薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管(10)，包括衬底(11)及氧化物半导体层(14)，氧化物半导体层(14)设于衬底(11)上，氧化物半导体层(14)包括沟道部(141)、第一接触部(143)及第二接触部(145)，沟道部(141)连接于第一接触部(143)与第二接触部(145)之间，沟道部(141)至少部分朝向远离衬底(11)的方向凸起。还提供了一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板、显示装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
近年来，作为用于薄膜晶体管的氧化物半导体层的材料，氧化物半导体受到关注。例如，已知使用包含铟、镓及锌的非晶氧化物半导体的薄膜晶体管。通常薄膜晶体管采用平面化的沟道结构。然而，随着半导体器件的微型化，沟道长度的不断减小，易导致漏电流产生，影响薄膜晶体管的性能及信赖性。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术实施例公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。一种薄膜晶体管，包括衬底及氧化物半导体层所述氧化物半导体层设于所述衬底上，所述氧化物半导体层包括沟道部、第一接触部及第二接触部，所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。一种阵列基板，包括如上所述的薄膜晶体管。一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。一种薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体包括沟道部、第一接触部及第二接触部，所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。本专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，由于所述沟道部朝向远离衬底的方向凸起设置形成弯曲结构，在不增加所述薄膜晶体管在横向所占区域的情况下，增长了所述沟道部的整体长度，缓解了短沟道效应，降低了薄膜晶体管漏电流的产生，提高了薄膜晶体管的信赖性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术第一实施方式提供的薄膜晶体管的剖面示意图。图2为本专利技术第二实施方式提供的薄膜晶体管的制作方法的流程图。图3为图2的步骤201中所形成的结构示意图。图4为图2的步骤202中所形成的结构示意图。图5为图2的步骤203中所形成的结构示意图。图6为在栅极绝缘层上形成预制氧化物半导体层的示意图。图7为对预制氧化物半导体层进行导电化处理的示意图。图8为图2的步骤204中所形成的结构示意图。图9为本专利技术第三实施方式提供的薄膜晶体管的剖面示意图。图10为本专利技术第四实施方式提供的薄膜晶体管的制作方法的流程图。图11为图10的步骤401中所形成的结构示意图。图12为图10的步骤402中所形成的结构示意图。图13为图10的步骤403中所形成的结构示意图。图14为对预制氧化物半导体层进行导电化处理的示意图。图15为图10的步骤404中所形成的结构示意图。图16为本专利技术实施方式提供的具薄膜晶体管的阵列基板的示意图。图17为本专利技术实施方式提供的具阵列基板的显示装置的示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术第一实施方式提供一种薄膜晶体管10。薄膜晶体管10包括衬底11、栅极12、栅极绝缘层13、氧化物半导体层14、源极15及漏极16，所述栅极12设于所述衬底11上，所述栅极绝缘层13设于所述栅极12及所述衬底11上，所述氧化物半导体层14设于所述栅极绝缘层13上，所述氧化物半导体层14包括沟道部141、第一接触部143及第二接触部145，所述沟道部141连接于所述第一接触部143与所述第二接触部145之间，所述沟道部141至少部分朝向远离所述衬底11的方向凸起。由于所述沟道部141朝向远离衬底11的方向凸起设置形成弯曲结构，在不增加所述薄膜晶体管10在横向所占区域的情况下，增长了所述沟道部141的整体长度。换而言之，薄膜晶体管10具有三维鳍型沟道结构，如此，实际的沟道长度得到有效增加，缓解了短沟道效应，降低了薄膜晶体管10漏电流的产生，提高了薄膜晶体管10的信赖性。此外，在保证所述沟道部141的长度的情况下，缩短了所述薄膜晶体管10的横向有效面积，满足了高密度集成的需要，有利于提高显示装置的PPI(pixels per inch，每英寸所拥有的像素(pixel)数目)。本实施方式的薄膜晶体管10可以应用于刚性显示面板及柔性显示面板中。栅极12朝向远离衬底11的方向凸起设置，所述沟道部141至少部分位于所述栅极12上。栅极12在与衬底11平行的平面及垂直于衬底11的方向均延伸形成立体结构。由于栅极12朝向远离衬底11的方向凸起设置呈鳍状，增大了栅极12垂直衬底11方向的尺寸，使得沟道部141亦朝向远离所述衬底11的方向凸起从而形成三维鳍型沟道结构。本实施方式中，所述沟道部141于所述衬底11上的正投影遮盖所述栅极12于所述衬底11上的正投影。所述栅极绝缘层13包括凸设部131、第一连接部133及第二连接部135，所述凸设部131覆盖所述栅极12并朝向远离所述衬底11的方向凸起，所述凸设部131连接于所述第一连接部133与所述第二连接部135之间。所述凸设部131朝向衬底11一侧形成第一收容槽1311，栅极12容纳于第一收容槽1311。所述第一连接部133与所述第二连接部135设于所述衬底11上。所述第一接触部143设于第一连接部131上，所述第二接触部145设于第二连接部135上。所述沟道部141设于所述凸设部131上。所述沟道部141朝向衬底11一侧形成第二收容槽1411，凸设部131容纳于第二收容槽1411。所述薄膜晶体管10还包括刻蚀保护层17。刻蚀保护层17设于氧化物半导体层14上。所述刻蚀保护层17包括凸起部171、第一装设部173及第二装设部175，所述凸起部171至少部分位于沟道部141上并朝向远离所述衬底11的方向凸起。所述凸起部171朝向衬底11一侧形成第三收容槽1711，沟道部141容纳于第三收容槽1711。所述第一装设部173设于所述第一接触部143上，所述第二装设部175设于所述第二接触部145上。所述第一装设部173上形成第一通孔1731，所述第二装设部175形成第二通孔1751，所述源极15通过所述第一通孔1731与所述第一接触部143接触，所述漏极16通过所述第二通孔1751与所述第二接触部145接触。请参阅图2，本专利技术第二实施方式还提供一种薄膜晶体管10的制作方法，包括以下步骤：步骤201，请参阅图3，在衬底11上形成栅极12。本实施方式中，栅极12朝向远离所述衬底11的方向凸起设置呈鳍状，增大了栅极12垂直衬底11方向的尺寸。步骤202，请参阅图4，在所述栅极12及所述衬底11上形成栅极绝缘层13。所述栅极绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底及氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设于所述衬底上，所述氧化物半导体层包括沟道部、第一接触部及第二接触部，所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底及氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设于所述衬底上，所述氧化物半导体层包括沟道部、第一接触部及第二接触部，所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。


