一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，包括坩埚本体、导流筒、石墨环和坩埚盖，所述坩埚本体内的底部设有导流筒，所述坩埚本体的上端螺纹连有石墨环，所述石墨环的上端螺纹连有坩埚盖。通过导流筒可以避免四周气流直接向上，使得底部温度场更加均匀，升华速度更加均匀平稳，这样可以减少碳包裹物，降低粉尘数量，提高了长晶质量；石墨环与坩埚本体、坩埚盖之间均采用螺纹配合，连接更加可靠，从而解决了原来只是单纯接触配合时，由于反复拆装磨损导致连接缝隙增大的问题，提高了坩埚的使用寿命，防止了外界杂质进入坩埚，保证了产品质量，也阻止了坩埚内部碳化硅的外散，避免外部保温毡的腐蚀，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚


[0001]本技术涉及碳化硅长晶
，具体为一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚。

技术介绍

[0002]碳化硅晶体生长过程中料源及长晶环境均在石墨坩埚内，石墨坩埚的结构设计及相应材质的选择会直接影响坩埚的使用寿命及晶体的质量。
[0003]目前，坩埚在使用过程中，坩埚与石墨环、坩埚与坩埚盖之间的配合存在易腐蚀的问题，导致坩埚使用寿命降低，同时配合处出现腐蚀容易导致外部杂质进入坩埚影响晶体质量，坩埚内部的碳化硅与硅向外扩散腐蚀外部的保温毡，而保温毡成本较高，提高了生产成本；同时坩埚底部四周温度较高，使得内部的料源四周升华优先，导致局部碳微粒及气流不均匀，从而影响了产品质量。

