【技术实现步骤摘要】
一种离子源栅网及离子源
[0001]本技术属于离子源
，更具体的说涉及一种离子源栅网及离子源。
技术介绍
[0002]广谱栅网离子源，最初应用于航天器的推进发动机，可以应用于许多领域，如离子束蚀刻(IBE)，离子束溅射沉积(IBSD)、材料改性和核聚变技术。尤其在半导体、MEMS器件的制备过程中，既可以用于清洁晶圆表面；也可以用于刻蚀成型，制备所需要的微纳结构。
[0003]通常，离子源通过多栅网离子光学器件放电，产生并引导出等离子体。因此，等离子发生器和离子光学组件是广谱离子源的两个主要组成部分。等离子体通常可以由以下几种方式产生：高压产生辉光放电，热阴极放电，真空放电，或射频放电。在与等离子体接触的电极和其他栅网电极(离子光学)上施加不同的电势，可以加速等离子体并使其聚焦成离子束。栅网电极的数量，由材料抗离子腐蚀性、成本、重量、和离子光束的准直度、平行度等要求来决定。
[0004]在半导体、MEMS微纳制造领域，在离子束蚀刻和离子束溅射沉积的应用中，离子源栅网组件需要提供较小的离子束的发散，即离子束...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种离子源栅网，其特征在于：所述栅网包括若干等分区域，所述若干等分区域由栅网的圆心为起点，每个等分区域自圆心形成的扇形角度为(360/n)
o
，n为1
‑
12间的正整数，每个等分区域内设置有若干密排的孔洞，且每个等分区域的边界上的孔洞与其相邻的等分区域共享。2.根据权利要求1所述的离子源栅网，其特征在于：所述栅网的半径R与孔洞的半径r比满足R/r≥200。3.根据权利要求2所述的离子源栅网，其特征在于：所述孔洞在等分区域沿第一方向和第二方向排布，其中第一方向为平行于等分区域轴边的方向，第二方向与第一方向的夹角为(90
‑
180/n)
o
。4.根据权利要求3所述的离子源栅网，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐云俊，王昱翔，
申请(专利权)人：浙江艾微普科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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