形成贯穿衬底通孔的方法以及包括贯穿衬底通孔的半导体器件技术

提供具有电介质(2)的衬底(1)、嵌入该电介质中的金属层(3)以及布置金属层上的含金属层(4)，该含金属层位于衬底与金属层之间。在衬底中以及衬底与金属层之间的电介质区域中形成导通孔(9)。在导通孔中施加绝缘层(11)并且从金属层的接触区域(10)上方将其去除，并且将含金属层从接触区域(10)完全去除。在导通孔中在接触区域上施加金属化部(12)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成贯穿衬底通孔的方法以及包括贯穿衬底通孔的半导体器件贯穿衬底通孔是贯穿半导体衬底的电互连。其包括穿透衬底的导通孔和布置在导通孔中的金属化部。能够通过首先在衬底的主表面上方的介电材料中形成金属层来制造贯穿衬底通孔。覆盖金属层的不同含金属的材料的层改善了介电材料的粘附力。然后从相对的表面，通过衬底，蚀刻导通孔，直到到达介电材料。作为绝缘部提供的氧化硅层被布置在导通孔的侧壁和底部上。通过各向异性蚀刻步骤从导通孔的底部去除氧化硅和介电材料，以便氧化硅保留在侧壁上以覆盖半导体材料，并且在底部暴露金属层的接触区域。在导通孔中施加金属化部，以便其与金属层接触并形成电互连。US2015/0102497A1公开了一种制造包括贯穿硅通孔的集成电路器件的方法。着落垫由Cu、W、Ta、Ti、Co、Mn、Al或其组合的金属层以及由Ta、Ti、TaN、TiN、AlN、WN或其组合的阻挡膜形成。本专利技术的目的是提供一种形成贯穿衬底通孔的方法，该方法改善了蚀刻和绝缘步骤的应用，以及提供一种具有贯穿衬底通孔的半导体器件，该通孔与嵌入电介质中的金属层可靠地接触。该目的通过根据权利要求1的形成贯穿衬底通孔的方法以及根据权利要求12的半导体器件来实现。该方法的变型和其他实施例从从属权利要求得出。形成贯穿衬底通孔的方法包括提供：具有布置在衬底上的电介质的衬底；嵌入在该电介质中的金属层；以及布置在该金属层上的含金属层，该含金属层设置在衬底与金属层之间。在金属层上方形成穿透衬底的导通孔。在导通孔中施加绝缘层并且从金属层的接触区域上方将其去除。在导通孔中施加金属化部，该金属化部在接触区域中与金属层接触并通过绝缘层与衬底绝缘。在施加金属化部之前将含金属层从接触区域完全去除。在该方法的变型中，在施加绝缘层并将其从接触区域上方去除之后，从接触区域上方去除电介质。在该方法的另一变型中，在施加绝缘层之前，从含金属层上方去除电介质，以便导通孔到达含金属层，将绝缘层施加在含金属层上，并且将绝缘层从接触区域上方去除，使得含金属层的一部分留在金属层与绝缘层之间。在该方法的另一变型中，在施加绝缘层之前，从金属层上方去除电介质和含金属层，以便导通孔到达金属层，在导通孔的内部暴露金属层的接触区域，并且将绝缘层施加在金属层上。从接触区域上方去除绝缘层之后，施加金属化部以与接触区域电接触并且通过绝缘层与含金属层绝缘。在该方法的另一变型中，通过蚀刻以及通过使用相对于含金属层非选择性的配方，从金属层上方去除电介质。在该方法的另一变型中，通过蚀刻从金属层上方去除电介质和绝缘层，并且在这些蚀刻步骤的每一个中使用相同的蚀刻配方。在该方法的另一变型中，在形成导通孔之前施加具有开口的掩模。通过开口蚀刻导通孔，并且在施加绝缘层之前去除掩模。金属层可以包括与含金属层的材料不同的材料。金属层可以例如是铝。含金属层可以包括例如钛或铝。含金属层还可以包括氮化物。半导体器件包括：具有贯穿衬底通孔的衬底；贯穿衬底通孔的导通孔；在导通孔中的绝缘层；贯穿衬底通孔的金属化部，所述绝缘层使金属化部与衬底绝缘；衬底上方的金属层，金属化部与金属层接触；金属层上的含金属层，含金属层布置在衬底与金属层之间，含金属层包括与金属层的材料不同的材料，并且金属化部与金属层的接触区域接触。