【技术实现步骤摘要】
双倍速率同步动态随机存储器的测试方法、装置及设备
[0001]本专利技术涉及存储测试
,特别是涉及一种双倍速率同步动态随机存储器的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]双倍速率同步动态随机存储器(DDR,又名内存条)是服务器上用来存储临时数据、用作缓存的重要部件。近期,JEDEC协会正式公布了DDR5标准。作为DDR4的后继者,DDR5是下一代同步动态随机存取存储器(SDRAM)。DDR存储器可在单个时钟周期内发送和接收两次数据信号,并允许更快的传输速率和更高的容量。虽然DDR内存中的大多数开发都是适度的增量,重点是性能改进以满足服务器和个人计算机应用程序要求,但从DDR4到DDR5的跨越是一个更大的飞跃。在需要更多带宽的驱动下,DDR5存储器在强大的封装中带来了全新的架构。与DDR4存储器相比,改进的DDR5存储器的功能将使实际带宽提高36%,即使在3200MT/s(此声明必须进行测试)和4800MT/s速度开始,与DDR4
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3200相比,实际带宽将高出87%。与此同时 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双倍速率同步动态随机存储器的测试方法,其特征在于,包括:获取待测DDR5存储器的电源网络测试参数的测试值,将所述电源网络测试参数的测试值与对应的标准参数范围进行比较,根据比较结果得到所述待测DDR5存储器的电源网络稳定性测试结果;若所述电源网络稳定性测试结果为合格,则获取所述待测DDR5存储器的存储性能测试的测试值,并根据所述存储性能测试的测试值确定所述待测DDR5存储器的存储性能测试结果;若所述存储性能测试结果为合格,则确定所述待测DDR5存储器为允许正常使用的存储器;若所述存储性能测试结果为不合格,则确定所述待测DDR5存储器为允许降频使用的存储器;若所述电源稳定性测试结果为不合格,则确定所述待测DDR5存储器为无法使用的存储器。2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述电源网络测试参数具体包括:电源噪声参数、电源纹波参数、电源过冲参数、电源过流参数。3.根据权利要求1的测试方法,其特征在于,所述根据比较结果得到所述待测DDR5存储器的电源网络稳定性测试结果,具体包括:若各所述电源网络测试参数的测试值均在对应的标准参数范围内,则确定所述电源网络稳定性测试结果为合格;若存在超出对应的标准参数范围的所述电源网络测试参数的测试值,则确定所述电源网络稳定性测试结果为不合格。4.根据权利要求1的测试方法,其特征在于,所述根据比较结果得到所述待测DDR5存储器的电源网络稳定性测试结果,具体包括:若所述待测DDR5存储器的各电源网络类型下的所述电源网络测试参数的测试值的统计值在对应的标准参数范围内,则确定所述电源网络稳定性测试结果为合格;若存在所述统计值超出对应的标准参数范围的所述电源网络测试参数,则确定所述电源网络稳定性测试结果为不合格;其中,所述统计值的类型包括中位数、方差和平均值。5.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述存储性能测试的测试项目具体包括RMT测试、稳定性测试、性能测试和信息检查测试。6.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述根据所述存储性能测试的测试值确定所述待测DDR5存储器的存储性能测试结果,具体包括:对各测试项目的所述存储性...
【专利技术属性】
技术研发人员:李梅,
申请(专利权)人:山东英信计算机技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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