半导体装置制造方法及图纸

在半导体装置中确保能够配置晶体管等元件的面积。提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板、具有在俯视半导体基板时有间隔地配置的至少两个部分电极的发射电极、以及配置为被两个部分电极夹着的有源侧栅极布线和有源侧虚设布线，半导体基板具有：与有源侧栅极布线连接并且在俯视时的第一方向上具有长边的栅极沟槽部、以及与有源侧虚设布线连接并且在第一方向上具有长边的虚设沟槽部，有源侧栅极布线和有源侧虚设布线中的一个在第一方向上全部被栅极布线部和虚设布线部中的另一个覆盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
以往，已知有在具有栅极沟槽和虚设沟槽的半导体装置中设置用于筛选虚设沟槽的布线的结构(例如，参照专利文献1-3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-25124号公报专利文献2：日本特开2015-207736号公报专利文献3：日本特开2014-53552号公报专利文献4：日本特开2018-174295号公报
技术实现思路
技术问题如果在形成有晶体管等元件的有源部设置筛选用的布线，则会导致能够配置晶体管等元件的面积变小。技术方案为了解决上述课题，在本专利技术的一个方式中提供具备半导体基板的半导体装置。半导体装置可以具备发射电极，上述发射电极具有在俯视半导体基板时有间隔地配置的至少两个部分电极。半导体装置可以具备有源侧栅极布线和有源侧虚设布线。有源侧栅极布线和有源侧虚设布线可以配置为被两个部分电极夹着。半导体基板可以具有与有源侧栅极布线连接并且在俯视时的第一方向上具有长边的栅极沟槽部。半导体基板可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体基板；/n发射电极，其具有在俯视所述半导体基板时有间隔地配置的至少两个部分电极；/n有源侧栅极布线，其配置为被两个所述部分电极夹着；以及/n有源侧虚设布线，其配置为被两个所述部分电极夹着，/n所述半导体基板具有：/n栅极沟槽部，其与所述有源侧栅极布线连接并且在所述俯视时的第一方向上具有长边；以及/n虚设沟槽部，其与所述有源侧虚设布线连接并且在所述第一方向上具有长边，/n所述有源侧栅极布线和所述有源侧虚设布线中的一个在所述第一方向上全部被所述有源侧栅极布线和所述有源侧虚设布线中的另一个覆盖。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190315 JP 2019-0482901.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体基板；
发射电极，其具有在俯视所述半导体基板时有间隔地配置的至少两个部分电极；
有源侧栅极布线，其配置为被两个所述部分电极夹着；以及
有源侧虚设布线，其配置为被两个所述部分电极夹着，
所述半导体基板具有：
栅极沟槽部，其与所述有源侧栅极布线连接并且在所述俯视时的第一方向上具有长边；以及
虚设沟槽部，其与所述有源侧虚设布线连接并且在所述第一方向上具有长边，
所述有源侧栅极布线和所述有源侧虚设布线中的一个在所述第一方向上全部被所述有源侧栅极布线和所述有源侧虚设布线中的另一个覆盖。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述有源侧栅极布线在所述第一方向上全部被配置于所述有源侧栅极布线的上方的所述有源侧虚设布线覆盖。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述有源侧虚设布线在不与所述有源侧栅极布线重叠的部分与所述虚设沟槽部连接。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述有源侧栅极布线是半导体材料的布线，所述有源侧虚设布线是金属材料的布线。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述发射电极具有将两个所述部分电极彼此连接的桥接部，
所述有源侧虚设布线被所述桥接部分割为至少两个部分布线，
所述半导体装置还具备半导体材料的交叉虚设布线，所述交叉虚设布线与所述桥接部交叉地设置并且将两个所述部分布线彼此连接。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田崇一，佐藤宪一郎，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP