基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法，其中，所述电子光源包括电子发射器和光投影照射系统。本发明专利技术以阳极氧化铝模板为基础，在其纳米孔洞中填充外光电效应材料作为光电子发射纳米电极阵列，通过光投影照射纳米电极阵列来控制局部的纳米电极发射电子；被光照射的纳米光电极将会发射电子，而没有被光照射的纳米光电极将不会发射电子；如此即可实现按预设图案改变电子光源发射的电子束的形状，大面积发射。本电子光源发射的电子束无需掩模板，在经过加速、光阑、磁透镜等组件后，可形成缩小的电子光源像，投影在目标衬底上。本发明专利技术可通过改变光投影的图案，方便快捷的编辑最后电子投影的图案，也就是电子光刻图案。是电子光刻图案。是电子光刻图案。

【技术实现步骤摘要】
基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法


[0001]本专利技术涉及电子
，具体是一种基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源及其制造方法。

技术介绍

[0002]光刻系统在半导体集成电路的制造工艺中起着至关重要的作用。随着集成度越来越高，元器件的尺寸越来越小，对光刻系统分辨率的要求也越来越高。利用电子的波动性，以电子为照明光源的电子束光刻理论上可以获得极高的分辨率。例如20kV加速的电子即可获得0.0086nm的波长。
[0003]电子束光刻分为直写式电子束光刻和投影式电子束光刻。直写式电子束光刻的工作原理与扫描电子显微镜类似，通过控制电子束在目标衬底上扫描以曝光。它分辨率高，且不需要掩模板，然而扫描的工作模式注定其生产率低下，远不能满足需要。投影式电子束光刻的工作原理与光光刻类似，可以大范围同时曝光，大大提高生产率，但掩模板成本高昂，以及临近效应、空间电荷效应等问题限制了它的发展和应用。
[0004]本专利技术的电子光源以阳极氧化铝模板中沉积的光电材料纳米电极阵列为电子发射器，利用光投影照射纳米光电极阵列发射器，以控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源，其特征在于，包括：电子发射器，其包括发射电极层和基电极层，所述发射电极层包括多孔阳极氧化铝模板，所述多孔阳极氧化铝模板的纳米孔洞中生长或沉积光电材料，且所述光电材料为外光电效应材料，所述基电极层包括在所述发射电极层背面形成的一层金属导电层；光投影照射系统，其用于将编辑好的图案投影照射到所述电子发射器上，以使所述电子发射器则按照预设图案的投影、局部发射包含预设图案信息的电子束。2.根据权利要求1所述的基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源，其特征在于，所述光投影照射系统为普通光光刻的投影系统。3.根据权利要求1所述的基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源，其特征在于，所述光投影照射系统包括普通掩模板以及光学透镜，以利用普通掩模板以及光学透镜完成图案的编辑以及投影。4.根据权利要求1所述的基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源，其特征在于，所述多孔阳极氧化铝模板的纳米孔洞通过水热法或者电化学沉积法在氧化铝模板的纳米孔洞中生长或沉积光电材料。5.根据权利要求1所述的基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源，其特征在于，所述外光电效应材料为Zn或Pt。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的基于阳极氧化铝模板的图案化电子光源的制造方法，所述的光投影照射系统为普通光光刻的投影系统，其特征在于，所述的电子发射器的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹雪丽，文剑锋，唐涛，李明，李新宇，余静，崔丽丹，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：