一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法，DNA传感器包括薄膜晶体管及DNA分子探针，薄膜晶体管包括基板衬底、栅电极、绝缘层、源漏电极及半导体层，基板衬底、栅电极、绝缘层由下而上依次设置，半导体层设置在绝缘层上，源漏电极与半导体层接触，DNA分子探针固定在源漏电极上。与现有技术相比，本发明专利技术采用源漏电极作为基底，在源漏电极上固定DNA分子探针，避免了有机半导体层上的物理吸收对水分和某些离子的影响，改善了电荷注入，增强了传感器饱和电流和载流子迁移率，从而提高了DNA传感器的稳定性和灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法
本专利技术属于DNA传感器
，涉及一种基于薄膜晶体管的DNA传感器及其制备方法。
技术介绍
随着生物信息学、物联网等技术的发展，DNA分子作为生物工程中最基础的物质，引起了广大科研院所的重视，DNA检测技术的发展也促进了DNA结构和功能的研究工作不断前进。目前，DNA检测技术有传统DNA测序技术、DNA芯片、生物传感器等。其中，DNA生物传感器具有检测速度快、灵敏度高等特点，在环境监测、航天等领域得到了广泛的应用。近年来，对有机晶体管器件的研究和应用有了很大的发展，DNA检测系统在基因分型、药物发现和分子诊断等领域中都引起了极大的关注，该技术在病原性和遗传性疾病诊断等方面应用广泛。传统的标记DNA传感器不能快速监测探针的相互作用，并且还需要复杂的分析系统，存在着昂贵、耗时和繁琐的问题。在这种情况下，与传统的DNA传感器相比，无标记检测方法省去了标记过程，简化了分析过程，促进了DNA检测的发展。薄膜晶体管作为DNA传感器的换能器，与现有的光学检测技术相比具有一定的优势，被认为是最本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，该DNA传感器包括薄膜晶体管及DNA分子探针(6)，所述的薄膜晶体管包括基板衬底(1)、栅电极(2)、绝缘层(3)、源漏电极(4)及半导体层(5)，所述的基板衬底(1)、栅电极(2)、绝缘层(3)由下而上依次设置，所述的半导体层(5)设置在绝缘层(3)上，所述的源漏电极(4)与半导体层(5)接触，所述的DNA分子探针(6)固定在源漏电极(4)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，该DNA传感器包括薄膜晶体管及DNA分子探针(6)，所述的薄膜晶体管包括基板衬底(1)、栅电极(2)、绝缘层(3)、源漏电极(4)及半导体层(5)，所述的基板衬底(1)、栅电极(2)、绝缘层(3)由下而上依次设置，所述的半导体层(5)设置在绝缘层(3)上，所述的源漏电极(4)与半导体层(5)接触，所述的DNA分子探针(6)固定在源漏电极(4)上。


2.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的源漏电极(4)及半导体层(5)均设置在绝缘层(3)上，并且所述的半导体层(5)位于源漏电极(4)的沟道中。


3.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的源漏电极(4)设置在半导体层(5)上。


4.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的基板衬底(1)的材质为绝缘材料，或为导电材料表面覆盖一层绝缘材料形成的复合材料。


5.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述的栅电极(2)的材质包括金、铝、铜、钛、银或重掺杂硅中的一种或更多种。


6.根据权利要求1所述的一种基于薄膜晶体管的DNA传感器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王军，陈赛赛，毛毓珂，王桂东，蔡金华，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31