承载装置及半导体处理设备制造方法及图纸

本申请公开了一种承载装置及半导体处理设备。承载装置包括承载件、压紧件及气路。承载件开设有腔体，腔体包括承载面，承载面开设有气槽。压紧件用于压迫工件的第一区域于承载面，工件的第二区域与腔体对应并与腔体的底面间隔，第一区域环绕第二区域。腔体的侧壁设置有气路，气路与气槽连通并用于抽气以将工件吸附在承载面。本申请的承载装置在需要对工件的背面进行处理时，将工件的背面朝上并将工件的正面朝下并承载在承载面上。如此，一方面工件的背面朝上便于对其进行光学检测等其他处理；另一方面，由于工件正面的第一区域承载在承载面上，工件正面的第二区域与腔体的底面间隔，能够减小处理过程中对工件的污染及造成缺陷的几率。

【技术实现步骤摘要】
承载装置及半导体处理设备
本申请涉及半导体
，更具体而言，涉及一种承载装置及半导体处理设备。
技术介绍
半导体芯片制造工艺繁琐且复杂，前一工艺会影响后面工艺的结果。如果某一工艺不合格，或者受到污染，那么可能后面的工艺都会受到影响，严重的污染可能需要对机台进行全面的清洗，给企业增加大量成本。因此一个合格的半导体芯片需要每一道工艺都确保一定的良率要求，因此需要对半导体芯片进行全面检测，其中就包括对半导体芯片进行背面检测，检测背面是否有残胶，气泡等缺陷。现有的半导体处理设备大都支持对晶圆正面和边缘进行处理，例如对晶圆正面和边缘进行检测，在检测的时候，将晶圆的正面朝上，背面朝下放置在承载装置上。但是该承载装置不支持背面检测，如果将待测晶圆的正面放置在承载装置上，那么承载装置在与晶圆正面接触的时候，势必会对晶圆正面造成伤害。因此需要对承载装置进行改进，适宜进行背面检测。
技术实现思路
本申请实施方式提供一种承载装置。所述承载装置包括承载件、压紧件及气路。所述承载件开设有腔体，所述腔体包括承载面，所述承载面开设有气槽。所述压紧件用于压迫工件的第一区域于所述承载面，所述工件的第二区域与所述腔体对应并与所述腔体的底面间隔，所述第一区域环绕所述第二区域。所述腔体的侧壁设置有所述气路，所述气路与所述气槽连通并用于抽气以将所述工件吸附在所述承载面。在某些实施例中，所述承载装置还包括驱动件。所述驱动件与所述压紧件连接，并用于驱动所述压紧件相对所述承载件移动以选择性地压紧或释放所述工件。在某些实施例中，所述驱动件包括多个。多个所述驱动件关于所述压紧件的压环的中心对称分布。在某些实施例中，所述压紧件包括压环。所述压环与所述驱动件连接，所述驱动件用于驱动所述压环相对所述承载件移动，以能够将所述工件压紧在所述承载面。在某些实施例中，所述压紧件还包括压柱。所述压柱安装在所述压环靠近所述承载件的一侧，用于压迫所述第一区域于所述承载面。在某些实施例中，所述压柱呈环形，并与所述承载面对应。在某些实施例中，所述压柱包括多个，多个所述压柱绕所述压环的中心均匀分布。在某些实施例中，所述气路设置有控制阀，所述控制阀用于控制所述气路中气体的流量和/或流速。在某些实施例中，所述气路的预设压力范围为[-80kPa，-50kPa]。在某些实施例中，所述承载装置还包括控制器，所述气路设置有压力传感器，所述压力传感器用于检测所述气路的气压，所述控制器用于根据检测的所述气压控制抽气单元调节所述气路中的气压至预设压力范围。在某些实施例中，所述腔体的数量为多个，自所述承载件的中心至周缘依次形成尺寸逐渐增大的多个所述腔体，多个不同尺寸的工件能够承载在多个所述腔体的承载面上，最大尺寸之外的所述腔体位于前一较大尺寸的所述腔体的底面；所述压紧件的数量为多个，每个所述压紧件对应一个所述腔体的承载面。在某些实施例中，最大尺寸之外的所述腔体的承载面与前一较大尺寸的所述腔体的底面齐平。在某些实施例中，最大尺寸之外的所述腔体的承载面低于前一较大尺寸的所述腔体的底面并高于后一较小尺寸的所述腔体的承载面。在某些实施例中，最大尺寸之外的所述腔体的承载面高于前一较大尺寸的所述腔体的底面并低于承载在前一较大尺寸的所述腔体的承载面上的所述工件。在某些实施例中，所述承载件包括相背的第一侧与第二侧，所述承载面位于所述第一侧，所述承载装置还包括旋转轴。所述旋转轴安装在所述承载件的所述第二侧，并用于带动所述承载件转动。本申请还提供一种半导体处理设备。半导体处理设备包括处理装置及上述任一实施方式的承载装置，处理装置及承载装置对应，并用于对承载在承载装置上的工件进行处理。本申请实施例中的承载装置及半导体处理设备在需要对工件的背面进行处理时，可以将工件的背面朝上，并将工件的正面朝下并承载在承载面上。如此，一方面工件的背面朝上便于对其进行光学检测等其他处理；另一方面，由于工件正面的第一区域承载在承载面上，承载面支撑工件的全部重量，以使与腔体对应的工件正面的第二区域与腔体的底面间隔，从而使得工件仅有边缘部分与承载件接触，能够减小处理过程中对工件的污染及造成缺陷的几率。此外，承载装置还通过气路抽气以将工件的第一区域吸附在承载面，并且通过压紧件将工件的第一区域压迫在承载面上，从而避免工件翘曲，使整个工件的表面位于同一平面，保证工件的处理精度。本申请的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实施方式的实践了解到。附图说明本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本申请某些实施方式的承载装置的立体结构示意图；图2是本申请某些实施方式的承载装置的立体分解示意图；图3是本申请某些实施方式的承载装置的承载件的部分结构的截面示意图；图4是本申请某些实施方式的承载装置的承载件的部分结构的截面示意图；图5是本申请某些实施方式的承载装置的承载件的部分结构的截面示意图；图6是本申请某些实施方式的工件的结构示意图；图7是本申请某些实施方式的半导体处理设备的立体示意图。具体实施方式以下结合附图对本申请的实施方式作进一步说明。附图中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。另外，下面结合附图描述的本申请的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请的实施方式，而不能理解为对本申请的限制。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。市面上对于工件的处理精度要求越来越高，例如在对工件进行检测时，不仅需要检测工件正面的缺陷，还需要检测工件背面的缺陷。然而现有的用于承载工件的承载装置大多数是平面，并且是直接将工件放置在该平面上，这样势必会导致工件的一面与平面物理接触，进而导致工件与平面的接触面产生污染和缺陷。另外现在的半导体处理设备在处理薄型的工件的时候，工件的任何部分都会发生翘曲，从而影响处理精度。为了解决上述技术问题，请参阅图1至图3及图6，本申请提供一种承载装置100。承载装置100包括承载件10、压紧件20及气路30。承载件10开设有腔体13，腔体13包括承载面1303，承载面1303开设有气槽1304。压紧件20用于压迫工件400的第一区域401于承载面1303，工件400的第二区域402与腔体13对应并与腔体13的底面1301间隔，第一区域401环绕第二区域402。腔体13的侧壁1302设置有气路30，气路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种承载装置，包括：/n承载件，所述承载件开设有腔体，所述腔体包括承载面，所述承载面开设有气槽；/n压紧件，所述压紧件用于压迫工件的第一区域于所述承载面，所述工件的第二区域与所述腔体对应并与所述腔体的底面间隔，所述第一区域环绕所述第二区域；及/n所述腔体的侧壁设置有气路，所述气路与所述气槽连通并用于抽气以将所述工件吸附在所述承载面。/n

