一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件及其制作方法，旨在进一步优化击穿电压与比导通电阻的矛盾关系从而优化器件性能，并可应用于柔性电子系统。该器件通过将性能较优异的功率器件SOI LDMOS与柔性衬底结合，采用带有SOI基的P型硅衬底材料，在SOI基上的外延层通过掺杂形成漂移区和基区；在基区左端刻蚀并积淀表面电极，该表面电极从器件表面沿纵向依次穿过基区、SOI基，深入到P型硅层上部；在漂移区中间区域表面形成以介质材料填平的氧化槽。本发明专利技术将功率器件SOI LDMOS与柔性衬底结合，不仅实现了传统无机半导体功率器件与柔性电子领域新的突破与创新，还能弥补柔性有机材料电子性能较差的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件及其制作方法
本专利技术涉及柔性电子系统领域，具体涉及一种基于柔性衬底的SOI(Silicon-On-Insulator)基横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。
技术介绍
传统无机半导体中可以作为开关功率器件应用于集成电路中的器件之一有SOI(Silicon-On-Insulator)基横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LateralDouble-diffusedMOSFET，简称LDMOS)，该功率器件具有速度快、集成度高、功耗小等优点，能够应用于高频高压集成电路中。随着传统无机半导体行业的迅猛发展，其材料、器件和工艺也随之高速发展。其中，无机材料的电子性能的发展逐渐接近极限，继续提高性能、减小尺寸、降低成本等都变得比较困难；并且单位面积上基于无机半导体材料的器件数量不可能按照摩尔定律无限增长，小尺寸下器件性能将面临诸多问题，如量子隧穿效应引起的电流泄露等；同时，无机半导体材料来源有限，工艺复杂，成本较高。近年来，工艺简单、成本低的柔性有机半导体材料及其器件开始被发现并逐渐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件，其特征在于，包括：/n柔性材料的衬底(1)；/n位于衬底表面的P型硅层(2)；/n位于P型硅层表面的SOI基(3)；/n在SOI基上的外延层形成的基区(13)和漂移区(4)，分别相对处于左、右两侧；/n在基区上部形成的源区，由P

【技术特征摘要】
1.一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件，其特征在于，包括：
柔性材料的衬底(1)；
位于衬底表面的P型硅层(2)；
位于P型硅层表面的SOI基(3)；
在SOI基上的外延层形成的基区(13)和漂移区(4)，分别相对处于左、右两侧；
在基区上部形成的源区，由P+区(12)和N+区(11)构成，所述P+区(12)和N+区(11)分别相对处于左、右两侧；
位于源区表面中间位置的源电极(10)；
位于P+区(12)左侧的表面电极(14)，其从器件表面沿纵向依次穿过基区(13)、SOI基(3)，深入到P型硅层(2)上部；所述表面电极(14)与源电极(10)共接；
位于N+区(11)右侧的基区(13)表面的栅氧化层(8)以及栅电极(9)；
位于漂移区(4)中间区域表面的以绝缘介质材料填平的氧化槽(7)；
位于漂移区(4)右端表面的漏区(5)；
位于漏区表面的漏电极(6)。


2.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件，其特征在于：所述柔性材料的衬底(1)采用PDMS、PET、PI或PEN材料。


3.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件，其特征在于：所述表面电极(14)采用P+多晶硅材料。


4.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件，其特征在于：所述P型硅层(2)的掺杂浓度为1×1013cm-3～1×1015cm-3。


5.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区(4)的掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3；所述基区(13)的掺杂浓度为1×1015cm-3～5×1017cm-3。


6.根据权利要求1所述的基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：段宝兴，唐春萍，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，钱塘科技创新中心，
类型：发明
国别省市：陕西;61