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本发明公开了一种离子辅助的多靶磁控溅射设备，包括上载腔体、输运腔体和工艺腔体，输运腔体内设置有机械手，所述工艺腔体内设置有晶圆台、至少一个离子源装置和至少两个磁控管装置，所述晶圆台位于下方，离子源装置和磁控管装置位于上方，且离子源装置与磁控...
该专利属于浙江艾微普科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江艾微普科技有限公司授权不得商用。

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