预防圆晶破裂的装置和预防方法制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种预防圆晶破裂的装置和预防方法，其中，装置包括：高温反应腔，包括反应腔侧壁；反应基座，设置于高温反应腔的中心处，反应基座上设有晶圆，反应基座下方设有PIN升降板，设置晶圆升降PIN，其下端由PIN升降板运动顶起与下落，其上端抵住晶圆；第一传感器，位于PIN升降板上方，第一传感器包括第一发射器和第一接收器，第一发射器和第一接收器相对设置，晶圆升降PIN的下端位于第一发射器和第一接收器之间；光电转换器，与第一接收器连接，光电转换器能够获取第一接收器的光信号；其中，第一传感器的个数与晶圆升降PIN的个数相同。能够适应高温环境，根据晶圆升降PIN的状态，提前预防晶圆的破裂，降低破片率，提高生产效益。

【技术实现步骤摘要】
预防圆晶破裂的装置和预防方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种预防圆晶破裂的装置和预防方法。
技术介绍
随着集成电路技术工艺的不断提高，单位面积上所能生产的芯片数也越来越多，晶圆的尺寸越来越大，随着晶圆尺寸的增大，在半导体制造工艺过程中，容易造成晶圆破裂。在现有技术中，一种是利用超声波的信号变化来检测显示器基板的破损情况，超声波的发射器和接收器都可以旋转和倾斜用于检测制程区域的任意位置，这种装置可以准确检测出显示器基板的破损情况，但是已经无法补救，在半导体制程中若是用同样的方法检测晶圆的破损状态，对于设备的维护起不到任何作用，要想在半导体设备中减少晶圆的破片率，最好的情况就是提前预判晶圆破片的发生；另一种是晶圆传输装置，晶圆的升起与降落由3个升降销控制，每个升降销旁都设置一个传感器装置用于检测基座和晶圆下表面的平行距离，如果3个传感器装置检测的距离不相等则通过下面的驱动装置调节成相等的距离，这样可以避免晶圆的倾斜导致的破片，该装置可以很好的预判传片风险，进行调整，但是该装置只能在常温下进行，半导体制程中好多工序都是在高温反应腔内进行。因此，有必要开发一种预防圆晶破裂的装置和预防方法，能够适应高温环境，根据晶圆升降PIN的状态，提前预判晶圆的破裂，降低破片率，提高生产效益。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。为此本专利技术提出了一种预防圆晶破裂的装置和预防方法。有鉴于此，本专利技术的一方面提出了一种预防圆晶破裂的装置，所述装置包括：高温反应腔，包括反应腔侧壁；反应基座，设置于所述高温反应腔的中心处，所述反应基座上设有晶圆，所述反应基座下方设有PIN升降板，所述反应基座内设置晶圆升降PIN，所述晶圆升降PIN下端由所述PIN升降板运动顶起与下落，所述晶圆升降PIN上端抵住所述晶圆；第一传感器，位于所述PIN升降板上方，所述第一传感器包括第一发射器和第一接收器，所述第一发射器和所述第一接收器相对设置，所述晶圆升降PIN的下端位于所述第一发射器和所述第一接收器之间；光电转换器，与所述第一接收器连接，所述光电转换器能够获取所述第一接收器的光信号；其中，所述第一传感器的个数与所述晶圆升降PIN的个数相同。进一步地，所述装置还包括：观察窗，设置于所述反应腔侧壁上，所述观察窗的位置与所述第一传感器的位置相对应。进一步地，所述观察窗的透光率为85％至95％。进一步地，所述装置还包括：第二传感器，位于所述第一传感器和所述反应基板之间，所述第二传感器包括第二发射器和第二接收器，所述第二发射器与所述第二接收器相对设置，所述第二接收器与所述光电转换器连接。进一步地，所述第二传感器为光敏传感器。进一步地，所述第一传感器为光敏传感器。本专利技术的另一方面提出了一种预防圆晶破裂的预防方法，所述预测方法包括：晶圆传入高温反应腔内；通过第一发射器和第一接收器检测晶圆升降PIN的状态；根据所述晶圆升降PIN的状态预测所述晶圆的状态。进一步地，所述通过第一发射器和第一接收器检测晶圆升降PIN的状态包括：当所述晶圆升降PIN为正常状态时，切断所述第一发射器和所述第一接收器的光线，使第一接收器接收不到光信号；当所述晶圆升降PIN发生断裂时，所述第一接收器接收到所述第一发射器的光信号。进一步地，所述第一接收器与光电转换器连接，当所述晶圆升降PIN为正常状态时，所述光电转换器输出“1”，当所述晶圆升降PIN断裂时，所述光电转换器输出“0”。进一步地，根据所述晶圆升降PIN的状态预测所述晶圆的状态包括：若检测到所述晶圆升降PIN断裂，则停止传送所述晶圆到反应腔室；若检测到所述晶圆升降PIN完好，则正常进行传递所述晶圆动到所述反应腔室。本专利技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：根据第一发射器和第一接收器在光电转换器中的输出信号，判断晶圆升降PIN是否断裂，进而预测对晶圆继续传入和传出还是停止传入和传出，及时采取降温措施对设备进行维护及更换晶圆升降PIN，同时排查PIN断裂的原因进行预防，能够适应高温环境，根据晶圆升降PIN的状态，提前预防晶圆的破裂，降低破片率，提高生产效益。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了根据本专利技术一个实施例的一种预防圆晶破裂的装置的俯视图；图2示出了根据本专利技术一个实施例的其中一个晶圆升降PIN的位置示意图；图3a示出了根据本专利技术的一个实施例的晶圆升降PIN完好状态的示意图；图3b示出了根据本专利技术的一个实施例的晶圆升降PIN断裂状态的示意图；图4a示出了根据本专利技术的另一个实施例的晶圆升降PIN完好状态的示意图；图4b示出了根据本专利技术的另一个实施例的晶圆升降PIN断裂状态的示意图；图5示出了根据本专利技术一个实施例的一种预防圆晶破裂的预防方法的步骤流程图。其中，图1至图4b中的附图标记与部件名称之间的对应关系为：1高温反应腔，2反应腔侧壁，3反应基座，4晶圆，5PIN升降板，6晶圆升降PIN，7第一发射器，8第一接收器，9光电转换器，10第二发射器，11第二接收器，12观察窗。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。实施例1本实施例中反应基座为固定状态，以检测一个晶圆升降PIN为例，多个晶圆升降PIN的监测原理相同。图1示出了根据本专利技术一个实施例的一种预防圆晶破裂的装置的俯视图；图2示出了根据本专利技术一个实施例的其中一个晶圆升降PIN的位置示意图；图3a示出了根据本专利技术的一个实施例的晶圆升降PIN完好状态的示意图；图3b示出了根据本专利技术的一个实施例的晶圆升降PIN断裂状态的示意图。如图1至图3b所示，本实施例提供了一种预防圆晶破裂的装置，该装置包括：高温反应腔1，包括反应腔侧壁2；反应基座3，设置于高温反应腔1的中心处，反应基座3上设有晶圆4，反应基座3下方设有PIN升降板5，反应基座3内设置晶圆升降PIN6，晶圆升降PIN6下端由PIN升降板5运动顶起与下落，晶圆升降PIN6上端抵住晶圆4；...