在半导体器件的一实施例中，含金属层的一部分被布置在金属层与绝缘层之间。在半导体器件的另一实施例中，金属化部通过绝缘层与含金属层完全分离。在半导体器件的另一实施例中，含金属层包括钛或铝。在半导体器件的另一实施例中，含金属层包括氮化物。下面结合附图对该方法和器件的示例进行详细说明。图1是在蚀刻导通孔之前的中间产物的横截面；图2是根据图1的在蚀刻导通孔之后的横截面；图3是根据图2的在施加绝缘层之后的横截面；图4是根据图3的从导通孔的底部去除绝缘层之后的横截面；图5是根据图4的在施加金属化部之后的横截面；图6是根据图5的在施加顶部金属之后的横截面；图7是在蚀刻导通孔之前的替代的方法的中间产物的横截面；图8是根据图7的在蚀刻导通孔之后的横截面；图9是根据图8的在施加绝缘层之后的横截面；图10是根据图9的从导通孔的底部去除绝缘层之后的横截面；图11是根据图10的在施加金属化部之后的横截面；图12是根据图11的在施加顶部金属之后的横截面；图13是根据图2的在蚀刻导通孔之后的替代的方法的截面图；图14是根据图13的在施加绝缘层之后的横截面；图15是根据图14的从导通孔的底部去除绝缘层之后的横截面；图16是根据图15的在施加金属化部之后的横截面；以及图17是根据图16的在施加顶部金属之后的横截面。图1是可以通过该方法获得的中间产物的示例的横截面。半导体材料的衬底1，例如可以是硅，其设置有电介质2，该电介质尤其可以是金属间电介质，例如氧化硅。与电介质2不同的另一电介质6可以可选地布置在衬底1与电介质2之间。金属层3嵌入在电介质2中。金属层3尤其可以是布线的一部分，例如布线可以包括多个金属层。这种由CMOS技术本身已知的布线的细节与本专利技术无关，并且在附图中未示出。金属层3尤其可以例如是铝。含金属层4布置在金属层3的面对衬底1的主表面上。可选的另一含金属层5可以布置在金属层3的背离衬底1的主表面上。含金属层4和/或另一含金属层5尤其可以包括钛或铝。特别地，含金属层4和/或另一含金属层5例如可以包括氮化钛或氮化铝。嵌入金属间电介质中的布线的金属层通常设置有氮化钛的覆盖物，特别地是在CMOS技术中，以增强电介质材料对金属层的粘附力。可以将金属层3、含金属层4和另一含金属层5施加为这种布线的一部分。将例如可以是抗蚀剂掩模或硬掩模的掩模7施加在衬底1的与电介质2相对的背面上。掩模7具有与金属层3相对的开口8，并且位于要形成贯穿衬底通孔的区域的上方。图2是根据图1的横截面，并且示出了在形成导通孔9之后的另一中间产物。在衬底1中蚀刻通过掩膜7的开口8的导通孔9。继续蚀刻通过电介质2、6直到到达含金属层4。当蚀刻电介质2、6时掩模7仍然存在。含金属层4可以用作终止电介质2、6的蚀刻的蚀刻停止层。图3是根据图2的横截面，并且示出了在施加绝缘层11之后的另一中间产物。将例如可以是氧化硅的绝缘层11设置作为绝缘部，其位于衬底1的半导体材料与随后将被施加以形成贯穿衬底通孔的导电部分的金属化部之间。可以例如通过沉积来施加绝缘层11。绝缘层11的部分通常也可以覆盖金属层3的接触区域10和衬底1的在导通孔9外部的背面。图4是根据图3的横截面，并且示出了在部分去除绝缘层11之后的另一中间产物。施加由蚀刻间隔物而本身已知的各向异性蚀刻工艺，从导通孔9的底部处去除绝缘层11，在该位置暴露含金属层4。含金属层4也被部分地去除，以便暴露金属层3的接触区域10。绝缘层11的被施加在导通孔9外部的部分可以完全去除。