【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
近年来,作为用于薄膜晶体管的氧化物半导体层的材料,氧化物半导体受到关注。例如,已知使用包含铟、镓及锌的非晶氧化物半导体的薄膜晶体管。通常薄膜晶体管采用平面化的沟道结构。然而,随着半导体器件的微型化,沟道长度的不断减小,易导致漏电流产生,影响薄膜晶体管的性能及信赖性。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术实施例公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。一种薄膜晶体管,包括衬底及氧化物半导体层所述氧化物半导体层设于所述衬底上,所述氧化物半导体层包括沟道部、第一接触部及第二接触部,所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间,所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。一种阵列基板,包括如上所述的薄膜晶体管。一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。一种薄膜晶体管的制作方法,包括以下步骤:在衬底上形成氧化物半导体层,所述氧化物半导体包括沟道部、第一接触部及第二接触部,所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间,所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。本专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置,由于所述沟道部朝向远离衬底的方向凸起设置形成弯曲结构,在不增加所述薄膜晶体管在横向所占区域的情况下,增长了所述沟道部的整体长度,缓解了短沟道效应,降低了薄膜晶体管漏电流的产生,提高了薄膜晶体管的信赖 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括衬底及氧化物半导体层,所述氧化物半导体层设于所述衬底上,所述氧化物半导体层包括沟道部、第一接触部及第二接触部,所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间,所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种薄膜晶体管,其特征在于,包括衬底及氧化物半导体层,所述氧化物半导体层设于所述衬底上,所述氧化物半导体层包括沟道部、第一接触部及第二接触部,所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间,所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。
如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括栅极、栅极绝缘层、源极及漏极,所述栅极设于所述衬底上,所述栅极绝缘层设于所述栅极及所述衬底上,所述氧化物半导体层设于所述栅极绝缘层上,所述栅极朝向远离所述衬底的方向凸起设置,所述沟道部至少部分位于所述栅极上。
如权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述沟道部于所述衬底上的正投影遮盖所述栅极于所述衬底上的正投影。
如权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极包括第一栅极及第二栅极,所述第一栅极与所述第二栅极间隔设于所述衬底上,所述沟道部设于所述第一栅极及所述第二栅极上。
如权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述沟道部包括第一弯曲部及第二弯曲部,所述第一弯曲部设于所述第一栅极上并朝向远离所述衬底的方向凸起设置,所述第二弯曲部设于所述第二栅极上并朝向远离所述衬底的方向凸起设置。
如权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极绝缘层包括凸设部、第一连接部及第二连接部,所述凸设部覆盖所述栅极并朝向远离所述衬底的方向凸起,所述凸起部连接于所述第一连接部与所述第二连接部之间,所述沟道部至少位于所述凸起部上,所述第一连接部与所述第二连接部设于所述衬底上,所述第一接触部设于所述第一连接部上,所述第二接触部设于所述第二连接部上。
如权利要求6所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述凸设部朝向所述衬底一侧形成第一收容槽,所述栅极收容于所述第一收容槽。
如权利要求6所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述沟道部朝向所述衬底一侧形成第二收容槽,所述凸设部收容于所述第二收容槽。
如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括刻蚀保护层,所述刻蚀保护层包括凸起部、第一装设部及第二装设部,所述凸起部设于所述沟道部上并朝向远离所述衬底的方向凸起,所述第一装设部设于所述第一接触部上,所述第二装设部设于所述第二接触部上。
如权利要求9所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述凸起部朝向所述衬底一侧形成第三收容槽,所述沟道部收容于所述第三收容槽。
如权利要求10所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一装设部上形成第一通孔,所述第二装设部形成第二通孔,所述源极通过所述第一通孔与所述第一接触部接触,所述漏极通过所述第二通孔与所述第一接触部接触。
一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-11项任意一项所述的薄膜晶体管。
一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求12所述的阵列基板。
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底上形成氧化物半导体层,所述氧化物半导体包括沟道部、第一接触部及第二接触部,所述沟道部连接于所述第一接触部与所述第二接触部之间,所述沟道部至少部分朝向远离所述衬底的方向凸起。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡武卫,高伟程,晏国文,
申请(专利权)人:深圳市柔宇科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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