【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法
[0001]本专利技术涉及一种碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。
技术介绍
[0002]碳化硅(SiC)是具有2.2eV至3.3eV的宽能带隙的半导体，由于其优异的物理化学特性，作为半导体材料的研究与开发正在进行。
[0003]作为碳化硅单晶的制备方法，有液相外延法(Liquid Phase Epitaxy，LPE)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相传输法(Physical Vapor Transport，PVT)等。其中，在物理气相传输法中，将碳化硅原料放入坩埚内部，将由碳化硅单晶形成的籽晶放置在坩埚上端，然后通过感应加热方式加热坩埚以升华原料，从而在籽晶上生长碳化硅单晶。物理气相传输法由于具有高生长率，可以制备晶锭形式的碳化硅，因此最广泛使用。但是，根据坩埚的特性、工序条件等，电流密度变化，并且坩埚内部的温度分布也变化，从而可能难以确保碳化硅的生长再现性。
[0004]作为这些碳化硅的制备方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶锭，其特征在于，包括：本体部，包括本体部一截面和与所述本体部一截面对置的本体部另一截面，以及突出部，位于所述本体部另一截面上，并且具有基于所述本体部另一截面弯曲的表面；所述本体部另一截面包括一端点和另一端点，所述一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点，所述另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点，所述一端点、所述突出部的最高点和所述另一端点位于与所述本体部一截面垂直的同一平面上，作为所述同一平面与所述突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示：数学式13D≤r≤37D在所述数学式1中，所述r是所述弧的曲率半径，所述D是所述同一平面与所述本体部一截面的交线长度。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭，其特征在于，所述本体部的一端与碳化硅籽晶连接。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭，其特征在于，所述本体部是具有垂直于所述本体部一截面并且经过所述本体部一截面的中心的轴的桶形状，就所述桶形状而言，沿着所述轴从所述本体部一截面到所述本体部另一截面的方向，本体部截面的面积相同或增加。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭，其特征在于，所述碳化硅晶锭表面的凹坑缺陷密度是10,000/cm2以下。5.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭，其特征在于，所述碳化硅晶锭具有4H-SiC晶体结构，相对于(0001)面的偏角是从0至10度中选择的角度的所述碳化硅晶锭的晶片，具有基于基准角的-1.5度至+1.5度的摇摆角。6.根据权利要求5所述的碳化硅晶锭，其特征在于，相对于所述碳化硅晶锭的(0001)面的偏角是8度的所述碳化硅晶锭的晶片，具有基于基准角的-1.5度至+1.5度的摇摆角。7.根据权利要求5所述的碳化硅晶锭，其特征在于，相对于所述碳化硅晶锭的(0001)面的偏角是4度的所述碳化硅晶锭的晶片，具有基于基准角的-1.5度至+1.5度的摇摆角。8.根据权利要求5所述的碳化硅晶锭，其特征在于，相对于所述碳化硅晶锭的(0001)面的偏角是0度的所述碳化硅晶锭的晶片，具有基于基准角的-1.0度至+1.0度的摇摆角。9.根据权利要求1所述的碳化硅晶锭，其特征在于，所述本体部一截面的直径为4英寸以上。10.一种碳化硅晶锭，其特征在于，包括：
本体部，包括本体部一截面和与所述本体部一截面对置的本体部另一截面，以及突出部，位于所述本体部另一截面上，并且具有基于所述本体部另一截面弯曲的表面；并且具有：第一基准线，垂直于所述本体部一截面，并且经过所述本体部一截面的中心，第二基准线，平行于所述第一基准线，并且与距离所述第一基准线的垂直距离最远的所述突出部的边缘接触，第三基准线，平行于所述本体部一截面，并且经过所述边缘与所述第二基准线的接触点，以及第四基准线，经过所述边缘与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟辉，甄明玉，沈钟珉，张炳圭，崔正宇，高上基，具甲烈，金政圭，
申请(专利权)人：SKC株式会社，
类型：发明
国别省市：
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