一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法技术

本申请适用于显示技术领域，提供了一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，通过在第一道光罩制程中，制备包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层的源漏极层及光刻胶层；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次湿刻的持续时间缩短为85S～95S；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次干刻的持续时间延长为40S～50S，可以有效减小接触层的拖尾大小、增大栅极层和漏源极层之间的通道长度和沟道区域的长度，使薄膜晶体管的关态电流正常，提高基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性降低，降低产生画面异常的概率。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法
本申请属于显示
，尤其涉及一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，各种类型的显示面板层出不穷，为人们的日常生产和生活带来了极大便利。液晶显示面板是目前应用较为广泛的一种显示面板，其通常采用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)对液晶像素进行驱动。在薄膜晶体管的制备过程中，源漏极层下方的接触层会在沟道区域内形成非晶硅(a-Si)尾纤，导致薄膜晶体管的关态电流(Ioff)增大，从而导致基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性(Reliability，RA)降低，容易产生画面异常现象。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种液晶显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，以解决在薄膜晶体管的制备过程中，源漏极层下方的接触层会在沟道区域内形成非晶硅尾纤，导致薄膜晶体管的关态电流增大，从而导致基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性降低，容易产生画面异常现象的问题。本申请实施例的第一方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在第一道光罩制程中，在玻璃基板层制备栅极层并图形化栅极层；在栅极层远离玻璃基板层的一面制备栅极绝缘层、有源层、接触层、源漏极层及光刻胶层；在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；进行第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；进行第一次干刻，图形化有源层和接触层，形成有源层和接触层的岛状结构；进行氧气灰化，降低光刻胶层的厚度以露出沟道区域的源漏极层；进行第二次湿刻，图形化漏源极层；进行第二次干刻，刻蚀有源层和接触层，形成薄膜晶体管结构；其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层；和/或，第二次湿刻的持续时间为85S～95S；和/或，第二次干刻的持续时间为40S～50S。在一个实施例中，第二次干刻后，第二次干刻后，位于漏源极层的边缘的接触层的拖尾大小为0.15μm～0.35μm、栅极层和漏源极层之间的通道长度为4.2μm～5.2μm、沟道区域的长度大于3.4μm。在一个实施例中，接触层的初始厚度为3900A。在一个实施例中，漏源极层的初始厚度为4350A，曝光显影后的光刻胶层的尺寸为5.0μm～5.3μm，第一次湿刻和第二次湿刻的总持续时间为145S～150S，第二次湿刻后的漏源极层的厚度为3800A。在一个实施例中，薄膜晶体管的制备方法，还包括：在第三道光罩制程中，在源漏极层远离接触层的一面制备钝化层并图形化钝化层；在第四道光罩制程中，在钝化层远离源漏极层的一面制备透明电极层并图形化透明电极层。本申请实施例的第二方面提供一种薄膜晶体管，基于本申请实施例的第一方面提供的薄膜晶体管的制备方法制备，包括依次设置的玻璃基板层、栅极层、栅极绝缘层、有源层、接触层及源漏极层；其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层。在一个实施例中，第一氮化物导电层或第二氮化物导电层为氮化钼层和氮化钛层中的一种。在一个实施例中，金属层或栅极层为铝材料层、铜材料层和银材料层中的一种。在一个实施例中，薄膜晶体管，还包括设置于源漏极层远离接触层的一面的钝化层以及设置于钝化层远离源漏极层的一面的透明电极层。本申请实施例的第三方面提供一种液晶显示面板，包括：液晶像素；源极驱动器；栅极驱动器；以及如本申请实施例的第二方面提供的薄膜晶体管，薄膜晶体管的漏极层、源极层和栅极层分别与液晶像素的像素电极、源极驱动器及栅极驱动器连接。本申请实施例的第一方面提供的薄膜晶体管的制备方法，通过在第一道光罩制程中，制备包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层的源漏极层及光刻胶层；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次湿刻的持续时间缩短为85S～95S；和/或，在第二道光罩制程中，将第二次干刻的持续时间延长为40S～50S，可以有效减小接触层的拖尾大小、增大栅极层和漏源极层之间的通道长度和沟道区域的长度，使薄膜晶体管的关态电流正常，提高基于该薄膜晶体管实现的液晶显示面板的可靠性降低，降低产生画面异常的概率。可以理解的是，上述第二方面和第三方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的薄膜晶体管的制备方法的第一种流程示意图；图2是本申请实施例提供的薄膜晶体管的制程示意图；图3是本申请实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图4是本申请实施例提供的源漏极层的结构示意图；图5是本申请实施例提供的薄膜晶体管的制备方法的第二种流程示意图；图6是本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。具体实施方式以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。还应当理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。如图1、图2、图3或图4所示，本申请实施例提供的薄膜晶体管的制备方法，包括：步骤S101、在第一道光罩制程中，在玻璃基板层11制备栅极层12并图形化栅极层12；在栅极层12远离玻璃基板层11的一面制备栅极绝缘层13、有源层14、接触层15、源漏极层16及光刻胶层17；步骤S102、在第二道光罩制程中，对光刻胶层17进行曝光显影；进行第一次湿刻，图形化源漏极层16，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；进行第一次干刻，图形化有源层14和接触层15，形成有源层14和接触层15的岛状结构；进行氧气灰化，降低光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：/n在第一道光罩制程中，在玻璃基板层制备栅极层并图形化栅极层；在栅极层远离玻璃基板层的一面制备栅极绝缘层、有源层、接触层、源漏极层及光刻胶层；/n在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；进行第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；进行第一次干刻，图形化有源层和接触层，形成有源层和接触层的岛状结构；进行氧气灰化，降低光刻胶层的厚度以露出沟道区域的源漏极层；进行第二次湿刻，图形化漏源极层；进行第二次干刻，刻蚀有源层和接触层，形成薄膜晶体管结构；/n其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层；/n和/或，第二次湿刻的持续时间为85S～95S；/n和/或，第二次干刻的持续时间为40S～50S。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在第一道光罩制程中，在玻璃基板层制备栅极层并图形化栅极层；在栅极层远离玻璃基板层的一面制备栅极绝缘层、有源层、接触层、源漏极层及光刻胶层；
在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；进行第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；进行第一次干刻，图形化有源层和接触层，形成有源层和接触层的岛状结构；进行氧气灰化，降低光刻胶层的厚度以露出沟道区域的源漏极层；进行第二次湿刻，图形化漏源极层；进行第二次干刻，刻蚀有源层和接触层，形成薄膜晶体管结构；
其中，源漏极层包括第一氮化物导电层、金属层和第二氮化物导电层；
和/或，第二次湿刻的持续时间为85S～95S；
和/或，第二次干刻的持续时间为40S～50S。


2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，第二次干刻后，位于漏源极层的边缘的接触层的拖尾大小为0.15μm～0.35μm、栅极层和漏源极层之间的通道长度为4.2μm～5.2μm、沟道区域的长度大于3.4μm。


3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，接触层的初始厚度为3900A。


4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，漏源极层的初始厚度为4350A，曝光显影后的光刻胶层的尺寸为5.0μm～5.3μm，第一次湿刻和第二次湿刻的总持续时间为14...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏玉明，卓恩宗，康报虹，
申请(专利权)人：北海惠科光电技术有限公司，惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45