【技术实现步骤摘要】
具有标记结构的三维存储器、其制备方法及位移监测方法
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种具有标记结构的三维存储器、其制备方法以及利用标记结构的三维存储器的台阶位移监测方法。
技术介绍
在三维存储器中，存储阵列可分为核心区(Core)和台阶区(Staircasestructure，SS)。台阶区通常位于核心区的周缘，用于引出存储阵列的各层栅极层。这些栅极层作为存储阵列的字线，执行编程、擦写、读取等操作。在三维存储器的制作过程中，通过刻蚀形成接触孔，然后填充接触孔，从而引出台阶区上各级台阶的栅极层的电信号。随着三维存储器技术的快速发展，存储阵列的堆叠层数不断增加，台阶区内的台阶数量也不断增加。堆叠层数的不断增加使得对台阶结构的刻蚀控制更具有挑战性。由于整个台阶区域的面积大，台阶数量多，需要在台阶区域内设置多个标记结构作为参考位置，以便于监测台阶图形的位移情况。目前的台阶区制程中，通常会先制作标记结构，然后采用城墙工艺将台阶区分割，形成不同高低的台阶。然而，刻蚀台阶或形成城墙结构的工艺会使这些标记结构发生漂移，从...
【技术保护点】
1.一种具有标记结构的三维存储器，其特征在于：/n所述三维存储器包括衬底、位于所述衬底上的第一堆叠结构以及位于所述第一堆叠结构上的第二堆叠结构；/n所述三维存储器设有接触区以及邻接所述接触区的台阶区；/n所述接触区内设有贯穿所述第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿所述第二堆叠结构的第二存储沟道，所述第二存储沟道与所述第一存储沟道连接；/n在所述台阶区内的所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构，在所述伪堆叠结构中设有标记结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有标记结构的三维存储器，其特征在于：
所述三维存储器包括衬底、位于所述衬底上的第一堆叠结构以及位于所述第一堆叠结构上的第二堆叠结构；
所述三维存储器设有接触区以及邻接所述接触区的台阶区；
所述接触区内设有贯穿所述第一堆叠结构的第一存储沟道和贯穿所述第二堆叠结构的第二存储沟道，所述第二存储沟道与所述第一存储沟道连接；
在所述台阶区内的所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间设有伪堆叠结构，在所述伪堆叠结构中设有标记结构。
2.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：在所述接触区内的所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间设有粘结层；所述粘结层的顶面与所述伪堆叠结构的顶面共面。
3.根据权利要求2所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述粘结层与所述伪堆叠结构的厚度相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述伪堆叠结构的厚度为80～120nm。
5.根据权利要求2所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述粘结层的材料为氧化物。
6.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述标记结构内嵌于所述伪堆叠结构中，所述标记结构的顶面与所述伪堆叠结构的顶面共面。
7.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述标记结构的材料为氧化物。
8.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述台阶区设有城墙结构，所述标记结构至少部分设置于所述城墙结构在垂直于所述衬底方向上的投影区域内。
9.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述台阶区设有城墙结构，所述标记结构至少部分设置于未被所述城墙结构覆盖的区域。
10.根据权利要求1所述的具有标记结构的三维存储器，其特征在于：所述第一堆叠结构、所述第二堆叠结构和所述伪堆叠结构均包括交替堆叠的导电层和介质层。
11.一种具有标记结构的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在衬底上形成第一堆叠介质结构；
在所述第一堆叠介质结构上形成伪堆叠介质结构；
定义接触区与台阶区，在所述台阶区内的所述伪堆叠介质结构中制作标记结构图案；
在所述台阶区的所述伪堆叠介质结构中形成标记结构；
在所述接触区形成贯穿所述第一堆叠介质结构的第一存储沟道；
在所述伪堆叠介质结构上形成第二堆叠介质结构；
在所述接触区形成贯穿所述第二堆叠介质结构的第二存储沟道，所述第二存储沟道与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵祥辉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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