【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，尤其涉及一种存储器及其操作方法。
技术介绍
1、具有分裂浮栅的非易失性存储器件是一种包括分栅(split gate)结构并以浮栅作为存储层的非易失性闪存器件。该存储器件以低成本、低功耗、可靠性高以及存取速度快等性能优势在存储器领域中占据了越来越重要的位置，并广泛地应用于消费电子领域。
2、目前，在对具有分裂浮栅的非易失性存储器件的目标擦除区域的存储单元对执行擦除操作时，擦除操作会对非擦除区域的储存单元造成干扰，影响该存储器的可靠性。
3、因此，有必要提出一种技术方案以改善擦除操作对非擦除区域的储存单元造成干扰的问题。
技术实现思路
1、本申请提供一种存储器及其操作方法，以改善擦除操作对非擦除区域的储存单元造成干扰的问题，提高存储器的可靠性。
2、第一方面，本申请提供一种存储器的操作方法，所述存储器包括多行存储单元对以及多条字线，一行所述存储单元对包括至少两个存储单元对，所述存储单元对包括两个串联的存储单元且与所述字线连接；所述操作方法包括
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【技术保护点】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多行存储单元对以及多条字线，一行所述存储单元对包括至少两个存储单元对，所述存储单元对包括两个串联的存储单元且与所述字线连接；所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述存储器的操作方法，其特征在于，所述判断非擦除区域中与目标擦除区域相邻的存储单元是否发生阈值电压掉落包括：
3.根据权利要求2所述存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括与一行所述存储单元对连接的两条控制信号线，所述存储单元对的两个所述存储单元分别与两条所述控制信号线连接；
4.根据权利要求1所述存储器的操作方法，...
【技术特征摘要】
1.一种存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器包括多行存储单元对以及多条字线，一行所述存储单元对包括至少两个存储单元对，所述存储单元对包括两个串联的存储单元且与所述字线连接；所述操作方法包括：
2.根据权利要求1所述存储器的操作方法，其特征在于，所述判断非擦除区域中与目标擦除区域相邻的存储单元是否发生阈值电压掉落包括：
3.根据权利要求2所述存储器的操作方法，其特征在于，所述存储器还包括与一行所述存储单元对连接的两条控制信号线，所述存储单元对的两个所述存储单元分别与两条所述控制信号线连接；
4.根据权利要求1所述存储器的操作方法，其特征在于，在所述判断非擦除区域中与目标擦除区域相邻的存储单元是否发生阈值电压掉落之前，所述操作方法还包括：
5.根据权利要求4所述存储器的操作方法，其特征在于，在所述对所述目标擦除区域的存储单元对执行擦除操作之前，所述操作方法还包括：
6.根据权利要求5所述存储器的操作方法，其特征在于，所述第二编程操作的编程参数与所述第一编程操作的编程参数相同。
7.根据权利要求4所述存储器的操作方法，其特征在于，在所述对目标擦除区域的存储单元对执行擦除操作...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琪，吴璇，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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