本技术公开了一种多区域气体通道系统及反应离子刻蚀设备，包括多个独立的气体通道区域，多个气体通道区域包括圆形通道区和若干依次包围圆形通道区的环形通道区，所述圆形通道区和若干环形通道区均设置有进气口和若干出气口，每个区域的进气口和出气口间距...

本发明公开了一种高黏稠度流体管道系统的高效清洗控制方法，包括人机交互窗口、控制器和管道加热模块，所述管道加热模块安装于流体输送管道外壁上，所述控制器分别连接人机交互窗口和管道加热模块，所述人机交互窗口用于显示信息和输入控制操作，同时该高...

本发明公开了一种多区域气体通道系统及离子刻蚀设备，包括多个独立的气体通道区域，多个气体通道区域包括圆形通道区和若干依次包围圆形通道区的环形通道区，所述圆形通道区和若干环形通道区均设置有进气口和若干出气口，每个区域的进气口和出气口间距相同...

本实用新型公开了一种磁控晶圆传输机构，包括真空腔体和外部驱动装置；所述真空腔体内设置有内水平导轨，内水平导轨上设置有第一滑块，第一滑块上设置有晶圆托盘，所述第一滑块上设置有第一磁铁，内水平导轨与真空腔体竖直方向移动连接，所述内水平导轨上...

本实用新型公开了一种含有液体供给系统的镀膜设备，包括供给系统和真空蒸镀机，所述供给系统包括：储液瓶，其用于存储液体原料，储液瓶内部密封，在储液瓶的顶部具有进气管和出液管，进气管连接高压气源，所述进气管高于液体原料的液面，出液管淹没于液体...

本实用新型公开了一种离子源栅网，所述栅网包括若干等分区域，所述若干等分区域由栅网的圆心为起点，每个等分区域自圆心形成的扇形角度为(360/n)

本发明公开了一种磁控晶圆传输机构，包括真空腔体和外部驱动装置；所述真空腔体内设置有内水平导轨，内水平导轨上设置有第一滑块，第一滑块上设置有晶圆托盘，所述第一滑块上设置有第一磁铁，内水平导轨与真空腔体竖直方向移动连接，所述内水平导轨上设置...

本发明公开了一种含有液体供给系统的镀膜设备，包括供给系统和真空蒸镀机，所述供给系统包括：储液瓶，其用于存储液体原料，储液瓶内部密封，在储液瓶的顶部具有进气管和出液管，进气管连接高压气源，所述进气管高于液体原料的液面，出液管淹没于液体原料...

本实用新型公开了一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁，包括帽部和杆部，所述杆部的一端与帽部固定连接，所述杆部的侧面设置有槽口，所述杆部连接于帽部上偏离帽部中心的位置，所述槽口的宽度等于栅网的金属片的厚度，所述杆部上具有多个槽口，多个槽口沿杆部的...

本发明公开了一种离子源栅网，所述栅网包括若干等分区域，所述若干等分区域由栅网的圆心为起点，每个等分区域自圆心形成的扇形角度为(360/n)

本实用新型公开了一种多腔体PVD

本实用新型公开了一种离子辅助的多靶磁控溅射设备，包括上载腔体、输运腔体和工艺腔体，输运腔体内设置有机械手，所述工艺腔体内设置有晶圆台、至少一个离子源装置和至少两个磁控管装置，所述晶圆台位于下方，离子源装置和磁控管装置位于上方，且离子源装...

本实用新型公开了一种沉积均匀的磁控管，包括外磁极磁铁和内磁极磁铁，且外磁极磁铁和内磁极磁铁磁极性相反，外磁极磁铁和内磁极磁铁构成闭合环，此闭合环形成等离子体轨道，所述等离子体轨道接近或通过靶材中心，且其旋转扫过除靶材边缘外的大部分靶材表...

本发明公开了一种具有高磁阻变化率的各向异性磁阻薄膜的制备方法，包括如下步骤：上载晶圆，将晶圆送入上载腔室内；预刻蚀，将晶圆送入刻蚀腔体内进行刻蚀；沉积NiFeCr缓冲层，将晶圆转移至薄膜沉积腔体B内使NiFeCr沉积在晶圆表面；沉积Ni

本发明公开了一种可调控薄层电阻率的氮化钽薄膜的制备方法，包括如下步骤，S1：建立不同溅射条件下的迟滞回线，确立工艺条件，S2：建立不同溅射条件下的薄层电阻率；根据步骤S1中确立的反应溅射氮化钽的氮气流量，编制一系列氮气流量与之细微变化之...

本发明公开了一种多腔体PVD

本发明公开了一种调节离子刻蚀均匀性的孔丁，包括帽部和杆部，所述杆部的一端与帽部固定连接，所述杆部的侧面设置有槽口，所述杆部连接于帽部上偏离帽部中心的位置，所述槽口的宽度等于栅网的金属片的厚度，所述杆部上具有多个槽口，多个槽口沿杆部的长度...

本发明公开了一种沉积均匀的磁控管，包括外磁极磁铁和内磁极磁铁，且外磁极磁铁和内磁极磁铁磁极性相反，外磁极磁铁和内磁极磁铁构成闭合环，此闭合环形成等离子体轨道，所述等离子体轨道中心线的长度L分布随靶材中心距离(x)的变化为L＝ax

本发明公开了一种离子辅助的多靶磁控溅射设备，包括上载腔体、输运腔体和工艺腔体，输运腔体内设置有机械手，所述工艺腔体内设置有晶圆台、至少一个离子源装置和至少两个磁控管装置，所述晶圆台位于下方，离子源装置和磁控管装置位于上方，且离子源装置与...

本实用新型公开了一种折射率可调的AlN薄膜的制备设备，设备包括工艺腔体，所述工艺腔体上设置有工艺气体进口和真空吸口，工艺气体进口连接有氮气管道和氩气管道，本实用新型可以通过精确调控反应溅射中工艺气体的氮气的含量，从而对氮化铝(AlN)的...