半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造制造技术

一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，该方法包括：(110)提供半导体晶体管管芯，该半导体晶体管管芯可能地包括在第一下主面上的第一接触焊盘和/或在上主面上的第二接触焊盘；(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且可能地向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及(130)施加覆盖所述半导体管芯以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中，所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。

【技术实现步骤摘要】
半导体管芯的前侧或背侧互连的附加制造
本公开涉及一种用于制造半导体管芯封装的方法和一种半导体管芯封装。
技术介绍
在半导体功率器件制造领域中，一个日益严重的问题是功率器件产生的热量的有效耗散。随着半导体功率器件的小型化和密度的提高，该问题进一步恶化。例如，尤其是对于厚的引线框架厚度而言，TO封装内的SiC或GaN器件之类的宽带隙半导体确实具有有效的底侧冷却。然而，在(可靠性)短路测试中已经发现，表面温度超过了层堆叠体的熔点，并且由于散热不足够高效，可能会因过热而导致模制化合物劣化。双侧冷却(顶侧和底侧)可以解决此问题。虽然底侧冷却是现有技术，但顶侧冷却还带来一些由设计规则限制所产生的挑战，所述设计规则限制例如是由于电场而导致的可达1000μm的边缘终止部。如果夹具焊接另外需要在源极焊盘周围留出500μm的间隙，则对于小的(缩小的)芯片尺寸，用于冷却的剩余源极焊盘面积变得非常小，和/或合适的夹具变为用于源极/发射极的互连的非常昂贵的解决方案，并且热机械应力达到了极限。使半导体功率器件、特别是宽带隙半导体功率器件(例如SiC或GaN功率器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，所述方法包括：/n-(110)提供半导体晶体管管芯，所述半导体晶体管管芯包括在第一下主面上的第一接触焊盘和在上主面上的第二接触焊盘；/n-(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且还向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及/n-(130)施加覆盖所述半导体管芯、以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中/n-所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。/n

【技术特征摘要】
20200120 EP 20152722.31.一种用于制造半导体管芯封装的方法(100)，所述方法包括：
-(110)提供半导体晶体管管芯，所述半导体晶体管管芯包括在第一下主面上的第一接触焊盘和在上主面上的第二接触焊盘；
-(120)向所述第二接触焊盘上制造前侧电导体，并且还向所述第一接触焊盘上制造背侧电导体；以及
-(130)施加覆盖所述半导体管芯、以及所述前侧电导体的至少一部分的包封体，其中
-所述前侧电导体和/或所述背侧电导体是通过金属结构的激光辅助结构化来制造的。


2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，
制造所述前侧电导体和/或所述背侧电导体包括：
i.向所述第二接触焊盘和/或所述第一接触焊盘上沉积金属材料，以及
ii.用激光束照射所述金属材料的至少一部分。


3.根据权利要求2所述的方法(100)，还包括：
通过将另一金属材料施加到所制造的金属结构上并且用所述激光束照射所述另一金属材料的至少一部分来重复步骤i.和ii.。


4.根据权利要求2或3所述的方法(100)，其中，
所述金属材料是以金属粉末或金属球或块的形式沉积的。


5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，
在制造所述电导体之前，没有层、特别是没有焊料层被沉积到所述第二接触焊盘和/或所述第一接触焊盘上。


6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，
所述半导体管芯是宽带隙半导体管芯、SiC管芯或GaN管芯中的一个或多个。


7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，
所述半导体晶体管管芯是功率半导体晶体管管芯或晶闸管管芯，所述功率半导体晶体管管芯特别是功率IGBT管芯或功率MOSFET管芯。


8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，还包括：
施加所述包封体，使得所述金属结构的上表面至少部分地不被所述包封体覆盖。


9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法(100)，其中，
所述半导体晶体管管芯包括在所述上主面上的一个或多个另外的接触焊盘，其中，所述方法还包括：还通过金属结构的激光辅助结构化在一个或多个所述另外的接触焊盘上制造电导体。


10.根据前述权利要求中的任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·菲尔古特，I·埃舍尔珀佩尔，M·格鲁贝尔，I·尼基廷，HJ·舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT