电迁移测试结构及电迁移测试方法技术

本发明专利技术提供了一种电迁移测试结构及电迁移测试方法，所述电迁移测试结构包括：待测金属互连结构；第一感测电极，与所述待测金属互连结构的一端电性连接；第二感测电极，与所述待测金属互连结构的另一端电性连接；至少一个第三感测电极，至少与所述待测金属互连结构的两端之间的位置电性连接；第一加载电极，与所述第一感测电极电性连接；以及，第二加载电极，与所述第二感测电极电性连接。本发明专利技术的技术方案能够避免影响芯片区的布线设计，且能够进行晶圆级的快速测试以及能够快速判断出电迁移失效的具体位置。

【技术实现步骤摘要】
电迁移测试结构及电迁移测试方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种电迁移测试结构及电迁移测试方法。
技术介绍
近年来，随着半导体器件尺寸越来越小，集成度越来越高，对半导体器件可靠性的研究也变得越来越重要，而电迁移(EM，Electro-Migration)现象是影响可靠性的主要失效机理之一。电迁移现象是指半导体器件中的集成电路工作时金属互连线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象，即金属离子在“电子风”的推动下从负极向正极移动，由此，金属互连线的负极部位会因该电迁移现象而出现空洞(Void)，进而发生断路，而正极部位会因该电迁移现象而出现小丘(Hillock)，进而造成电路短路。电迁移测试是在高温和高电流下监控电迁移测试结构的电阻随时间的变化情况。现有技术中，电迁移测试通常采用开尔文四线电阻法(kelvinfour-terminalsensing)，电迁移测试结构上包含两个加载电极以及两个感测电极。以图1a～图1b所示的电迁移测试结构为例，电迁移测试结构包括相互电性连接的待测试的金属互连结构、连接金属线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电迁移测试结构，位于切割道区，其特征在于，所述电迁移测试结构包括：/n待测金属互连结构；/n第一感测电极，与所述待测金属互连结构的一端电性连接；/n第二感测电极，与所述待测金属互连结构的另一端电性连接；/n至少一个第三感测电极，至少与所述待测金属互连结构的两端之间的位置电性连接；/n第一加载电极，与所述第一感测电极电性连接；以及，/n第二加载电极，与所述第二感测电极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种电迁移测试结构，位于切割道区，其特征在于，所述电迁移测试结构包括：
待测金属互连结构；
第一感测电极，与所述待测金属互连结构的一端电性连接；
第二感测电极，与所述待测金属互连结构的另一端电性连接；
至少一个第三感测电极，至少与所述待测金属互连结构的两端之间的位置电性连接；
第一加载电极，与所述第一感测电极电性连接；以及，
第二加载电极，与所述第二感测电极电性连接。


2.如权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述待测金属互连结构包括待测金属层和位于所述待测金属层的两端的待测导电插塞，所述第一感测电极和所述第二感测电极分别与所述待测金属层的两端的待测导电插塞电性连接。


3.如权利要求2所述的电迁移测试结构，其特征在于，每个所述第三感测电极的下方连接有至少一层的测试金属层和测试导电插塞，所述测试金属层的一端通过所述测试导电插塞至少与所述待测金属层的两端之间的位置电性连接。


4.如权利要求3所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述电迁移测试结构包括两个第三感测电极，每个所述第三感测电极的下方连接有一层的测试金属层，每个所述测试金属层的一端通过所述测试导电插塞与所述待测金属层的两端之间的位置电性连接。


5.如权利要求3所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述电迁移测试结构包括两个第三感测电极，靠近所述第一感测电极的第一个第三感测电极下方连接有上层的第一测试金属层和下层的第三测试金属层，所述第一测试金属层的一端通过测试导电插塞与所述第三测试金属层的一端电性连接，所述第三测试金属层的另一端与所述待测金属层的一端的待测导电插塞电性连接；靠近所述第二感测电极的第二个第三感测电极下方连接有上层的第二测试金属层和下层的第四测试金属层，所述第二测试金属层的一端通过测试导电插塞与所述第四测试金属层的一端电性连接，所述第四测试金属层的另一端通过测试导电插塞与所述待测金属层的两端之间的位置电性连接。


6.如权利要求2所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述电迁移测试结构还包括多个连接金属线，所述第一感测电极和所述第二感测电极分别与所述待测金属层的两端的待测导电插塞之间、所述第一加载电极与所述第一感测电极之间以及所述第二加载电极与所述第二感测电极之间均通过所述连接金属线电性连接。


7.如权利要求1～6中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴龙，王帆，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42