一种半导体器件的形成方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，在基底上形成介质层；对介质层顶部进行离子注入处理；在介质层上形成掩膜层；干法刻蚀掩膜层、介质层形成沟槽。本发明专利技术在介质层上形成掩膜层之前，先对介质层顶部进行离子注入处理，被注入的离子可以在介质层的顶部的部分形成阻挡结构。该阻挡结构能够在后续形成沟槽时，阻挡不必要的离子进入介质层，不会破坏材料的介电效果，更不会影响器件及金属连线的电特性，可以有效地保证半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的形成方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的体积变得越来越小，为了在半导体芯片上设置更多的器件，则需要在芯片上刻蚀形成很多的沟槽，在沟槽内填充沟槽填充材料以形成所需的结构，例如在沟槽内填充金属材料以形成金属互连结构或者栅极结构等。对于形成在介质层上的沟槽，在形成该沟槽的过程中，通常需要在介质层上形成阻挡层，然后通过干法刻蚀工艺形成该沟槽，在通过干法刻蚀工艺形成该沟槽的过程中，用于干法刻蚀的离子会穿透介质层上的阻挡层，对介质层的K值(介电常数值)产生影响，从而影响器件的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术中，因用于干法刻蚀的离子会穿透介质层上的阻挡层，对介质层的介电常数值产生影响，而影响半导体器件的性能的问题。本专利技术提供了一种半导体器件的形成方法及利用该方法制备得到的半导体器件，利用该方法制备得到的半导体器件性能更好。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式公开了一种半导体器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，在所述基底上形成介质层；/n对所述介质层顶部进行离子注入处理；/n在所述介质层上形成掩膜层；/n干法刻蚀所述掩膜层、所述介质层形成沟槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底上形成介质层；
对所述介质层顶部进行离子注入处理；
在所述介质层上形成掩膜层；
干法刻蚀所述掩膜层、所述介质层形成沟槽。


2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底与所述介质层之间还形成有刻蚀停止层。


3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，干法刻蚀所述掩膜层、所述介质层形成沟槽，还包括：
干法刻蚀所述掩膜层、所述介质层和所述刻蚀停止层形成所述沟槽。


4.如权利要求2或3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的数量为至少一层；
所述沟槽的底部与所述刻蚀停止层与所述基底接触的部位平齐。


5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层包括沿远离所述基底的方向依次形成的第一刻蚀停止层、第二停止层和第三刻蚀停止层。


6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括硬掩膜和阻挡层，且所述阻挡层位于所述硬掩膜和所述介质层之间。


7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为硅的化合物。


8.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31