薄膜晶体管阵列制造技术

本发明专利技术提供一种消耗电力量小的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列包括列布线和行布线、以及包含薄膜晶体管的像素，对薄膜晶体管而言，源极电极在俯视时为恒定宽度的线状，漏极电极在俯视时具有隔着规定距离的间隙而包围源极电极的U字部，半导体图案至少在源极电极以及漏极电极间构成沟道区域，栅极电极隔着栅极绝缘膜而与沟道区域重叠，在俯视时包括沟道区域，源极电极与列布线连接，栅极电极通过栅极连接布线而与行布线连接，漏极电极通过漏极连接布线而与像素电极连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管阵列
本专利技术涉及薄膜晶体管阵列。本专利技术的薄膜晶体管阵列能够用于显示装置。并且，本专利技术的薄膜晶体管阵列适合低消耗电力用途。
技术介绍
以将半导体本身作为基板的晶体管、集成电路技术为基础，在玻璃基板上制造非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)阵列，并应用于液晶显示器等。TFT起到开关的作用，在通过对行布线(栅极布线)赋予的选择电压而使TFT导通时，将对列布线(源极布线)赋予的信号电压写入至与漏极电极连接的像素电极。写入的电压被保持于在漏极电极或者像素电极与电容器电极之间设置的储存电容器。(在TFT阵列的情况下，由于源极与漏极的作用根据写入的电压的极性而改变，所以不能通过动作来决定名称。鉴于此，为了方便起见，预先将一方称为源极、将另一方称为漏极来统一叫法。在本专利技术中，将与布线连接的一方称为源极，将与像素电极连接的一方称为漏极。)TFT阵列中存在当将栅极电位从接通切换为断开时像素电位发生变化的栅极馈通(feed-through)这一现象。像素电位变化栅极馈通电压Vgf＝ΔVg·Cgd/(Cgd+Cs+Cp)。ΔVg是栅极电位变化量，Cgd是栅极/漏极间电容，Cs是储存电容(像素电极/电容器间电容)，Cp是显示介质的电容。如果Cp大则能够省略储存电容Cs。如果Cp小则Cs是必须的，如果Cp远比Cs小，则能够忽略Cp。以往，出于减小栅极馈通电压的目的，做出了减小Cgd的方案(专利文献1)。如图21所示，通过使漏极电极为恒定宽度的线状且将前端倒圆，并使源极电极为U字状而成为包围漏极电极的形状，来减小栅极电极/漏极电极的重叠面积Sgd，减小了Cgd。另一方面，栅极/源极间电容Cgs未被重视。近年来，开发出使薄膜晶体管阵列与电泳介质组合而成的电子纸显示装置，并被期待作为消耗电力比液晶低的显示装置。这是因为一般的液晶显示装置仅在进行驱动的期间能够显示，为了保持显示而需要持续驱动，与此相对，电泳式的电子纸由于在驱动结束后也保持显示，所以不需要持续驱动。进而，公开了一种将电子纸与作为个体识别技术的RFID组合来作为容器显示部的技术(专利文献2)。通过使RFID所保存的内容物数据显示于显示部，由此通过目视观察也能够确认数据。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-187093号公报专利文献2：日本特开2003-233786号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题这样的显示装置中，存在使用内置的电池的电力来进行改写的类型、和将进行RFID的改写的读写器的电波转换为电力并使用该电力来进行改写的类型。无论在哪一个类型中，降低改写时的消耗电力量都是技术问题。在内置有电池的显示装置中，如果消耗电力量大则需要频繁地进行电池更换。在使用RF电波的电力的显示装置中，如果消耗电力量大则只能在电波强的近距离下进行改写。因此，需求一种能够抑制改写时的消耗电力量的薄膜晶体管阵列。本专利技术是鉴于上述的现有技术的状况而提出的，其技术问题在于，提供一种减小了消耗电力量的薄膜晶体管阵列。用于解决技术问题的手段用于上述课题的本专利技术的一个方式涉及薄膜晶体管阵列，包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的多个列布线以及沿与第一方向正交的第二方向延伸的多个行布线；以及与列布线和行布线交叉的位置对应地设置在绝缘基板上的具有薄膜晶体管以及像素电极的多个像素，其中，薄膜晶体管具有栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体图案，源极电极在俯视时为恒定宽度的线状，漏极电极在俯视时具有隔着规定距离的间隙而包围源极电极的U字状的U字部，半导体图案至少在源极电极以及漏极电极间构成沟道区域，栅极电极隔着栅极绝缘膜而与沟道区域重叠，在俯视时包括沟道区域，源极电极与列布线连接，栅极电极通过栅极连接布线而与行布线连接，漏极电极通过漏极连接布线而与像素电极连接。专利技术效果根据本专利技术，能够提供消耗电力量小的薄膜晶体管阵列。即，通过将本专利技术应用于显示装置，能够降低显示装置的改写时的消耗电力量，能够减少电池内置型的显示装置的电池更换频度。并且，能够增长根据RF电波进行电力转换的类型的显示装置的可改写距离。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图以及剖视图。图2是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图以及剖视图。图3是表示本专利技术的第二实施方式涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图以及剖视图。图4是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图以及剖视图。图5是表示本专利技术的第三实施方式涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图以及剖视图。图6A是表示U字部、前端部、U字区域、开口区域的俯视图。图6B是表示漏极电极的俯视图。图6C是表示U字部、前端部、U字区域、开口区域的俯视图。图6D是表示漏极电极的俯视图。图6E是表示U字部、前端部、U字区域、开口区域的俯视图。图6F是表示漏极电极的俯视图。图7A是图1的薄膜晶体管的放大俯视图。图7B是图1的薄膜晶体管的变形例的放大俯视图。图8是图3的薄膜晶体管的放大俯视图。图9是表示源极电极、源极连接布线的俯视图。图10A是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图和剖视图。图10B是表示图10A的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图10C是表示图10B的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图11A是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图和剖视图。图11B是表示图11A的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图11C是表示图11B的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图12A是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图和剖视图。图12B是表示图12A的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图13A是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图和剖视图。图13B是表示图13A的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图14A是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图和剖视图。图14B是表示图14A的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图14C是表示图14B的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图15A是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图和剖视图。图15B是表示图15A的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图15C是表示图15B的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图16A是表示变形例涉及的薄膜晶体管阵列的制造中途的一个例子的俯视图和剖视图。图16B是表示图16A的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图16C是表示图16B的制造工序的后续的俯视图和剖视图。图17A是表示变形例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列，包括：/n绝缘基板；/n在所述绝缘基板上沿第一方向延伸的多个列布线、以及在所述绝缘基板上沿与所述第一方向正交的第二方向延伸的多个行布线；以及/n多个像素，与所述列布线和所述行布线交叉的位置对应地设置在所述绝缘基板上，具有薄膜晶体管以及像素电极，/n所述薄膜晶体管阵列的特征在于，/n所述薄膜晶体管具有栅极电极、源极电极、漏极电极、以及半导体图案，/n所述源极电极在俯视时为恒定宽度的线状，/n所述漏极电极在俯视时具有隔着规定距离的间隙而将所述源极电极包围的U字状的U字部，/n所述半导体图案至少将所述源极电极以及所述漏极电极间相连而构成沟道区域，/n所述栅极电极隔着栅极绝缘膜而与所述沟道区域重叠，在俯视时包括所述沟道区域，/n所述源极电极与所述列布线连接，所述栅极电极通过栅极连接布线而与所述行布线连接，所述漏极电极通过漏极连接布线而与所述像素电极连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180830 JP 2018-1619781.一种薄膜晶体管阵列，包括：
绝缘基板；
在所述绝缘基板上沿第一方向延伸的多个列布线、以及在所述绝缘基板上沿与所述第一方向正交的第二方向延伸的多个行布线；以及
多个像素，与所述列布线和所述行布线交叉的位置对应地设置在所述绝缘基板上，具有薄膜晶体管以及像素电极，
所述薄膜晶体管阵列的特征在于，
所述薄膜晶体管具有栅极电极、源极电极、漏极电极、以及半导体图案，
所述源极电极在俯视时为恒定宽度的线状，
所述漏极电极在俯视时具有隔着规定距离的间隙而将所述源极电极包围的U字状的U字部，
所述半导体图案至少将所述源极电极以及所述漏极电极间相连而构成沟道区域，
所述栅极电极隔着栅极绝缘膜而与所述沟道区域重叠，在俯视时包括所述沟道区域，
所述源极电极与所述列布线连接，所述栅极电极通过栅极连接布线而与所述行布线连接，所述漏极电极通过漏极连接布线而与所述像素电极连接。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，
所述源极电极在俯视时是前端形成得圆的恒定宽度的线状。


3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，
形成为在俯视时所述栅极连接布线与所述漏极电极以及所述漏极连接布线的至少任一个不重叠。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，
形成为在俯视时所述栅极电极的外形线的至少一部分与所述漏极电极的U字部重叠。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，
在俯视时所述栅极电极的外形线的至少一部分与所述半导体图案重叠，并且形成在比所述漏极电极的U字部的开口靠外侧的位置，
所述半导体图案的外形线的至少一部分形成在比所述栅极电极的外形线靠内侧的位置。


6.根据权利要求1～4中任一项所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，
在俯视时，所述栅极电极的外形线的至少一部分形成在比所述半导体图案的外形线靠外侧的位置，
对于所述栅极电极以及所述半导体图案这两方，外形线的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎守，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP