TGV深孔填充方法技术

本发明专利技术提供了一种TGV深孔填充方法，包括以下步骤：A、对玻璃基板进行清洗；B、对玻璃基板进行激光打孔，得到多个玻璃通孔；C、采用腐蚀液对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀；D、对玻璃基板以及玻璃通孔进行种子层溅射；E、将玻璃基板浸泡在稀硫酸溶液中以进行活化；F、电镀。通过对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀，使得玻璃基板以及玻璃通孔表面变得粗糙，种子层与玻璃基板以及玻璃通孔之间的摩擦系数增大，可增强种子层的附着强度，在后续活化以及电镀过程中，可在一定的程度上防止种子层脱落，从而保证电镀的效果。

【技术实现步骤摘要】
TGV深孔填充方法
本专利技术涉及三维集制作转接板
，尤其是一种TGV深孔填充方法。
技术介绍
3D封装是目前工业界最成熟的集成类别，主要通过封装将裸芯片或单独封装好的芯片堆叠在一起，目前包括许多不同的技术，其中大部分是现有单芯片封装技术往三维方向的扩展。转接板(Interposer)，也被称为插入层或中间层，是一种新型的电子基板，能够实现顶部管芯级的细间距I/O与底部封装级较大尺寸大间距I/O之间的互连。转接板上设置了许多的玻璃通孔(Through-Glass-Via，TGV)，玻璃通孔(TGV)穿过衬底延伸互连，实现垂直集成的同时缩短了互连长度，从而减小尺寸，重量和功耗，是目前2.5D/3D集成技术的基础和核心。TGV(玻璃通孔)是主要通过金属化填充，主要为化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、化学镀(ElectrolessPlating)和电镀(Electroplating)这四种方法，而化学镀和电镀是目前最主要使用的两种方法，且都以铜作为填充材料。而TGV(玻璃通孔)作为一种可替代硅基转接板的三维互连技术，具有优本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.TGV深孔填充方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA、对玻璃基板进行清洗；/nB、对玻璃基板进行激光打孔，得到多个玻璃通孔；/nC、采用腐蚀液对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀；/nD、对玻璃基板以及玻璃通孔进行种子层溅射；/nE、将玻璃基板浸泡在稀硫酸溶液中以进行活化；/nF、电镀。/n

【技术特征摘要】
1.TGV深孔填充方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、对玻璃基板进行清洗；
B、对玻璃基板进行激光打孔，得到多个玻璃通孔；
C、采用腐蚀液对玻璃基板以及玻璃通孔进行腐蚀；
D、对玻璃基板以及玻璃通孔进行种子层溅射；
E、将玻璃基板浸泡在稀硫酸溶液中以进行活化；
F、电镀。


2.如权利要求1所述的TGV深孔填充方法，其特征在于：步骤F中，电镀电流为25-45mA，电镀时间为48-60h。


3.如权利要求1或2所述的TGV深孔填充方法，其特征在于：步骤E之后，对玻璃基板进行检测确保其导电。


4.如权利要求1或2所述的TGV深孔填充方法，其特征在于：步骤F之前，利用夹具夹持玻璃基板，然后将玻璃基板放入浸润槽，然后对浸润槽进行抽真空，持续一段时间后，取出玻璃基板并晃动多次，然后将玻璃基板再次放入浸润槽并再次抽真空，再次持续一段取出浸润槽进行电镀。

【专利技术属性】
技术研发人员：郭欢，张继华，穆俊宏，贾惟聪，李勇，蔡星周，李文磊，
申请(专利权)人：成都迈科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51