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，包括：
承载件，所述承载件开设有腔体，所述腔体包括承载面，所述承载面开设有气槽；
压紧件，所述压紧件用于压迫工件的第一区域于所述承载面，所述工件的第二区域与所述腔体对应并与所述腔体的底面间隔，所述第一区域环绕所述第二区域；及
所述腔体的侧壁设置有气路，所述气路与所述气槽连通并用于抽气以将所述工件吸附在所述承载面。


2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括：
驱动件，所述驱动件与所述压紧件连接，并用于驱动所述压紧件相对所述承载件移动以选择性地压紧或释放所述工件。


3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述驱动件包括多个，多个所述驱动件关于所述压紧件的压环的中心对称分布。


4.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述压紧件包括：
压环，所述压环与所述驱动件连接，所述驱动件用于驱动所述压环相对所述承载件移动，以能够将所述工件压紧在所述承载面。


5.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述压紧件还包括：
压柱，所述压柱安装在所述压环靠近所述承载件的一侧，用于压迫所述第一区域于所述承载面。


6.根据权利要求5所述的承载装置，其特征在于，
所述压柱呈环形，并与所述承载面对应；或
所述压柱包括多个，多个所述压柱绕所述压环的中心均匀分布。


7.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述气路设置有控制阀，所述控制阀用于控制所述气路中气体的流量和/或流速。


8.根据权利要求1所述的承载装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金建高，张鹏斌，李海卫，范铎，董坤玲，张嵩，
申请(专利权)人：深圳中科飞测科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44