技术公开了一种制造微电子集成电路元件的方法，包括准备载体基片、具有集成电路的微电子管芯；准备载体基片和管芯之间的无流动底部填充材料；通过预加热无流动底部填充材料改善无流动底部填充材料的润湿和流动特性；形成一护层覆盖于载体基片上，形成掩膜层；移除部分该护层，留下部分位于其上，形成牺牲层；形成定高层，定高层位于牺牲层的上表面上的下表面。

【技术实现步骤摘要】
一种制造微电子集成电路元件的方法
本专利技术涉及微电子
，具体涉及一种制造微电子集成电路元件的方法。
技术介绍
微电子技术是一门作用于半导体上的微小型集成电路系统的学科。微电子技术的关键在于研究集成电路的工作方式以及如何实际制造应用。集成电路的发展依赖于半导体器件的不断演化。微电子技术可在纳米级超小的区域内通过固体内的微观电子运动来实现信息的处理与传递，并且有着很好的集成性。从本质上来看，微电子技术的核心在于集成电路，它是在各类半导体器件不断发展过程中所形成的。在信息化时代下，微电子技术对人类生产、生活都带来了极大的影响。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题为了克服现有技术不足，现提出一种制造微电子集成电路元件的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。(二)技术方案本专利技术通过如下技术方案实现：本专利技术提出了一种制造微电子集成电路元件的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：准备载体基片、具有集成电路的微电子管芯；S2：准备载体基片和管芯之间的无流动底部填充材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造微电子集成电路元件的方法，其特征在于：包括如下步骤：/nS1：准备载体基片、具有集成电路的微电子管芯；/nS2：准备载体基片和管芯之间的无流动底部填充材料；/nS3：通过预加热无流动底部填充材料改善无流动底部填充材料的润湿和流动特性；/nS4：形成一护层覆盖于载体基片上，形成掩膜层；/nS5：移除部分该护层，留下部分位于其上，形成牺牲层；/nS6：形成定高层，定高层位于牺牲层的上表面上的下表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种制造微电子集成电路元件的方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1：准备载体基片、具有集成电路的微电子管芯；
S2：准备载体基片和管芯之间的无流动底部填充材料；
S3：通过预加热无流动底部填充材料改善无流动底部填充材料的润湿和流动特性；
S4：形成一护层覆盖于载体基片上，形成掩膜层；
S5：移除部分该护层，留下部分位于其上，形成牺牲层；
S6：形成定高层，定高层位于牺牲层的上表面上的下表面。


2.根据权利要求1所述的制造微电子集成电路元件的方法，其特征在于：步骤3中，无流动底部填充材料在与微电子管芯或载体基片相接触前被预加热。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠保鑫，张溢博，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：发明
国别省市：山东;37