本公开提供一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述衬底的所述第一表面上的第一支撑结构和设置在所述衬底的所述第一表面上的第二支撑结构。所述第一支撑结构具有与所述衬底的所述第一表面间隔开第一距离的第一表面。所述第二支撑结构具有与所述衬底的所述第一表面间隔开第二距离的第一表面。所述第二距离不同于所述第一距离。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述衬底的所述第一表面上方的第一天线。所述第一天线由所述第一支撑结构的所述第一表面和所述第二支撑结构的所述第一表面支撑。面支撑。面支撑。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装
[0001]本公开大体上涉及一种半导体装置封装，并且涉及一种包含天线的半导体装置封装。
技术介绍
[0002]例如移动电话的无线通信装置可以包含具有用于信号(例如，射频(RF)信号)传输的天线(例如封装上天线(AoP))的半导体装置封装。贴片天线由于其方向性、易于制造以及体积小和轻巧而比其它天线更常用。随着工作频率增加(例如等于或大于5GHz)，RF信号的信号衰减或信号损耗可能会恶化。
技术实现思路
[0003]在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述衬底的所述第一表面上的第一支撑结构和设置在所述衬底的所述第一表面上的第二支撑结构。所述第一支撑结构具有与所述衬底的所述第一表面间隔开第一距离的第一表面。所述第二支撑结构具有与所述衬底的所述第一表面间隔开第二距离的第一表面。所述第二距离不同于所述第一距离。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述衬底的所述第一表面上方的第一天线。所述第一天线由所述第一支撑结构的所述第一表面和所述第二支撑结构的所述第一表面支撑。
[0004]在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述衬底的所述第一表面上方的天线。所述天线的延长线和所述衬底的所述第一表面的延长线界定锐角。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述天线与所述衬底之间的接地元件。所述接地元件平行于所述天线。
[0005]在一或多个实施例中，一种半导体装置封装包含衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述衬底的所述第一表面上的第一支撑结构。所述第一支撑结构具有平行于所述衬底的所述第一表面的第一顶表面和平行于所述衬底的所述第一表面的第二顶表面。所述第一支撑结构的所述第一顶表面与所述衬底的所述第一表面之间的距离不同于所述第一支撑结构的所述第二顶表面与所述衬底的所述第一表面之间的距离。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述第一支撑结构的所述第一顶表面上的第一天线。所述半导体装置封装进一步包含设置在所述第一支撑结构的所述第二顶表面上的第二天线。
附图说明
[0006]当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本专利技术的各方面。应注意，各种特征可能并不按比例绘制。可出于论述清楚起见而任意地增大或减小各种部件的尺寸。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0008]图2示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0009]图3示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0010]图4示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0011]图5示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0012]图6示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0013]图7示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0014]图8示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面图。
[0015]贯穿附图和详细描述使用共同的参考标号来指示相同或相似的元件。根据以下结合附图作出的详细描述，本专利技术将更显而易见。
具体实施方式
[0016]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。在本公开中，在以下描述中对第一特征在第二特征之上或上的形成的参考可以包含第一特征与第二特征直接接触形成的实施例，并且还可以包含额外特征可以形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清晰，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0017]下文详细论述本公开的实施例。然而，应了解，本专利技术提供了可在多种多样的特定情境中实施的许多适用的概念。所论述的具体实施例仅仅是说明性的且并不限制本公开的范围。
[0018]图1示出根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1的横截面图。半导体装置封装1包含衬底10、在衬底10上的支撑结构11、12、16和17、天线13、电子组件14和电接点15。
[0019]衬底10具有表面101和与表面101相对的表面102。衬底10可以是例如印刷电路板，例如纸基铜箔层压板、复合铜箔层压板或聚合物浸渍玻璃纤维基铜箔层压板。衬底10可以包含互连结构，例如再分布层(RDL)。
