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本发明公开了一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法，所述装置包括：第一生长组件，容纳有第一坩埚，所述第一坩埚用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二生长组件，容纳有第二坩埚，所述第二坩埚内设有盛放原料碳的空间；石墨管组件，所述第一坩埚...
该专利属于中电化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电化合物半导体有限公司授权不得商用。

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