基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置，包括：底部设置有若干个螺纹孔的石墨坩埚；若干个螺杆，固定于螺纹孔中，螺杆的第一端伸入石墨坩埚中，第二端伸出石墨坩埚外；若干个下部探针，固定于若干个螺杆的第一端；若干个电源，其一端分别接于若干个螺杆的第二端。基于该坩埚装置，通过在碳化硅的结晶界面处施加直流电流或电压，并实时调整该直流电流的大小和/或方向，来达到精确控制碳化硅晶体尺寸的目的，基于本坩埚装置制备的碳化硅晶体对尺寸的控制更加精确，工艺程序更加简便；另外，坩埚装置中恒向磁场装置的设置，使在整个晶体结晶生长过程中，进一步减轻了杂质的影响，提高了碳化硅晶体的整体品质。质。质。

【技术实现步骤摘要】
基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置


[0001]本技术涉及晶体生长
，特别是涉及一种基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置。

技术介绍

[0002]碳化硅作为第三代半导体材料，相比于传统的半导体，其具有禁带宽度大、电子迁移速率大、击穿电压高和热导率高等优点。这些优点使其可以在高温、高压、高频等严苛条件下持续工作，特别在航空航天、大功率电子器件等领域有着不可替代的作用。
[0003]碳化硅的制备方法目前主要有三种，分别是物理气相传输法(简称PVT生长法)、化学气相沉积法和液相外延法(简称LPE生长法)。其中，液相外延法制备的碳化硅晶体一般不会产生微管缺陷，而且位错密度低，电子迁移率较高，晶体的质量好，且在P型晶体制备方面具有突出优势，因此采用该方法制备碳化硅晶体具备重大应用前景。
[0004]在碳化硅晶体生长过程中，传统PVT生长法，或者LPE生长法，其无法监测和控制晶体生长情况，一般都是在正式工艺开始前进行一个初步试温，获得一个初步的生长信息，并根据检测结果对加热电源的功率进行调整，通过改变炉体内的温度分布，来达到控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置，其特征在于，所述坩埚装置包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚的底部设置有若干个螺纹孔；若干个螺杆，固定于若干个所述螺纹孔中，所述螺杆的第一端伸入所述石墨坩埚中，所述螺杆的第二端伸出所述石墨坩埚外；若干个下部探针，固定于若干个所述螺杆的第一端；若干个电源，若干个所述电源的一端分别接于若干个所述螺杆的第二端，以通过若干个所述电源分别调整若干个所述下部探针的电流大小和/或电流方向。2.根据权利要求1所述的坩埚装置，其特征在于：所述坩埚装置还包括籽晶托及若干个上部探针；若干个所述上部探针分别与若干个所述下部探针一一对应设置；所述籽晶托的下表面固定定向籽晶，所述籽晶托的上表面设置有若干个贯通孔；若干个所述上部探针的一端分别插入若干个所述贯通孔中，与所述定向籽晶接触；若干个所述上部探针的另一端分别接于若干个所述电源的另一端，相应的上部探针与下部探针之间构成若干组探针组，以在碳化硅晶体生长过程中，通过若干个该探针组形成电流回路。3.根据权利要求1或2所述的坩埚装置，其特征在于：相邻两个所述下部探针之间的距离介于2mm～10mm之间。4.根据权利要求2所述的坩埚装置，其特征在于：将所述定向籽晶划分为两个以上子区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛卫明，马远，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：