一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，包括坩埚、多孔石墨板、多孔石墨颗粒和底部石墨孔板，所述坩埚的内壁上设有环状的凸台，所述底部石墨孔板位于凸台的上端，所述底部石墨孔板上均匀设有导流孔，所述底部石墨孔板的上端铺有多孔石墨颗粒，所述多孔石墨颗粒的上端盖有多孔石墨板。通过底部石墨孔板先将气氛均匀化，气流通过中间层的多孔石墨颗粒时，气氛再次被均匀化，最后到达多孔石墨板时，进一步均化透过多孔石墨板的气流，通过3次气氛的均匀化处理，在提升过滤效果的同时，极大的避免了气氛不均匀造成的过滤差异等问题，更有助于降低晶体中的包裹物。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件
本技术涉及碳化硅长晶过滤
，具体为一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件。
技术介绍
碳化硅晶体生长过程中存在晶体缺陷及包裹物，这些都会直接影响晶体的利用率，其中多孔石墨的应用，在去除包裹物方面起到至关重要的作用，由于多孔石墨的特殊结构性，其透过性、孔径等参数的合理选择及应用设计在行业内存在差异，各厂家也是在寻求适合自己的更合理的设计，但目前的设计还是存在单一性及惯性思维。目前，市场上多孔石墨板的应用方式存在各种弊端，由于气流的不稳定性及各位置包裹物浓度的差异，导致多孔石墨板的过滤不均匀，只是在晶体的局部位置有明显改善，或者在长晶很慢的情况下有明显的改善，在提升长晶速度及充分过滤包裹物方面还是存在待提升的空间。
技术实现思路
本技术就是针对现有技术存在的上述不足，提供一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，通过3次气氛的均匀化处理，在提升过滤效果的同时，极大的避免了气氛不均匀造成的过滤差异等问题，更有助于降低晶体中的包裹物。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，包括坩埚、多孔石墨板、多孔石墨颗粒和底部石墨孔板，所述坩埚的内壁上设有环状的凸台，所述底部石墨孔板位于凸台的上端，所述底部石墨孔板上均匀设有导流孔，所述底部石墨孔板的上端铺有多孔石墨颗粒，所述多孔石墨颗粒的上端盖有多孔石墨板。优选的，所述导流孔以底部石墨孔板的中心向四周倾斜。优选的，所述导流孔的角度为70°-80°。优选的，所述多孔石墨板的边缘处的厚度小于中间的厚度。优选的，所述多孔石墨板的厚度为2mm-5mm。优选的，所述底部石墨孔板的厚度为5-10mm。优选的，所述底部石墨孔板的上端边缘处设有支撑环，所述多孔石墨板位于支撑环的上端。优选的，所述底部石墨孔板与多孔石墨板之间的间距为5mm-10mm。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1、本技术通过底部石墨孔板先将气氛均匀化，气流通过中间层的多孔石墨颗粒时，气氛再次被均匀化，最后到达多孔石墨板时，进一步均化透过多孔石墨板的气流，通过3次气氛的均匀化处理，在提升过滤效果的同时，极大的避免了气氛不均匀造成的过滤差异等问题，更有助于降低晶体中的包裹物。2、本技术导流孔倾斜设置，多孔石墨板的边缘处的厚度小于中间的厚度，从而提高边缘的透过速率，起到均匀气流的作用，减小了中部气流速度高于四周边缘气流速度的影响。3、本技术在底部石墨孔板的上端边缘处设有支撑环，多孔石墨板位于支撑环的上端，能够保证多孔石墨板放置时的平整，同时确保四周的密闭性，提高过滤效果。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为图1的A处放大图；图3为多孔石墨板的结构示意图；图4为底部石墨孔板的结构示意图。图中：1-坩埚；101-凸台；2-多孔石墨板；3-多孔石墨颗粒；4-底部石墨孔板；401-支撑环；402-导流孔。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1-4所示，一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，包括坩埚1、多孔石墨板2、多孔石墨颗粒3和底部石墨孔板4，坩埚1的内壁上设有环状的凸台101，底部石墨孔板4位于凸台101的上端，底部石墨孔板4上均匀设有导流孔402，底部石墨孔板4的上端铺有多孔石墨颗粒3，其中多孔石墨颗粒3的形状不限，可以采用球状、柱状等形状，多孔石墨颗粒3的上端盖有多孔石墨板2。由于在坩埚1中热场的涡流原因，导致坩埚1中部气流速度大于四周的气流速度，为了保证气流过滤的均匀性，导流孔402以底部石墨孔板4的中心向四周倾斜，导流孔402的角度为70°-80°，在本实施例中，导流孔402的角度为80°，使得气流倾斜向外吹向多孔石墨板2，多孔石墨板2的边缘处的厚度小于中间的厚度，这样可以使得气流穿过多孔石墨板2边缘的行程小于穿过多孔石墨板2中间的行程，从而起到均流的作用。在本实施例中，多孔石墨板2的厚度为2mm-5mm，底部石墨孔板4的厚度为5-10mm，底部石墨孔板4与多孔石墨板2之间的间距为5mm-10mm，在本实施例中，多孔石墨板2的边缘处为2mm，中部位置为5mm，底部石墨孔板4的厚度为5mm，底部石墨孔板4与多孔石墨板2之间的间距为5mm，多孔石墨颗粒3的粒径在3mm以内，其中，导流孔402的直径小于多孔石墨颗粒3的粒径，放置掉落，多孔石墨颗粒3均匀铺设，且铺设两层。如图2所示，在底部石墨孔板4的上端边缘处设有支撑环401，多孔石墨板2位于支撑环401的上端，这样使得多弄石墨板的底部与支撑环401能够密切接触，确保过滤效果。底部石墨孔板4先将气氛均匀化，气流通过中间层的多孔石墨颗粒3时，气氛再次被均匀化，最后到达多孔石墨板2时，由于多孔石墨板2边缘厚度低于中间厚度，增强了边缘的透过性，进一步均化透过多孔石墨板2的气流，本方案增加了3次的气氛均匀化处理，在提升过滤效果的同时，极大的避免了气氛不均匀造成的过滤差异等问题，更有助于降低晶体中的包裹物。显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，其特征在于：包括坩埚、多孔石墨板、多孔石墨颗粒和底部石墨孔板，所述坩埚的内壁上设有环状的凸台，所述底部石墨孔板位于凸台的上端，所述底部石墨孔板上均匀设有导流孔，所述底部石墨孔板的上端铺有多孔石墨颗粒，所述多孔石墨颗粒的上端盖有多孔石墨板。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，其特征在于：包括坩埚、多孔石墨板、多孔石墨颗粒和底部石墨孔板，所述坩埚的内壁上设有环状的凸台，所述底部石墨孔板位于凸台的上端，所述底部石墨孔板上均匀设有导流孔，所述底部石墨孔板的上端铺有多孔石墨颗粒，所述多孔石墨颗粒的上端盖有多孔石墨板。


2.如权利要求1所述的一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，其特征在于：所述导流孔以底部石墨孔板的中心向四周倾斜。


3.如权利要求2所述的一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，其特征在于：所述导流孔的角度为70°-80°。


4.如权利要求1所述的一种用于碳化硅长晶热场的气流过滤组件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春良，
申请(专利权)人：山东众弘新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37