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本发明公开一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，在基底上形成介质层；对介质层顶部进行离子注入处理；在介质层上形成掩膜层；干法刻蚀掩膜层、介质层形成沟槽。本发明在介质层上形成掩膜层之前，先对介质层顶部进行离子注入处理，被注入的离子可...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。