[0020]衬底10包含分别在表面101和表面102上的导电层10a和10b。导电层10b被设置在表面102上的介电层10d覆盖。在一些实施例中，导电层10a是接地层。
[0021]支撑结构11设置在衬底10的表面101上。支撑结构11具有面对衬底10的表面101的表面112、背对衬底10的表面101的表面111以及在表面112与表面111之间延伸的表面(或侧壁)113。
[0022]如图1所示，表面112与衬底10的表面101接触。在一些实施例中，如图5所示，表面112可以与设置在衬底10的表面101上的导电层10a(或接地层)接触。
[0023]表面111与衬底10的表面101间隔开距离D1。
[0024]支撑结构16设置在支撑结构11的表面111上。支撑结构16具有与表面111接触的表面162、与表面162相对的表面161以及在表面162与表面161之间延伸的表面(或侧壁)163。
[0025]支撑结构11的宽度11w大于支撑结构16的宽度16w。在一些实施例中，支撑结构的宽度(例如宽度11w和16w)可以沿着基本平行于衬底10的表面101的方向测量。
[0026]表面163、表面111和表面113界定阶梯式结构。
[0027]在一些实施例中，可以观察到支撑结构11与16之间的界面。
[0028]与支撑结构11和16类似，支撑结构12设置在衬底10的表面101上。支撑结构12具有表面122、表面121以及在表面122与表面121之间延伸的表面(或侧壁)123。
[0029]表面121与衬底10的表面101间隔开距离D2。表面111和表面121相对于衬底10的表面101可以具有不同的高度。例如，距离D1和距离D2不同。例如，如图1所示，距离D1小于距离D2。在一些实施例中，距离D1可以大于距离D2。
[0030]支撑结构17设置在支撑结构12的表面121上。支撑结构17具有表面172、与表面172相对的表面171以及在表面172与表面171之间延伸的表面(或侧壁)173。
[0031]支撑结构12的宽度12w大于支撑结构17的宽度17w。
[0032]表面173、表面121和表面123界定阶梯式结构。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置封装，其包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一支撑结构，其设置在所述衬底的所述第一表面上，并且具有与所述衬底的所述第一表面间隔开第一距离的第一表面；第二支撑结构，其设置在所述衬底的所述第一表面上，并且具有与所述衬底的所述第一表面间隔开第二距离的第一表面，其中所述第二距离不同于所述第一距离；以及第一天线，其设置在所述衬底的所述第一表面上方，并且由所述第一支撑结构的所述第一表面和所述第二支撑结构的所述第一表面支撑。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一天线具有背对所述衬底的第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面；并且其中所述第一天线的所述第一表面和所述第二表面暴露于空气。3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一天线的所述第三表面和所述第一支撑结构的所述第一表面界定锐角。4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其进一步包括：粘合剂层，其在所述第一天线的所述第三表面与所述第一支撑结构之间。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括第三支撑结构，其设置在所述第一支撑结构上；以及第四支撑结构，其设置在所述第二支撑结构上；其中所述第三支撑结构的宽度小于所述第一支撑结构的宽度，并且所述第四支撑结构的宽度小于所述第二支撑结构的宽度。6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其进一步包括：第二天线，其设置在所述第三支撑结构和所述第四支撑结构上，其中所述第二天线平行于所述第一天线。7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一天线具有第一天线图案并且所述第二天线具有第二天线图案，并且其中所述第一天线的所述第一天线图案在垂直于所述第一天线的表面的方向上与所述第二天线的所述第二天线图案对准。8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一支撑结构和所述第二支撑结构包括焊球。9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：第五支撑结构，其设置在所述第一支撑结构与所述衬底之间；以及第六支撑结构，其设置在所述第二支撑结构与所述衬底之间，其中所述第五支撑结构的宽度大于所述第一支撑结构的宽度，并且所述第六支撑结构的宽度大于所述第二支撑结构的宽度。10.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其进一步包括：接地元件，其设置在所述第五支撑结构和所述第六支撑结构上，其中所述接地元件平行于所述第一天线。11.根据权利要求10所述的半导体装置封装，其进一步包括导电通孔，所述导电通孔设置在所述第五支撑结构内并且将所述接地元件电连接到所述衬底。12.根据权利要求10所述的半导体装置封装，其中所述接地元件包含孔洞，并且所述半
导体装置封装进一步包括导电元件，所述导电元件设置在所述衬底的所述第一表面上并穿过所述接地元件的要电连接到所述第一天线的...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖国成，丁一权，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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