IC封装基板及IC封装基板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种IC封装基板及其制作方法，制作方法包括：提供具有相对第一面和第二面的芯板，自第一面在芯板中进行第一次开孔，形成若干个第一孔，在第一孔内填充第一导电材料，自第二面在芯板中进行第二次开孔，形成若干个第二孔，在第二孔内填充第二导电材料，第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，以进行散热。本发明专利技术的IC封装基板制作中，通过高密度通孔实现印刷线路板的散热，基于通孔填孔的方式替代现有埋铜块的制作方法，还可以将散热结构与线路层制备结构，提高线路板散热效果，提高结构的稳定性，简化制备工艺，提高工艺效率，适于批量生产。

【技术实现步骤摘要】
IC封装基板及IC封装基板的制作方法
本专利技术属于电路板制作领域，特别是涉及一种IC封装基板及IC封装基板的制作方法，实际上也具体涉及一种印刷线路板及其制作方法。
技术介绍
随着现代社会电子产品多样化、多功能化、高集成度的发展，促进了PCB高密度、多样化结构设计。尤其随着5G时代的到来，高频高速PCB的应用越来越广泛。高频高速PCB不但需要提供高速度、低损耗、低延迟、高质量的信号传输，还需要适应高频大功率器件的高功耗环境。PCB内部功耗越大、散热通道越拥挤，整体热量就会急剧上升，长期工作时易产生PCB电气性能下降甚至损毁。因此，解决PCB的散热问题尤为重要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种IC封装基板及IC封装基板的制作方法，用于解决现有技术中IC封装基板技术印刷线路板散热等的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种IC封装基板的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：提供芯板，所述芯板具有相对的第一面和第二面；自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔，以在所述芯板中形成若干个第一孔；在所述第一孔内填充第一导电材料，所述第一导电材料至少延伸至所述第一面；自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔，以在所述芯板中形成若干个第二孔，所述第一孔与所述第二孔之间具有间距；在所述第二孔内填充第二导电材料，所述第二导电材料至少延伸至所述第二面；其中，所述第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，所述第一导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热。可选地，在所述第一孔内填充所述第一导电材料的步骤包括：至少在所述第一孔内壁及第一孔周围的所述第一面表面形成第一厚度的第一导电层；至少在所述第一面上形成显露所述第一孔的第一干膜；在所述第一孔中形成第二导电层，以形成所述第一导电柱；和/或，在所述第二孔内填充所述第二导电材料的步骤包括：至少在所述第二孔内壁及第二孔周围的所述第二面上形成第二厚度的第三导电层；至少在所述第二面上形成显露所述第二孔的第二干膜；在所述第二孔中形成第四导电层，以形成所述第二导电柱。可选地，所述第一孔及所述第二孔均贯穿所述芯板，所述第一导电层同时形成在所述第一面和所述第二面的表面，所述第三导电层形成在所述第一面及所述第二面表面的所述第一导电层上，所述第一导电层及所述第二导电层构成位于所述芯板双面的线路制备层。可选地，所述第一导电层及所述第三导电层均采用闪镀的工艺；所述第一厚度与所述第二厚度概呈相同。可选地，所述第一干膜中形成有若干个第一窗口，所述第一窗口对应显露所述第一孔，且与所述第一孔的边缘之间的距离介于20-200μm之间；和/或，所述第二干膜中形成有若干个第二窗口，所述第二窗口对应显露所述第二孔，且与所述第二孔的边缘之间的距离介于20-200μm之间。可选地，所述第二导电层采用脉冲电镀工艺，以使所述第二导电层的表面不高于所述第一干膜的表面；和/或，所述第二导电层采用脉冲电镀工艺，以使所述第四导电层的表面不高于所述第二干膜的表面。可选地，在所述第一孔中形成所述第二导电层后还包括去除所述干膜的步骤，以得到与所述第一导电层表面平齐的所述第一导电柱；和/或，在所述第二孔中形成所述第四导电层后还包括去除所述第二干膜的步骤，以得到与所述第三导电层表面平齐的所述第二导电柱。可选地，所述制作方法还包括步骤：对所述芯板进行第N次开孔，以在所述芯板中形成若干个第N孔，N大于等于3，其中，所述第一次开孔至所述第N次开孔交替在所述芯板的第一面和第二面进行。可选地，所述第一孔包括若干列第一孔单元列，所述第二孔包括若干列第二孔单元列，其中，所述第一孔单元列及所述第二孔单元列交替间隔排布，且所述第二孔单元列中的所述第二孔对应位于相邻所述第一孔单元列中相邻的所述第一孔之间。本专利技术还提供一种IC封装基板，所述IC封装基板采用如上述方案中任意一项所述的IC封装基板的制作方法所制作，所述IC封装基板包括：芯板，具有相对的第一面和第二面；若干个第一孔，自所述第一面形成在所述芯板中；若干个第二孔，自所述第二面形成在所述芯板中；第一导电材料，填充在所述第一孔中并至少延伸至所述第一面；第二导电材料，填充在所述第二孔中并至少延伸至所述第二面；其中，所述第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，所述第一导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热。可选地，所述第一导电材料包括第一导电层及第二导电层，所述第一导电层至少形成在所述第一孔内壁及所述第一孔周围的所述第一面表面，所述第二导电层填充在所述第一孔中；和/或，所述第二导电材料包括第三导电层及第四导电层，所述第三导电层至少形成在所述第二孔内壁及所述第二孔周围的所述第二面表面，所述第四导电层填充在所述第二孔中。可选地，所述第一孔及所述第二孔均贯穿所述芯板，所述第一导电层同时形成在所述第一面和所述第二面的表面，所述第三导电层形成在所述第一面及所述第二面表面的所述第一导电层上，所述第一导电层及所述第二导电层构成位于所述芯板双面的线路制备层。可选地，所述第一孔包括若干列第一孔单元列，所述第二孔包括若干列第二孔单元列，其中，所述第一孔单元列及所述第二孔单元列交替间隔排布，且所述第二孔单元列中的所述第二孔对应位于相邻所述第一孔单元列中相邻的所述第一孔之间。如上所述，本专利技术的IC封装基板及IC封装基板的制作方法，通过高密度通孔实现印刷线路板的散热，基于通孔填孔的方式替代现有埋铜块的制作方法，还可以将散热结构与线路层制备结构，提高线路板散热效果，提高结构的稳定性，简化制备工艺，提高工艺效率，适于批量生产。附图说明图1显示为本专利技术一示例IC封装基板的制作流程图。图2显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中提供芯板的示意图。图3显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中进行第一次开孔的示意图。图4显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第一导电层的示意图。图5显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第一干膜的示意图。图6显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第二导电层的示意图。图7显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中进行磨板后的示意图。图8显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第一导电柱的示意图。图9显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中进行第二次开孔的示意图。图10显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第一孔和第二孔的布局示意图。图11显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第三导电层的示意图。图12显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第二干膜的示意图。图13显示为本专利技术一示例IC封装基板制作中形成第四导电层的示意图。图14显示为本专利技术一示例IC封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：/n提供芯板，所述芯板具有相对的第一面和第二面；/n自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔，以在所述芯板中形成若干个第一孔；/n在所述第一孔内填充第一导电材料，所述第一导电材料至少延伸至所述第一面；/n自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔，以在所述芯板中形成若干个第二孔，所述第一孔与所述第二孔之间具有间距；/n在所述第二孔内填充第二导电材料，所述第二导电材料至少延伸至所述第二面；/n其中，所述第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，所述第一导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热。/n

