DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，以预设测试单元为单位对存储阵列进行遍历直至遍历完存储阵列的所有存储单元，预设测试单元包括存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据按照预设顺序对目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，实现了矩阵跳转访问，模拟了非连续访问的情况，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。从而提高产品良性。从而提高产品良性。

【技术实现步骤摘要】
DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备


[0001]本专利技术涉及DRAM芯片测试领域，尤其涉及一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM),是当代计算机系统不可或缺的组成部件，分平台可有应用于个人电脑或服务器的双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate，DDR)模组以及应用于嵌入式ARM架构的低功耗内存(Low Power Double Data Rate，LPDDR)芯片。
[0003]LPDDR的基本存储单元为cell，计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写。cell按照行列方式进行排列，所组成的阵列被称为bank(存储体或存储库)，每个LPDDR芯片均有多个bank，当前LPDDR4为8个，为示例方便，文中的图示以4个bank进行举例。
[0004]另外，由于当前DRAM为了高效的存取速率采用的是突发读写方式，即读写操作在一个存储阵列中是以突发长度(Burst Length,BL)为单位进行的，一次操作多位(如8位、16位或32位)列地址的读写，并对每个突发长度里访问由0和1组成的数据。例如定位的地址是0行，突发长度为8bit，那么在0行0列至0行7列这一段空间每一位写入1bit数据，共8bit，第二个突发长度由0行8列至15列，以此类推。当一行的存储位置全部写完时，内存控制器(Memory Controller，MC)定位下一行的地址，继续同样的操作。
[0005]不同的访问方式会对存储单元的状态产生一定的影响，一般情况下IC(Integrated Circuit，集成电路)是以顺序进行访问，即在某bank内进行连续的访问。但在内存的失效模型中，有部分故障使用非连续的访问更容易激发，比如耦合故障(Coupling Fault，CF)。所以，对于顺序访问的情况下，有些故障类型就无法覆盖到。

技术实现思路

[0006]本专利技术所要解决的技术问题是：提供了一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，能够提高测试DRAM时故障的覆盖率。
[0007]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：
[0008]一种DRAM测试方法，包括步骤：
[0009]对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
[0010]所述测试包括：
[0011]对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；
[0012]以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元，所述预设测试单元包括所述存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元；
[0013]对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
[0014]第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
[0015]根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。
[0016]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的另一种技术方案为：
[0017]一种DRAM测试装置，包括：
[0018]数据读写模块，用于对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
[0019]所述测试包括：
[0020]对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；
[0021]以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元，所述预设测试单元包括所述存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元；
[0022]对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
[0023]第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
[0024]测试模块，用于根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。
[0025]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的另一种技术方案为：
[0026]一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述DRAM测试方法中的各个步骤。
[0027]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的另一种技术方案为：
[0028]一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述DRAM测试方法中的各个步骤。
[0029]本专利技术的有益效果在于：
[0030]通过对待测试的DRAM进行两轮测试，以预设测试单元为单位对存储阵列进行遍历直至遍历完存储阵列的所有存储单元，预设测试单元包括存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元，对于遍历到的目标测试单元，基于预设测试数据按照预设顺序对目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，由于部分故障使用非连续的访问更容易激发，以预设测试单元为单位对存储阵列进行遍历直至遍历完存储阵列的所有存储单元，该预设测试单元包括存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元，再按照预设顺序对目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，实现了矩阵跳转访问，不再像现有技术中在某存储体中按照顺序进行连续的访问，模拟了非连续访问的情况，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。
附图说明
[0031]图1为本专利技术实施例的一种DRAM测试方法的步骤流程图；
[0032]图2为本专利技术实施例的一种DRAM测试装置的结构示意图；
[0033]图3为本专利技术实施例的一种电子设备的结构示意图；
[0034]图4为本专利技术实施例的DRAM测试方法中预设测试数据以及预设测试数据的反数示意图；
[0035]图5为本专利技术实施例的DRAM测试方法中的测试流程图；
[0036]图6为本专利技术实施例的DRAM测试方法中第一轮测试示意图；
[0037]图7为本专利技术实施例的DRAM测试方法中第一轮测试示意图；
[0038]图8为本专利技术实施例的DRAM测试方法中第二轮测试示意图；
[0039]图9为本专利技术实施例的DRAM测试方法中第二轮测试示意图；
[0040]图10为本专利技术实施例的DRAM测试方法中第二轮测试示意图。
具体实施方式
[0041]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤：对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；所述测试包括：对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元，所述预设测试单元包括所述存储阵列的每一存储体上同一位置对应的预设操作单元；对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。2.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述对所述待测试的DRAM的存储阵列写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括：以预设突发长度为单位从所述待测试的DRAM的存储阵列的每一预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；所述预设读写单元包括行或列。3.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述以预设测试单元为单位对所述存储阵列进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元包括：以预设测试单元为单位对所述存储阵列按照预设方向进行遍历直至遍历完所述存储阵列的所有存储单元。4.根据权利要求3所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述预设方向包括行方向或列方向；所述第一轮测试和所述第二轮测试的预设方向不同。5.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标测试单元的每一预设操作单元进行数据读写操作包括：基于所述预设测试数据按照所述目标测试单元中各个存储体的序号顺序对所述目标测试单元的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，雷泰，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：