技术实现思路

[0004]本技术就是针对现有技术存在的上述不足，提供一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，通过导流筒使得底部温度场更加均匀，降低粉尘数量，提高了长晶质量；石墨环与坩埚本体、坩埚盖之间均采用螺纹配合，解决了原来只是单纯接触配合时，由于反复拆装磨损导致连接缝隙增大的问题，提高了坩埚的使用寿命，降低了生产成本。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，包括坩埚本体、导流筒、石墨环和坩埚盖，所述坩埚本体内的底部设有导流筒，所述坩埚本体的上端螺纹连有石墨环，所述石墨环的上端螺纹连有坩埚盖。
[0007]优选的，所述导流筒的直径由下往上逐渐缩小，导流筒的下端与坩埚本体的内壁连接。
[0008]优选的，所述导流筒的上端边缘处设有与坩埚本体的内壁连接的支撑环。
[0009]优选的，所述坩埚本体的上端设有连接环，所述石墨环的内壁上设有与连接环配合的下连接槽，所述下连接槽的内壁与连接环的外壁螺纹配合，石墨环的下端压在坩埚本体的上端。
[0010]优选的，所述坩埚盖的边缘处设有挡沿，所述石墨环的内壁上设有与坩埚盖螺纹配合的上连接槽，所述挡沿压在石墨环的上端。
[0011]优选的，所述石墨环的外侧套有防护环，所述防护环与石墨环为一体结构，所述防护环的上端套在挡沿的外部，防护环的下端套在坩埚本体的外部。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0013]1、本技术通过导流筒可以避免四周气流直接向上，使得底部温度场更加均匀，升华速度更加均匀平稳，这样可以减少碳包裹物，降低粉尘数量，提高了长晶质量；石墨环与坩埚本体、坩埚盖之间均采用螺纹配合，连接更加可靠，从而解决了原来只是单纯接触
配合时，由于反复拆装磨损导致连接缝隙增大的问题，从而提高了密封效果，提高了坩埚的使用寿命，防止了外界杂质进入坩埚，保证了产品质量，也阻止了坩埚内部碳化硅的外散，避免外部保温毡的腐蚀，降低了生产成本。
[0014]2、本技术在导流筒的上端边缘处设有与坩埚本体的内壁连接的支撑环，从而对导流筒的上端进行限位固定，防止导流筒晃动，确保使用的可靠性。
[0015]3、本技术在石墨环的外部设置防护环，能够阻挡感应电流对螺纹的直接腐蚀，从而保护了连接处的螺纹，提高了使用寿命，降低了制造成本，也提高了密封效果，保证了产品质量。
附图说明
[0016]图1为本技术的剖视图；
[0017]图2为坩埚本体的结构示意图；
[0018]图3为导流筒的结构示意图；
[0019]图4为石墨环的结构示意图；
[0020]图5为坩埚盖的结构示意图。
[0021]图中：1
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坩埚本体；101
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连接环；2
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导流筒；201
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支撑环；3
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石墨环；301
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防护环；302
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下连接槽；303
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上连接槽；4
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坩埚盖；401
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挡沿。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]如图1所示，一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，包括坩埚本体1、导流筒2、石墨环3和坩埚盖4，坩埚本体1内的底部设有导流筒2，能够对上升气流进行导流，确保气流的均匀性，坩埚本体1的上端螺纹连有石墨环3，石墨环3的上端螺纹连有坩埚盖4，石墨环3与坩埚本体1、坩埚盖4之间均采用螺纹配合，连接更加可靠，从而解决了原来只是单纯接触配合时，由于反复拆装磨损导致连接缝隙增大的问题，从而提高了密封效果，提高了坩埚的使用寿命，防止了外界杂质进入坩埚，保证了产品质量，也阻止了坩埚内部碳化硅的外散，避免外部保温毡的腐蚀，降低了生产成本。
[0024]其中，如图3所示，导流筒2的直径由下往上逐渐缩小，导流筒2的下端与坩埚本体1的内壁连接，由于坩埚本体1底部四周的问题较高，使得四周升华速度比中部快，通过导流筒2可以避免四周气流直接向上，使得底部温度场更加均匀，升华速度更加均匀平稳，这样可以减少碳包裹物，降低粉尘数量，提高了长晶质量。
[0025]为了保证导流筒2固定的可靠性，如图2所示，在导流筒2的上端边缘处设有与坩埚本体1的内壁连接的支撑环201，从而对导流筒2的上端进行限位固定，防止导流筒2晃动。
[0026]为了进一步提高密封性，如图1、4
‑
5所示，在本实施例中采用的具体结构为：
[0027]在坩埚本体1的上端设有连接环101，石墨环3的内壁上设有与连接环101配合的下连接槽302，下连接槽302的内壁与连接环101的外壁螺纹配合，石墨环3的下端压在坩埚本
体1的上端。
[0028]坩埚盖4的边缘处设有挡沿401，石墨环3的内壁上设有与坩埚盖4螺纹配合的上连接槽303，挡沿401压在石墨环3的上端。
[0029]石墨环3的外侧套有防护环301，防护环301与石墨环3为一体结构，防护环301的上端套在挡沿401的外部，防护环301的下端套在坩埚本体1的外部。
[0030]通过上述连接结构，使得石墨环3与坩埚本体1之间采用螺纹连接，螺纹的内侧设置一个水平接触面，螺纹的外侧设置一个水平接触面，水平接触面的外侧设有一个竖向接触面；石墨环3与坩埚盖4之间采用螺纹连接，螺纹的外侧设置一个水平接触面一个竖直接触面，由于坩埚在使用过程中感应电流大多分布在坩埚的外侧壁上，通过上述结构能够阻挡感应电流对螺纹的直接腐蚀，从而保护了连接螺纹，提高了使用寿命，降低了制造成本，保证了产品质量。
[0031]显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，其特征在于：包括坩埚本体、导流筒、石墨环和坩埚盖，所述坩埚本体内的底部设有导流筒，所述坩埚本体的上端螺纹连有石墨环，所述石墨环的上端螺纹连有坩埚盖。2.如权利要求1所述的一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，其特征在于：所述导流筒的直径由下往上逐渐缩小，导流筒的下端与坩埚本体的内壁连接。3.如权利要求2所述的一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，其特征在于：所述导流筒的上端边缘处设有与坩埚本体的内壁连接的支撑环。4.如权利要求1所述的一种用于碳化硅长晶热场的石墨坩埚，其特征在于：所述坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春良，吕雷英，
申请(专利权)人：山东众弘新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：