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本实用新型提供一种基于液相外延法生长碳化硅晶体的坩埚装置，包括：底部设置有若干个螺纹孔的石墨坩埚；若干个螺杆，固定于螺纹孔中，螺杆的第一端伸入石墨坩埚中，第二端伸出石墨坩埚外；若干个下部探针，固定于若干个螺杆的第一端；若干个电源，其一端分别...
该专利属于中电化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电化合物半导体有限公司授权不得商用。

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