ECC纠错方法、纠错电路、修复系统及存储器技术方案

本发明专利技术提供一种结合短路信息的ECC纠错方法、纠错电路、修复系统及存储器，基于具备N位纠错N+1位检错能力的纠错码进行纠错，包括：若短路比特数量大于0且小于或等于（2N+1），生成起始数据组，包括阵列数据和设计数据，以读取到的信息位和校验位的数据作为阵列数据，以阵列数据中短路比特的数据全部设为1之后得到的数据作为设计数据；若起始数据组解码成功，输出起始数据组的解码结果，若解码失败，随机翻转短路比特的数据生成新的数据组，直到新的数据组解码成功或者满足终止条件。本发明专利技术提高了纠错码的纠错能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器，尤其涉及一种ecc纠错方法、纠错电路、修复系统及存储器。

技术介绍

1、mram是一种新的内存和存储技术，其具有sram/dram一样快速随机读写的特点，还具有flash闪存在断电后永久保留数据的功能。mram存储位元的核心结构为磁性隧道结，其由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的，下面的一层铁磁材料是具有固定磁化方向的参考层，上面的铁磁材料是可变磁化方向的自由层，自由层的磁化方向可以和参考层相平行或反平行。

2、mram在读出数据时，读出电路需要检测mram存储位元的电阻。由于磁性隧道结的电阻可能会因为生产工艺、读写次数、温度等原因漂移，从而导致数据错误，读出的数据与之前一次写入的原始数据相反。为解决这一问题，可以在芯片内加入纠错电路，使用具有一定纠错能力的纠错码（error correction code，ecc），对写入的原始数据进行校验，从而对数据错误进行检测和纠正。在实际应用中，如何提高纠错码的纠错能力是一个必须考虑的问题。

技术实现思路>

1、有鉴于此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结合短路信息的ECC纠错方法，其特征在于，所述ECC纠错方法基于具备N位纠错N+1位检错能力的纠错码进行纠错，所述ECC纠错方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的ECC纠错方法，其特征在于，判断起始数据组以及后续生成的各新的数据组解码是否成功，包括：

3.根据权利要求1所述的ECC纠错方法，其特征在于，所述ECC纠错方法还包括：

4.一种结合短路信息的ECC纠错方法，其特征在于，所述ECC纠错方法基于具备N位纠错N+1位检错能力的纠错码进行纠错，所述ECC纠错方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的ECC纠错方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种结合短路信息的ecc纠错方法，其特征在于，所述ecc纠错方法基于具备n位纠错n+1位检错能力的纠错码进行纠错，所述ecc纠错方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的ecc纠错方法，其特征在于，判断起始数据组以及后续生成的各新的数据组解码是否成功，包括：

3.根据权利要求1所述的ecc纠错方法，其特征在于，所述ecc纠错方法还包括：

4.一种结合短路信息的ecc纠错方法，其特征在于，所述ecc纠错方法基于具备n位纠错n+1位检错能力的纠错码进行纠错，所述ecc纠错方法包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的ecc纠错方法，其特征在于，判断每个数据组解码是否成功，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁鹏棋，周亚星，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：