【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种非易失性存储器的擦除方法和存储器。
技术介绍
1、具有分裂浮栅的的非易失性存储器件，以低成本、低功耗、可靠性高以及存取速度快等性能优势，在存储器领域中占据了越来越重要的位置，并广泛地应用于消费电子领域。
2、目前，在对具有分裂浮栅的的非易失性存储器件的存储单元对执行擦除操作时，擦除操作后会增大对存储单元对执行编程操作的难度，影响非易失性存储器件的可靠性。
技术实现思路
1、本申请提供一种非易失性存储器的擦除方法和存储器，可以减小对存储单元对执行擦除操作的难度，提高存储器的可靠性。
2、第一方面，本申请提供一种非易失性存储器的擦除方法，所述存储器包括多个存储单元对，所述存储单元对包括第一存储单元、第二存储单元，以及位于所述第一存储单元和所述第二存储单元之间的字线栅，所述第一存储单元连接第一控制栅线，所述第二存储单元连接第二控制栅线，所述字线栅连接字线，所述擦除方法包括：
3、对选中存储单元对进行预编程操作，所述预编程操作包括对...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元对，所述存储单元对包括第一存储单元、第二存储单元，以及位于所述第一存储单元和所述第二存储单元之间的字线栅，所述第一存储单元连接第一控制栅线，所述第二存储单元连接第二控制栅线，所述字线栅连接字线，所述擦除方法包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述存储单元对还包括第一源漏区、第二源漏区，所述第一源漏区连接第一位线，所述第二源漏区连接第二位线，所述对选中存储单元对进行预编程操作的步骤还包括：
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元对，所述存储单元对包括第一存储单元、第二存储单元，以及位于所述第一存储单元和所述第二存储单元之间的字线栅，所述第一存储单元连接第一控制栅线，所述第二存储单元连接第二控制栅线，所述字线栅连接字线，所述擦除方法包括：
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述存储单元对还包括第一源漏区、第二源漏区，所述第一源漏区连接第一位线，所述第二源漏区连接第二位线，所述对选中存储单元对进行预编程操作的步骤还包括：
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述对所述选中存储单元对进行擦除操作包括：
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，所述对所述选中存储单元对进行预编程操作包括：
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器的擦除方法，其特征在于，对多个所述选中存储单元对同时进行所述预编程操作。
6.根据权利要求1所述的非易...
【专利技术属性】
技术研发人员：李琪，李绍华，
申请(专利权)人：兆易创新科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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