【技术特征摘要】
1.一种IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：
提供芯板，所述芯板具有相对的第一面和第二面；
自所述第一面对所述芯板进行第一次开孔，以在所述芯板中形成若干个第一孔；
在所述第一孔内填充第一导电材料，所述第一导电材料至少延伸至所述第一面；
自所述第二面对所述芯板进行第二次开孔，以在所述芯板中形成若干个第二孔，所述第一孔与所述第二孔之间具有间距；
在所述第二孔内填充第二导电材料，所述第二导电材料至少延伸至所述第二面；
其中，所述第一孔内的第一导电材料构成第一导电柱，所述第二孔内的第二导电材料构成第二导电柱，所述第一导电柱及所述第二导电柱形成在所述芯板中以进行散热。


2.根据权利要求1所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第一孔内填充所述第一导电材料的步骤包括：
至少在所述第一孔内壁及第一孔周围的所述第一面表面形成第一厚度的第一导电层；
至少在所述第一面上形成显露所述第一孔的第一干膜；
在所述第一孔中形成第二导电层，以形成所述第一导电柱；
和/或，在所述第二孔内填充所述第二导电材料的步骤包括：
至少在所述第二孔内壁及第二孔周围的所述第二面上形成第二厚度的第三导电层；
至少在所述第二面上形成显露所述第二孔的第二干膜；
在所述第二孔中形成第四导电层，以形成所述第二导电柱。


3.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一孔及所述第二孔均贯穿所述芯板，所述第一导电层同时形成在所述第一面和所述第二面的表面，所述第三导电层形成在所述第一面及所述第二面表面的所述第一导电层上，所述第一导电层及所述第二导电层构成位于所述芯板双面的线路制备层。


4.根据权利要求3所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第三导电层均采用闪镀的工艺；所述第一厚度与所述第二厚度概呈相同。


5.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一干膜中形成有若干个第一窗口，所述第一窗口对应显露所述第一孔，且与所述第一孔的边缘之间的距离介于20-200μm之间；和/或，所述第二干膜中形成有若干个第二窗口，所述第二窗口对应显露所述第二孔，且与所述第二孔的边缘之间的距离介于20-200μm之间。


6.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电层采用脉冲电镀工艺，以使所述第二导电层的表面不高于所述第一干膜的表面；和/或，所述第二导电层采用脉冲电镀工艺，以使所述第四导电层的表面不高于所述第二干膜的表面。


7.根据权利要求2所述的IC封装基板的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：石新红，周华梅，黄剑，张军，黄丽君，付海涛，
申请(专利权)人：上海美维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31