【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶层的形貌检测方法及系统
[0001]本专利技术涉及形貌检测
,更为具体地说,涉及一种光刻胶层的形貌检测方法及系统。
技术介绍
[0002]光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。光刻胶是一种有机化合物,它被紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。在对光刻胶层进行评估时,一定会评估光刻胶层曝光显影后的形貌,尤其是光刻胶层截面的形貌;但是,光刻胶是由高分子材料组成且质地较软,在采用高温切割时容易造成光刻胶的收缩,或者,采用刀具裂片时容易发生形变而破坏光刻胶原有的形貌,进而使得对光刻胶层的截面形貌检测的准确性造成干扰。
技术实现思路
[0003]有鉴于此,本专利技术提供了一种光刻胶层的形貌检测方法及系统,有效地解决了现有技术存在的技术问题,降低光刻胶层的待检测区在裂片时发生形变的情况,保证对光刻胶层在待检测区的截面处形貌检测的准确性高。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供的技术方案如下:< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶层的形貌检测方法,其特征在于,包括:提供待测样品,所述待测样品包括衬底基板及位于所述衬底基板一侧上的光刻胶层,所述光刻胶层包括待检测区;对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理;沿裂片线对所述待测样品进行裂片,裸露所述光刻胶层在所述待测区的截面,其中,所述待检测区位于所述裂片线的延伸路径上;对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测。2.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法,其特征在于,对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理的同时,对所述光刻胶层沿所述裂片线的延伸路径相应区域进行冷脆处理。3.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法,其特征在于,对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理,包括:采用液态氮对所述光刻胶层的待检测区进行冷脆处理。4.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法,其特征在于,沿裂片线对所述待测样品进行裂片,包括:采用聚焦离子束或裂片刀具,沿裂片线对所述待测样品进行裂片。5.根据权利要求1所述的光刻胶层的形貌检测方法,其特征在于,对所述光刻胶层在所述待测区的截面进行形貌检测,包括:采用电子显微镜对所述光刻胶层在所述待测...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈庆煌,柯思羽,武松,刘志成,
申请(专利权)人:泉芯集成电路制造济南有限公司,
类型:发明
国别省市:
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