替代地，如图4通过示例所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成贯穿衬底通孔的方法，包括：/n提供：具有布置在衬底(1)上的电介质(2)的所述衬底(1)；嵌入所述电介质(2)中的金属层(3)；以及布置在所述金属层(3)上的含金属层(4)，所述含金属层(4)设置在衬底(1)与金属层(3)之间；/n在所述金属层(3)上方形成穿透衬底(1)的导通孔(9)；/n在所述导通孔(9)中施加绝缘层(11)；/n从所述金属层(3)的接触区域(10)上方将所述绝缘层(11)去除；以及/n在所述导通孔(9)中施加金属化部(12)，所述金属化部(12)在所述接触区域(10)中与所述金属层(3)接触并且通过所述绝缘层(11)与所述衬底(1)绝缘；/n其特征在于，/n在施加所述金属化部(12)之前将所述含金属层(4)从所述接触区域(10)完全去除。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180404 EP 18165692.71.一种形成贯穿衬底通孔的方法，包括：
提供：具有布置在衬底(1)上的电介质(2)的所述衬底(1)；嵌入所述电介质(2)中的金属层(3)；以及布置在所述金属层(3)上的含金属层(4)，所述含金属层(4)设置在衬底(1)与金属层(3)之间；
在所述金属层(3)上方形成穿透衬底(1)的导通孔(9)；
在所述导通孔(9)中施加绝缘层(11)；
从所述金属层(3)的接触区域(10)上方将所述绝缘层(11)去除；以及
在所述导通孔(9)中施加金属化部(12)，所述金属化部(12)在所述接触区域(10)中与所述金属层(3)接触并且通过所述绝缘层(11)与所述衬底(1)绝缘；
其特征在于，
在施加所述金属化部(12)之前将所述含金属层(4)从所述接触区域(10)完全去除。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在施加所述绝缘层(11)并将所述绝缘层从所述接触区域(10)上方去除之后，从所述接触区域(10)上方去除所述电介质(2)。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在施加所述绝缘层(11)之前，从所述含金属层(4)上方去除所述电介质(2)，以便所述导通孔(9)到达所述含金属层(4)，
将所述绝缘层(11)施加在所述含金属层(4)上，以及
从所述接触区域(10)上方去除所述绝缘层(11)，使得所述含金属层(4)的一部分留在所述金属层(3)与所述绝缘层(11)之间。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在施加所述绝缘层(11)之前，从所述金属层(3)上方去除所述电介质(2)和所述含金属层(4)，以便所述导通孔(9)到达所述金属层(3)，并且在所述导通孔(9)的内部暴露所述金属层(3)的接触区域(10)，
将所述绝缘层(11)施加在所述金属层(3)上，以及
从所述接触区域(10)上方去除所述绝缘层(11)之后，施加所述金属化部(12)以与所述接触区域(10)电接触并且使其通过所述绝缘层(11)与所述含金属层(4)绝缘。


5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中
所述金属层(3)包括与所述含金属层(4)的材料不同的材料。

【专利技术属性】
技术研发人员：约亨·克拉夫特，乔治·帕特德尔，斯蒂芬·杰森尼戈，弗朗兹·施兰克，耶格·西格特，
申请(专利权)人：AMS有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT