均匀薄膜沉积的方法和设备技术

本发明专利技术公开了一种均匀薄膜沉积的设备，包括沉积腔体，沉积腔体内设置有溅射靶材、靶支架和基片台，基片台上设置有晶圆放置区，还包括连接至沉积腔体内的工艺气体分配系统，工艺气体分配系统包括多个工艺气体引导通道，多个工艺气体引导通道伸入沉积腔体内的一端位于晶圆放置区的外侧周围，能够将工艺气体导入沉积腔体内，所述每个工艺气体引导通道均独立连接有质量流量控制器，本发明专利技术具有多位置独立引进工艺工艺气体，通过调整不同位置的工艺气体流量，从而克服沉积腔体内真空设计不对称的问题，进而形成均匀的气流分布，并提高薄膜沉积的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
均匀薄膜沉积的方法和设备
本专利技术涉及磁控溅射沉积薄膜，特别的，本专利技术涉及一种多位置独立引进工艺工艺气体的方法和设备，通过及时、原位调整不同位置的工艺气体流量，形成腔体内均匀的气流分布，并提高薄膜沉积的均匀性。
技术介绍
磁控溅射是物理气相沉积的一种。它是利用等离子轰击靶材，使靶材粒子脱落，沉积于基片表面形成薄膜的技术。通常，将磁控管置于靶材之后，其产生的磁场可以控制电子、离子在靶材表面的运动区域，从而提高工艺工艺气体如Ar气的在此区域的离化率，提高靶材表面等离子体浓度，进而提高薄膜沉积速率。磁控溅射技术广泛应用于半导体及微电子器件制造领域，为最常用的薄膜沉积方法。图1为典型的磁控溅射设备的示意图。该设备主要包括工艺腔体，其中有基片台、基片台上载有基片、工艺工艺气体入口、靶材等。工艺腔体连接真空泵，由真空泵抽至真空；靶材连接至外部电源，电源使靶材表面产生负电场，使工艺工艺气体离子化，并使之在电场作用下，撞击靶材，使靶材粒子溅出。为了达到沉积薄膜的均匀性，需要工艺工艺气体在腔体内极其均匀的分布。通常，在腔体的一个位置引入工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种均匀薄膜沉积的设备，包括沉积腔体，沉积腔体内设置有溅射靶材、靶支架和基片台，基片台上设置有晶圆放置区，其特征在于：还包括连接至沉积腔体内的工艺气体分配系统，工艺气体分配系统包括多个工艺气体引导通道，多个工艺气体引导通道伸入沉积腔体内的一端位于晶圆放置区的外侧周围，能够将工艺气体导入沉积腔体内，所述每个工艺气体引导通道均独立连接有质量流量控制器。/n

【技术特征摘要】
1.一种均匀薄膜沉积的设备，包括沉积腔体，沉积腔体内设置有溅射靶材、靶支架和基片台，基片台上设置有晶圆放置区，其特征在于：还包括连接至沉积腔体内的工艺气体分配系统，工艺气体分配系统包括多个工艺气体引导通道，多个工艺气体引导通道伸入沉积腔体内的一端位于晶圆放置区的外侧周围，能够将工艺气体导入沉积腔体内，所述每个工艺气体引导通道均独立连接有质量流量控制器。


2.根据权利要求1所述的均匀薄膜沉积的设备，其特征在于：所述工艺气体引导通道的纵向方向平行于基片台的径向方向。


3.根据权利要求1所述的均匀薄膜沉积的设备，其特征在于：所述工艺气体引导通道的纵向方向垂直于基片台的径向方向，与基片台的表面垂直。


4.根据权利要求2或3所述的均匀薄膜沉积的设备，其特征在于：所述工艺气体引导通道设置有四个。


5.根据权利要求4所述的均匀薄膜沉积的设备，其特征在于：所述四个工艺气体引导通道至晶圆放置区的中心距离相同...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐云俊，王昱翔，周虹玲，周东修，
申请(专利权)人：浙江艾微普科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33