一种离子辅助的多靶磁控溅射设备制造技术

本发明专利技术公开了一种离子辅助的多靶磁控溅射设备，包括上载腔体、输运腔体和工艺腔体，输运腔体内设置有机械手，所述工艺腔体内设置有晶圆台、至少一个离子源装置和至少两个磁控管装置，所述晶圆台位于下方，离子源装置和磁控管装置位于上方，且离子源装置与磁控管装置围绕晶圆台的中心均分布，所述离子源装置与磁控管均朝向晶圆台并与晶圆台呈角度倾斜布置，本发明专利技术能够在一个工艺腔体内装置多个靶材的离子辅助PVD溅射系统，无需多个工艺腔室，且无需多次的装夹，效率高。效率高。效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种离子辅助的多靶磁控溅射设备


[0001]本专利技术属于磁控溅射设备
，更具体的说涉及一种离子辅助的多靶磁控溅射设备。

技术介绍

[0002]磁控溅射技术及设备是微纳加工的基础技术和设备，是现代微电子行业制造的核心和基础，它类似于传统工业的钢铁等材料制备行业，为半导体、微电子器件行业提供丰富、全面的各种器件构建、辅助材料。磁控溅射技术成熟，制备的薄膜性能优越，可以制造几乎各种金属、半导体、绝缘体薄膜材料，是半导体、MEMS、太阳能、显示器、LED等及各种现代微电子器件的核心技术；其设备成本较低、应用广泛，是现代半导体、微电子器件等制备超净间必备之设备。
[0003]磁控溅射设备通常至少包括一个工艺腔体，如图1所示，其中有基片台、靶材等：
[0004]1.该腔体连接至真空泵等真空形成装置，其运行之后，将该腔体抽至真空。
[0005]2.同时，腔体有至少一个入气口，用于引入工艺气体，通常是氩气。
[0006]3.基片台用于承载基片，可依据具体需要，对该基片台加热、冷却、施加偏置磁场、电场；该基片台也可以静止、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子辅助的多靶磁控溅射设备，包括上载腔体、输运腔体和工艺腔体，输运腔体内设置有机械手，其特征在于：所述工艺腔体内设置有晶圆台、至少一个离子源装置和至少两个磁控管装置，所述晶圆台位于下方，离子源装置和磁控管装置位于上方，且离子源装置与磁控管装置围绕晶圆台的中心均分布，所述离子源装置与磁控管均朝向晶圆台并与晶圆台呈角度倾斜布置。2.根据权利要求1所述的离子辅助的多靶磁控溅射设备，其特征在于：所述工艺腔体的顶部为穹形，所有磁控管和离子源装置围绕穹形的顶部中心均匀分布。3.根据权利要求2所述的离子辅助的多靶磁控溅射设备，其特征在于：所述工艺腔体内还设置有挡板窗，所述挡板窗位于离子源装置和磁控管的下方，且挡板窗对应离子源装置和每个磁控管的下方均设置有可独立开启的快门。4.根据权利要求2所述的离子辅助的多靶磁控溅射设备，其特征在于：所述工艺腔体内还设置有挡板窗，所述挡板窗上设置有一个开口，所述挡板窗与工艺腔体转动连接，挡板窗的转动轴线与穹形的顶部中心重叠。5.根据权利要求3或4所述的离子辅助的多靶磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐云俊，王昱翔，
申请(专利权)人：浙江艾微普科技有限公司，
类型：发明
国别省市：