如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极、栅极绝缘层、源极及漏极，所述栅极设于所述衬底上，所述栅极绝缘层设于所述栅极及所述衬底上，所述氧化物半导体层设于所述栅极绝缘层上，所述栅极朝向远离所述衬底的方向凸起设置，所述沟道部至少部分位于所述栅极上。


如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道部于所述衬底上的正投影遮盖所述栅极于所述衬底上的正投影。


如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括第一栅极及第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极间隔设于所述衬底上，所述沟道部设于所述第一栅极及所述第二栅极上。


如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道部包括第一弯曲部及第二弯曲部，所述第一弯曲部设于所述第一栅极上并朝向远离所述衬底的方向凸起设置，所述第二弯曲部设于所述第二栅极上并朝向远离所述衬底的方向凸起设置。


如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层包括凸设部、第一连接部及第二连接部，所述凸设部覆盖所述栅极并朝向远离所述衬底的方向凸起，所述凸起部连接于所述第一连接部与所述第二连接部之间，所述沟道部至少位于所述凸起部上，所述第一连接部与所述第二连接部设于所述衬底上，所述第一接触部设于所述第一连接部上，所述第二接触部设于所述第二连接部上。


如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凸设部朝向所述衬底一侧形成第一收容槽，所述栅极收容于所述第一收容槽。


如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道部朝向所述衬底一侧形成第二收容槽，所述凸设部收容于所述第二收容槽。


如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括刻蚀保护层，所述刻蚀保护层包括凸起部、第一装设部及第二装设部，所述凸起部设于所述沟道部上并朝向远离所述衬底的方向凸起，所述第一装设部设于所述第一接触部上，所述第二装设部设于所述第二接触部上。


如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凸起部朝向所述衬底一侧形成第三收容槽，所述沟道部收容于所述第三收容槽。


如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一装设部上形成第一通孔，所述第二装设部形成第二通孔，所述源极通过所述第一通孔与所述第一接触部接触，所述漏极通过所述第二通孔与所述第一接触部接触。


一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-11项任意一项所述的薄膜晶体管。


一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的阵列基板。


一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体包括沟道部、第一接触部及第二接触部，所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间，所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡武卫，高伟程，晏国文，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44