射频识别装置与形成方法制造方法及图纸

射频识别嵌入物（ｉｎｌａｙ）包括芯片与天线之间的电气连接。该电气连接包括导电的插入件导线和电容性耦合。电容性连接可以通过置于天线与内插导线之间的电介质垫片（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　　ｐａｄ）使二者非常接近，以允许天线与插入件导线的电容性耦合。电容性耦合包括至少一个特征以降低至少一项以下影响：（１）插入件导线与天线的未对准（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ）；（２）电介质材料的厚度变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及射频识别(RFID)标签(Tag)与标志(label)领域，以及此类装置的具体配置与制造方法。
技术介绍
射频识别标签与标志结合了天线与模拟和/或数字电子器件，例如，可能包括通信电子器件，数据存储器和控制逻辑。射频识别标签与标志被广泛用于将物品与识别码联系起来。例如，射频识别标签可与汽车的安全锁结合使用，还可用于楼宇建筑物的出入控制以及用于追踪库存与包裹。一些射频识别标签与标志的例子出现在美国专利第6,107,920号，第6,206,292号，第6,262,692号中，所有这些专利作为参考文献并入本申请中。射频识别标签与标志包括含有电源的有源标签，和不含电源的无源标签和标志。对于无源标签，为从芯片取回信息，“基站”或者“读卡器”会向射频识别标签或者标志发射激励信号。激励信号为标签或者标志提供能量，并且射频识别电路将所存储的信息传回读卡器。读卡器对来自于射频识别标签的信息进行接收和解码。通常，射频识别标签可以保存和传输足够的信息用以唯一地识别个人、包裹、库存等等。对于信息只写一次(但是信息可以重复读出)和在使用时写入信息的应用，可以对射频识别标签与标志进行特性化。例如，射频识别标签与标志可以存储环境数据(可被相关的传感器检测到)，物流记录和状态数据等。Moore North America有限公司所持有的美国专利第6,451,154号公开了射频识别标志的制造方法，该专利作为参考文献整体并入本申请。美国专利第6,451,154号公开的方法使用了射频识别引入线的许多不同的源，每个引入线包含一个天线和一个芯片。多个网状物(web)匹配在一起，射频识别标志是从网状物中冲切下来的，以用来制造有底衬(liner)的射频识别标志。可选择地，无底衬的射频识别标志由复合网状物生产，复合网状物一面是释放(release)材料，另一面是压敏粘合剂，标志通过在网状物上穿孔来形成。可能还存在其他可选择的方法。Plettner持有的美国专利申请公布号第US2001/0053675中也公开了其他射频识别装置和射频识别标志的制造方法，该专利作为参考文献整体并入本申请。这些装置包含一个发射机应答器，-该发射机应答器包括拥有接触垫片或接触焊盘和至少两个耦合元件的芯片，耦合元件与接触垫片导通连接。耦合元件互不接触，并以自支撑以及自立方式形成，且与芯片平面基本平行延伸。发射机应答器的总安装高度基本上与芯片的安装高度相对应。耦合元件的尺寸和几何形状适于用作偶极子天线或与估值单元(evaluation unit)结合一同作为平板电容。比较典型的是，发射机应答器在晶片级别即被制作。耦合元件可与直接在晶片级的芯片的接触垫片接触，也就是说在从晶片提供的分组中提取出芯片之前。很多应用需要尽量减小电子器件的尺寸。为了在射频识别引入线中连接装有天线的微小芯片，众所周知，可以采用一种被称作“条带(Straps)”，“插入件或中介器”或者“承载件(Carrier)”的结构以便于嵌入物制造。插入件包含导线或者与芯片的接触垫片电耦合的垫片，以用于与天线耦合。这些垫片相较于没有插入件而直接布局的精确排列的集成电路，提供了更大的有效电接触面积。更大的接触面积降低了制造过程中对集成电路布局的准确性要求，同时提供了有效的电连接。集成电路的布局与安装严重制约了高速制造。现有技术公开了多种射频识别条带或者插入件结构，较典型的是使用承载插入件的接触垫片和导线的韧性衬底(flexible substrate)。Morgan Adhesives Company(“Morgan”)的欧洲专利申请第EP1039543 A2号中公开了现有技术中一种采用插入件的射频识别引入线的制造。此专利申请公开了一种采用插入件的集成电路芯片(IC)安装方法，该插入件跨越导电薄膜天线的两个薄导电薄膜部分之间的空隙连接。插入件包含一个拥有两个印刷的导电油墨垫片的薄衬底。据说，通过将集成电路安装在使用压敏导电性粘合剂而物理及电连接至天线部分的插入件上，此种方法适合于射频识别标签的大规模生产。压敏导电性粘合剂为插入件接触垫片和天线部分之间提供了直接的电连接。另一种使用插入件的现有的射频识别引入线制造类型基于一种将微电子元件制造成微小电子模块的技术，此方法来自加利福尼亚州的Morgan Hill的Alien Technology Corporation(“Alien”)。Alien开发了制造被称作“纳米块”(“NanoBlock”)的微小电子模块的技术，然后将微小电子模块沉积在下层衬底上的凹入部分中。为接受微小电子模块，平面衬底200(附图说明图1)被压印大量受体井(receptorwell)210。受体井210通常以某种图案形成于衬底之上。例如，在图1中，受体井210形成了一个根据需要可以只在衬底的预定义部分上延展或者延展至基本遍及整个衬底的宽度和长度的简单的矩阵图案。Alien在这项技术上拥有许多专利，包括美国专利第5,783,856号；第5,824,186号；第5,904,545号；第5,545,291号；第6,274,508号和第6,281,038号，所有这些专利作为参考文献并入本申请中。更多信息可以在Alien的2007年7月4日 申请日期2005年6月20日 优先权日2004年6月18日专利技术者S·W·弗格森, D·N·爱德华兹, P·刘, J·芒恩, I·J·福斯特, S·A·林德, T·C·威克利, D·J·普里斯顿, S·C·肯尼迪, C·U·党 申请人:艾利丹尼森公司 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频识别ＲＦＩＤ装置包括：衬底；所述衬底上的天线；插入件，其中所述插入件包括：其上有触点的射频识别芯片；和可操作地耦合至所述芯片的所述触点的插入件导线；和所述插入件导线与所述天线之间的容性耦合，它跨越所述插入物导线与所述天线之间的电介质材料；其中所述容性耦合包括至少一个特征以减小以下至少之一：（１）所述插入件导线与所述天线之间的未对准，和（２）所述电介质材料的厚度变化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：SW弗格森，DN爱德华兹，P刘，J芒恩，IJ福斯特，SA林德，TC威克利，DJ普里斯顿，SC肯尼迪，CU党，
申请(专利权)人：艾利丹尼森公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]