一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法，所述装置包括：第一生长组件，容纳有第一坩埚，所述第一坩埚用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二生长组件，容纳有第二坩埚，所述第二坩埚内设有盛放原料碳的空间；石墨管组件，所述第一坩埚和所述第二坩埚通过所述石墨管组件连接形成通路，硅溶液和所述碳经所述通路在所述第一坩埚和所述第二坩埚中流动扩散，并在所述第一坩埚内形成所述碳在所述硅溶液中的过饱和溶液，以液相生长得到所述碳化硅单晶。根据本发明专利技术可以有效地解决碳在溶硅溶液中溶解度过低，晶体无法长大的问题，而且有效地改善了碳化硅单晶的位错缺陷。错缺陷。错缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法


[0001]本专利技术涉及到一种碳化硅单晶的制造装置，特别涉及一种碳化硅单晶的液相生长用装置及液相生长方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)单晶是最重要的第三代半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。目前市场上的4H
‑
SiC单晶基板受困于各种位错缺陷，总的来说，缺陷密度范围在每平方厘米数千到10000个之间。这些缺陷使得器件的产量下降，同时影响了SiC功率器件的大规模应用。
[0003]然而这些位错在目前普遍使用的PVT法生长的SiC单晶中，难以得到良好的控制，转而寻求通过液相法来生长低位错密度的SiC单晶。而使用液相法生长碳化硅单晶面临的问题是，难以在常压下通过高温来获得SiC的溶液，同时由于C在Si溶液的低溶解度问题，使得我们难以在较低的温度下像生长单晶硅一样从溶液中生长SiC单晶。
[0004]虽然也有相关文献及报道表明，将SiC溶解到含铬或钛的溶剂中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶的液相生长装置，其特征在于，所述装置包括：第一生长组件，容纳有第一坩埚，所述第一坩埚用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二生长组件，容纳有第二坩埚，所述第二坩埚内设有盛放原料碳的空间；石墨管组件，所述第一坩埚和所述第二坩埚通过所述石墨管组件连接形成通路，硅溶液和所述碳经所述通路在所述第一坩埚和所述第二坩埚中流动扩散，并在所述第一坩埚内形成所述碳在所述硅溶液中的过饱和溶液，以液相生长得到所述碳化硅单晶。2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的液相生长装置，其特征在于，所述石墨管组件包括：第一石墨管，连接于所述第一坩埚和所述第二坩埚；第二石墨管，连接于所述第一坩埚和所述第二坩埚，并位于所述第一石墨管的上方；所述第一坩埚和所述第二坩埚之间通过所述第一石墨管和所述第二石墨管连接形成循环通路。3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶的液相生长装置，其特征在于，所述装置还包括：加热组件，连接于所述石墨管组件，以加热所述石墨管组件。4.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的液相生长装置，其特征在于，所述第二坩埚的顶部与所述第一坩埚的顶部持平，所述第二坩埚的底部相对于所述第一坩埚的底部向下延伸。5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的液相生长装置，其特征在于，所述第一生长组件还包括：生长炉体，所述第一坩埚位于所述生长炉体内；热控制单元，位于所述生长炉体和所述第一坩埚之间，以加热所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马远，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：