一种测试结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种测试结构，该测试结构通过使上下重合的第一底金属梳状结构及第一顶金属梳状结构均与第一测试电极电连接，使多个第二顶金属梳齿分别通过n个并联的磁隧道结与第二顶金属梳状结构电连接，且第二顶金属梳状结构与第二测试电极连接。使两个底金属梳齿短路短路及两个顶金属梳齿短路时，电流路径不同，第一测试电极及第二测试电极之间的测试参数不同，准确判断是两个底金属梳齿短路短路还是两个顶金属梳齿短路，一个测试结构能够得到是顶金属梳齿短路还是底金属梳齿短路的失效情况。通过使上下重合的每对梳齿均通过并联的n个磁隧道结电连接，即使少数磁隧道结失效，也对测试结果影响不大，降低了测试结构的缺陷敏感性。

【技术实现步骤摘要】
一种测试结构
本技术涉及半导体测试
，尤其涉及一种测试结构。
技术介绍
近年来发展迅速的磁性随机存储器MRAM(MagneticRandomAccessMemory，一种非易失性的磁性随机存储器)具有优异的特性。其克服了SRAM(StaticRandom-AccessMemory，静态随机存取存储器)面积大、尺寸微缩后漏电大的缺点，还克服了DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)需要一直进行数据刷新，功耗大的缺点。磁性随机存储器MRAM相对Flashmemory(闪存)，其读写时间和可读写次数优越几个数量级。当前MRAM存储器的核心存储单元普遍采用具有垂直磁化特性的磁隧道结(MTJ)，其层数多，厚度小，制备工艺十分复杂。需要对多种电性参数进行测试与监控。在研发以及量产阶段为了监控器件Rp(Resistanceparallel，平行态电阻)、Rap(Resistanceanti-parallel，反平行态电阻)、TMR(TunnelMagnetoresistance，隧道磁电阻)、Vc(Vo本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：/n第一底金属梳状结构；/n与所述第一底金属梳状结构上下重合的第一顶金属梳状结构；/n设置在所述第一底金属梳状结构及第一顶金属梳状结构的每对上下重合的两个梳齿之间且电连接该两个梳齿的n个并联的磁隧道结；/n第二底金属梳状结构，所述第二底金属梳状结构的多个梳齿与所述第一底金属梳状结构的多个梳齿间隔设置；/n与所述第二底金属梳状结构的多个梳齿分别上下重合的多个第二顶金属梳齿；/n设置在每个第二顶金属梳齿与该第二顶金属梳齿上下重合的所述第二底金属梳状结构的一个梳齿之间的n个并联的磁隧道结，该n个磁隧道结电连接该第二顶金属梳齿及该第二底金属梳状结构的一个梳齿；/n与...

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
第一底金属梳状结构；
与所述第一底金属梳状结构上下重合的第一顶金属梳状结构；
设置在所述第一底金属梳状结构及第一顶金属梳状结构的每对上下重合的两个梳齿之间且电连接该两个梳齿的n个并联的磁隧道结；
第二底金属梳状结构，所述第二底金属梳状结构的多个梳齿与所述第一底金属梳状结构的多个梳齿间隔设置；
与所述第二底金属梳状结构的多个梳齿分别上下重合的多个第二顶金属梳齿；
设置在每个第二顶金属梳齿与该第二顶金属梳齿上下重合的所述第二底金属梳状结构的一个梳齿之间的n个并联的磁隧道结，该n个磁隧道结电连接该第二顶金属梳齿及该第二底金属梳状结构的一个梳齿；
与所述第一底金属梳状结构及第一顶金属梳状结构的梳柄均电连接的第一测试电极；
与所述第二底金属梳状结构的梳柄电连接的第二测试电极。


2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：
与所述第一底金属梳状结构的梳柄电连接的第一金属线；
与所述第二测试电极电连接的第二金属线，且所述第一金属线与第二金属线部分上下重合；
设置在所述第一金属线与第二金属线的重合部分之间且电连接所述第一金属线及第二金属线的待测试磁隧道结。


3.如权利要求1～2任一项所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试电极包括：
与所述第一底金属梳状结构的梳柄电连接的第一底测试电极；
与所述第一顶金属梳状结构的梳柄电连接的第一顶测试电极，所述第一顶测试电极与所述第一底测试电极上下重合且电连接。


4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述第二测试电极包括：
与所述第二底金属梳状结构的梳柄电连接的第二底测试电极；
与所述第二顶金属梳状结构的梳柄电连接的第二顶测试电极，且所述第二顶测试电极与所述第二底测试电极上下重合且电连接。


5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第一顶测试电极通过多个接触孔或多个磁隧道结与所述第一底测试电极电连接；和/或，
所述第二顶测试电极通...

【专利技术属性】
技术研发人员：哀立波，任云翔，王明，韩谷昌，熊保玉，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33