【技术保护点】
1.一种预防圆晶破裂的装置，其特征在于，所述装置包括：/n高温反应腔，包括反应腔侧壁；/n反应基座，设置于所述高温反应腔的中心处，所述反应基座上设有晶圆，所述反应基座下方设有PIN升降板，所述反应基座内设置晶圆升降PIN，所述晶圆升降PIN下端由所述PIN升降板运动顶起与下落，所述晶圆升降PIN上端抵住所述晶圆；/n第一传感器，位于所述PIN升降板上方，所述第一传感器包括第一发射器和第一接收器，所述第一发射器和所述第一接收器相对设置，所述晶圆升降PIN的下端位于所述第一发射器和所述第一接收器之间；/n光电转换器，与所述第一接收器连接，所述光电转换器能够获取所述第一接收器的光信号；/n其中，所述第一传感器的个数与所述晶圆升降PIN的个数相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种预防圆晶破裂的装置，其特征在于，所述装置包括：
高温反应腔，包括反应腔侧壁；
反应基座，设置于所述高温反应腔的中心处，所述反应基座上设有晶圆，所述反应基座下方设有PIN升降板，所述反应基座内设置晶圆升降PIN，所述晶圆升降PIN下端由所述PIN升降板运动顶起与下落，所述晶圆升降PIN上端抵住所述晶圆；
第一传感器，位于所述PIN升降板上方，所述第一传感器包括第一发射器和第一接收器，所述第一发射器和所述第一接收器相对设置，所述晶圆升降PIN的下端位于所述第一发射器和所述第一接收器之间；
光电转换器，与所述第一接收器连接，所述光电转换器能够获取所述第一接收器的光信号；
其中，所述第一传感器的个数与所述晶圆升降PIN的个数相同。


2.根据权利要求1所述的预防圆晶破裂的装置，其特征在于，所述装置还包括：
观察窗，设置于所述反应腔侧壁上，所述观察窗的位置与所述第一传感器的位置相对应。


3.根据权利要求2所述的预防圆晶破裂的装置，其特征在于，所述观察窗的透光率为85％至95％。


4.根据权利要求1所述的预防圆晶破裂的装置，其特征在于，所述装置还包括：
第二传感器，位于所述第一传感器和所述反应基板之间，所述第二传感器包括第二发射器和第二接收器，所述第二发射器与所述第二接收器相对设置，所述第二接收器与所述光电转换器连接。


5.根据权利要求4所述的预防圆晶破...

【专利技术属性】
技术研发人员：张仕月，初春，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21